技术总结
本发明公开了一种环绕式栅极垂直栅极存储器结构和半导体元件及其构建方法，该构建方法包括：在基板上形成一多层结构，使多层结构具有交错叠层的多个第一绝缘材料层和导电材料层；识别用来形成位线和字线的位线位置和字线位置；移除多层结构在被识别的位线位置和字线位置之外的部分；在被识别的位线位置和字线位置之外的区域中形成第二绝缘材料垂直结构；移除多层结构沿位线位置被识别的字线位置而未包含被识别的位线位置的区域中的部分；移除第一绝缘材料层沿被识别的字线位置的区域中的第一绝缘材料；及在被识别的位线位置、字线位置中形成位线、字线。
技术研发人员：杨大弘
受保护的技术使用者：旺宏电子股份有限公司
文档号码：201510481531
技术研发日：2015.08.07
技术公布日：2016.12.21