技术总结
本发明提供的衬底刻蚀方法，用于在二氧化硅衬底的待刻蚀表面刻蚀深孔，其包括以下步骤：刻蚀步骤，采用刻蚀产物为气体的含氟类气体作为主刻蚀气体以及惰性气体作为辅助气体进行各向异性刻蚀，以增加刻蚀深度；沉积步骤，采用碳氟类气体作为沉积气体在深孔的侧壁和底部沉积一层聚合物；循环进行上述两个步骤，直至达到所需的总刻蚀深度。使深孔刻蚀能够在一致的温度下进行，避免了由于温差导致的整个刻蚀时间的延长，提高了平均刻蚀速率，适合工艺量产。
技术研发人员：钦华林
受保护的技术使用者：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
文档号码：201510807377
技术研发日：2015.11.19
技术公布日：2017.05.31