1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
对所述衬底进行N型掺杂以在所述衬底中形成N阱；
对所述衬底进行刻蚀以形成位于所述N阱上的第一组鳍片以及位于与所述N阱邻接的衬底上的第二组鳍片；
在各个鳍片之间形成隔离区以至少部分填充各个鳍片之间的空间；
对所述第二组鳍片下的衬底进行P型掺杂，以形成与所述N阱邻接的P阱。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述衬底进行刻蚀以形成位于所述N阱上的第一组鳍片以及位于与所述N阱邻接的衬底上的第二组鳍片包括：
在所述衬底上形成图案化的硬掩模；
以所述图案化的硬掩模为掩模对所述衬底进行刻蚀，从而形成位于所述N阱上的第一组鳍片以及位于与所述N阱邻接的衬底上的第二组鳍片。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在各个鳍片之间形成隔离区以至少部分填充各个鳍片之间的空间包括：
沉积隔离材料以填充各个鳍片之间的空间并覆盖各个鳍片和鳍片上的硬掩模；
对所述隔离材料进行平坦化，以使隔离材料的顶表面与所述硬掩模的顶表面基本齐平，从而在各个鳍片之间形成隔离区。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，对所述隔离材料进行平坦化之后，还包括：
对所述隔离材料进行回刻蚀，以至少露出各个鳍片上的硬掩模；
去除各个鳍片上的硬掩模，从而在各个鳍片之间形成隔离区。
5.根据权利要求1或4所述的方法，其特征在于，还包括：
在形成P阱之后，去除所述隔离区的一部分以露出各个鳍片的至少一部分。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过离子注入的方式进行所述N型掺杂和所述P型掺杂。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述N型掺杂的杂质包括砷离子或磷离子；
所述P型掺杂的杂质包括硼离子或二氟化硼离子。
8.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：
提供衬底结构，所述衬底结构包括衬底、位于所述衬底上的多个鳍片和位于各个鳍片之间的隔离区，其中所述鳍片上具有硬掩模，所述隔离区的顶表面与所述硬掩模的顶表面基本齐平；
对所述衬底结构进行N型掺杂，以在衬底中形成N阱；
对所述隔离区进行回刻蚀，以至少露出各个鳍片上的硬掩模；
去除各个鳍片上的硬掩模；
对所述衬底结构进行P型掺杂，以在所述衬底中形成与所述N阱邻接的P阱。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述提供衬底结构的步骤包括：
提供初始衬底；
在所述初始衬底上形成图案化的硬掩模；
以所述图案化的硬掩模为掩模对所述初始衬底进行刻蚀以形成所述衬底和位于所述衬底上的多个鳍片；
沉积隔离材料以填充各个鳍片之间的空间并覆盖各个鳍片和鳍片上的硬掩模；
对所述隔离材料进行平坦化，以形成所述隔离区，从而形成所述衬底结构。
10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，还包括：
在形成P阱之后，去除所述隔离区的一部分以露出各个鳍片的至少一部分。
11.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，通过离子注入的方式进行所述N型掺杂和所述P型掺杂。
12.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述N型掺杂的杂质包括砷离子或磷离子；
所述P型掺杂的杂质包括硼离子或二氟化硼离子。