1.一种构建一三维环绕式栅极(gate-all-around，GAA)垂直栅极(vertical gate，VG)半导体结构的方法，包括：
提供一基板；
在该基板上形成一多层结构，该多层结构具有交错叠层的多个第一绝缘材料层和多个导电材料层，这些第一绝缘材料层是通过沉积一第一绝缘材料所形成，该导电材料层是由沉积一导电材料所形成；
识别用来形成多个位线和多个字线的多个位线位置和多个字线位置；
移除该多层结构在被识别的这些位线位置和这些字线位置之外的多个部分，每一这些被移除的部分是穿过该多层结构延伸到该基板的至少一顶面；
在被识别的这些位线位置和这些字线位置之外的这些区域中形成多个第二绝缘材料垂直结构；
移除该多层结构位于沿着被识别的这些字线位置而未包含被识别的这些位线位置的多个区域中的多个部分，每一这些被移除的部分是通过该多层结构延伸到该基板的该至少一顶面；
移除这些第一绝缘材料层沿着被识别的这些字线位置的这些区域中的该第一绝缘材料；
在被识别的这些位线位置中形成这些位线；以及
在被识别的字线位置中形成这些字线；
其中，这些位线的形成方法，包括：
圆化(rounding)每一这些导电材料层沿着被识别的这些位线位置的至少一部分；以及
在被圆化后的这些导电材料层的至少一部分上形成一电荷储存层。
2.根据权利要求1所述的构建三维环绕式栅极垂直栅极半导体结构的方法，其中通过执行一等向性刻蚀(isotropic etching)工艺来从这些第一绝缘材料层中去除该第一绝缘材料。
3.根据权利要求1所述的构建三维环绕式栅极垂直栅极半导体结构的方法，其中该第二绝缘材料垂直结构的形成是延伸到该基板的至少一顶 面。
4.根据权利要求1所述的构建三维环绕式栅极垂直栅极半导体结构的方法，其中该第二绝缘材料垂直结构可在该等向性刻蚀工艺中可操作地用于控制移除该第一绝缘材料的步骤。
5.根据权利要求1所述的构建三维环绕式栅极垂直栅极半导体结构的方法，其中该电荷储存层是一氧化物-氮化物-氧化物(ONO)层。
6.根据权利要求1所述的构建三维环绕式栅极垂直栅极半导体结构的方法，其中该电荷储存层包括形成在被圆化的这些导电材料层上的一隧穿氧化层、形成在该隧穿氧化层上的一电荷捕捉氮化层以及形成在该电荷捕捉氮化层上的一阻绝氧化层。
7.根据权利要求6所述的构建三维环绕式栅极垂直栅极半导体结构的方法，其中该隧穿氧化层的半径为6～2纳米(nm)之间。
8.根据权利要求6所述的构建三维环绕式栅极垂直栅极半导体结构的方法，其中该阻绝氧化层的半径为12～7纳米之间。
9.根据权利要求1所述的构建三维环绕式栅极垂直栅极半导体结构的方法，其中这些字线的形成步骤包括在沿着被识别的这些字线位置而未包含被识别的这些位线位置的这些区域中沉积一导电材料。
10.根据权利要求1所述的构建三维环绕式栅极垂直栅极半导体结构的方法，其中该多层结构中的每一该被移除的这些部分是在该多层结构中呈现为孔洞状。
11.根据权利要求10所述的构建三维环绕式栅极垂直栅极半导体结构的方法，其中每一这些第二绝缘材料垂直结构是通过在该孔洞中沉积该第二绝缘材料来形成。
12.根据权利要求1所述的构建三维环绕式栅极垂直栅极半导体结构的方法，更包括连接所形成的这些字线。
13.根据权利要求1所述的构建三维环绕式栅极垂直栅极半导体结构的方法，其中该第一绝缘材料和该第二绝缘材料是通过一等向性刻蚀工艺可操作地移除第一绝缘材料但不移除第二绝缘材料的方式来进行选择。
14.根据权利要求1所述的构建三维环绕式栅极垂直栅极半导体结构的方法，其该中第一绝缘材料是一硅氧化物材料而该第二绝缘材料是一硅 氮化物材料。
15.根据权利要求1所述的构建三维环绕式栅极垂直栅极半导体结构的方法，其中该第一绝缘材料是一硅氮化物材料而该第二绝缘材料是一硅氧化物材料。
16.一种半导体元件，其是通过如权利要求1所述的方法所形成。
17.一种半导体结构，包括：
一三维环绕式栅极垂直栅极结构，具有形成在一基板上的多条位线和多条字线；以及
多个第一绝缘材料部分，从该基板的至少一顶面垂直延伸，这些第一绝缘材料部分是相邻地形成于该三维环绕式栅极垂直栅极结构并且可操作地在该三维环绕式栅极垂直栅极结构的相这些邻字线之间提供电性隔离。
18.根据权利要求17所述的该半导体结构，其中每一这些位线包括：
一被圆化的导电材料核心；以及
一电荷储存层，形成在该导电材料核心上。
19.根据权利要求18所述的该半导体结构，其中该电荷储存层是一氧化物-氮化物-氧化物层。
20.根据权利要求17所述的该半导体结构，其中该三维环绕式栅极垂直栅极结构的形成方法，包括：
在该基板上形成一多层结构，使其具有交错叠层的多个第一绝缘材料层和多个导电材料层，这些第一绝缘材料层是通过沉积一第一绝缘材料所形成的，这些导电材料层是通过沉积一导电材料所形成；
识别用来形成这些位线和这些字线的多个位线位置和多个字线位置；以及
移除该多层结构在被识别的这些位线位置和这些字线位置之外的多个部分，被移除的这些部分是穿过该多层结构延伸到该基板的至少一顶面。
21.根据权利要求20所述的该半导体结构，其中该三维环绕式栅极垂直栅极结构的形成方法，还包括：
在被识别的这些位线位置和这些字线位置之外的这些区域中形成多个第二绝缘材料垂直结构。
22.根据权利要求20所述的该半导体结构，其中该三维环绕式栅极垂直栅极结构的形成方法，还包括：
移除该多层结构位于沿着被识别的这些字线位置而未包含被识别的这些位线位置的多个区域中的多个部分，被移除的这些部分是穿过该多层结构延伸到该基板的至少一顶面。
23.根据权利要求20所述的该半导体结构，其中该三维环绕式栅极垂直栅极结构的形成方法，还包括：
执行一等向性刻蚀(isotropic etching)工艺藉以从该第一绝缘材料层中移除沿着被识别的这些字线位置的该第一绝缘材料。
24.根据权利要求20所述的该半导体结构，其中该三维环绕式栅极垂直栅极结构的形成方法，还包括：
在被识别的这些位线位置中形成这些位线；这些位线的形成方法，包括：
圆化沿着被识别的这些位线位置的每一这些导电材料层的至少一部分；以及
在被圆化的这些导电材料层的至少一部分上形成一电荷储存层。
25.根据权利要求20所述的该半导体结构，其中该三维环绕式栅极垂直栅极结构的形成方法，还包括：
通过在被识别的这些字线位置的区域中而未包含被识别的这些位线位置沉积一导电材料，在被识别的这些字线位置中形成这些字线。
26.根据权利要求18所述的该半导体结构，其中该电荷储存层包括形成在该被圆化的导电材料核心上的一隧穿氧化层、形成在该隧穿氧化层上的一电荷捕捉氮化层以及形成在该电荷捕捉氮化层上的一阻绝氧化层。
27.根据权利要求26所述的该半导体结构，其中该隧穿氧化层的半径为6～2纳米之间。
28.根据权利要求26所述的该半导体结构，其中该阻绝氧化层的半径为12～7纳米之间。