1.一种反熔丝结构，其特征在于，包括：
半导体衬底；
半导体衬底上的鳍；
鳍表面上的栅介质层以及栅极；
栅极两侧的鳍上的源漏区；
源漏区表面上的反熔丝介质层以及其上的上电极。
2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述反熔丝介质层为高k介质材料。
3.根据权利要求2所述的结构，其特征在于，所述上电极为多层结构，包括金属栅极材料层，该金属栅极材料层位于上电极的最下层。
4.根据权利要求3所述的结构，其特征在于，所述金属栅极材料层的材料为Ti、TiAlx、TiN、TaNx、HfN、TiCx或TaCx。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的结构，其特征在于，所述栅介质层与反熔丝介质层为同一介质层。
6.一种反熔丝结构的制造方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底；
在衬底上形成鳍；
在鳍的表面上形成栅介质层、栅介质层上的栅极以及反熔丝介质层、反熔丝介质层之上的上电极，栅极两侧的鳍上形成有源漏区，反熔丝介质层形成在源漏区所在的鳍的表面上。
7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述反熔丝介质层为高k介质材料。
8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述上电极为多层结构，包括金属栅极材料层，该金属栅极材料层位于上电极的最下层。
9.根据权利要求6-8中任一项所述的制造方法，其特征在于，在鳍的表面上形成栅介质层、栅介质层上的栅极以及反熔丝介质层、反熔丝介质层之上的上电极的步骤包括：
在鳍的表面上沉积介质材料层，以形成栅介质层及反熔丝介质层；
在介质材料层上形成栅极；
在栅极两侧的鳍中形成源漏区；
在源漏区上的介质材料层上形成上电极。
10.根据权利要求6-8中任一项所述的制造方法，其特征在于，在鳍的表面上形成栅介质层、栅介质层上的栅极以及反熔丝介质层、反熔丝介质层之上的上电极的步骤包括：
在鳍上依次形成栅介质层以及栅极；
在栅极两侧的鳍上形成源漏区；
在源漏区上依次形成反熔丝介质层及上电极。