TFT基板的蒸镀方法与流程

本发明涉及显示面板技术领域，尤其涉及一种TFT基板的蒸镀方法。

背景技术：

主动矩阵有机发光二极管面板(Active Matrix Organic Light Emitting Diode，AMOLED)器件的制造工艺分为：基板工序、蒸镀工序和封装工序。基板工序是在玻璃上面层积硅材料和金属材料生成薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)。为了利用形成的TFT基板来点亮AMOLED面板，必须在TFT基板上进行有机物的蒸镀工序，有机物的蒸镀工序是将已汽化的有机物蒸镀在TFT基板上。在现有的蒸镀工序中，利用阵列排布结构的金属掩模板，金属掩模板中间形成开口，将金属掩模板覆盖在TFT基板表面上，再将发光材料蒸镀到TFT基板上，从而发光材料仅蒸镀到需要的位置。然而，这种金属掩膜板中间一般是比较长的挖孔，该结构的金属掩模板使发光材料的蒸镀工序中金属掩模板与TFT基板的错误对位，导致有机物相互层叠，从而引起AMOLED器件的面板的混色，导致显示的色彩错误。

技术实现要素：

本发明的目的在于，提供一种TFT基板的蒸镀方法，解决现有技术中TFT基板的蒸镀过程产生混色的技术问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种TFT基板的蒸镀方法，包括：

在玻璃基板上沉积第一隔离材料，选择性刻蚀所述第一隔离材料，在所述第一隔离材料中形成阵列排布的若干第一开口，所述第一开口暴露于所述玻璃基板表面；

在所述玻璃基板上布置金属走线，所述金属走线至少覆盖每个所述第一开口的底壁以及侧壁；

在每个所述第一开口中填充发光材料；

在TFT基板上沉积第二隔离材料，选择性刻蚀所述第二隔离材料，在所述第二隔离材料中形成阵列排布的若干第二开口，所述第二开口暴露于所述TFT基板表面；

将所述玻璃基板与所述TFT基板相对设置，并将所述第一开口与所述第二开口进行对位，向所述金属走线提供电压，将所述发光材料蒸镀至所述TFT基板上的所述第二开口中。

可选的，所述第一开口的截面形状为倒梯形，所述第二开口与所述第一开口的形状相同。

可选的，所述第一隔离材料为聚酰亚胺材料，通过等离子体刻蚀所述第一隔离材料形成所述第一开口。

可选的，所述第一开口的顶部的宽度为5μm～20μm。

可选的，所述第二开口的顶部的宽度为5μm～20μm。

可选的，所述第一隔离材料为聚酰亚胺材料，通过等离子体刻蚀所述第二隔离材料形成所述第二开口。

可选的，所述第一开口与所述第二开口之间通过光学对位。

可选的，所述金属走线还覆盖部分所述第一隔离材料的部分表面，同一行或同一列的所述金属走线相连。

可选的，同一行或同一列所述金属走线连接一加热模块，所述加热模块分别为相应行或相应列的所述金属走线提供电压。

可选的，同一行或同一列的所述第一开口中填充红色发光材料、绿色发光材料或蓝色发光材料中的一种。

与现有技术相比，本发明的TFT基板的蒸镀方法中，在玻璃基板上形成第一隔离材料，在第一隔离材料中刻蚀形成第一开口，在TFT基板上形成第二隔离材料，在第二刻蚀材料中刻蚀形成第二开口，在蒸镀过程中，将第一开口和第二开口相对放置，并对位，给金属走线提供电压，加热发光材料，使得发光材料蒸镀到第二开口的TFT基板上。本发明中，不需要金属掩模板即可在TFT基板上蒸镀发光材料，避免TFT基板形成混色，提高TFT基板的PPI。

附图说明

图1为本发明一实施例中TFT基板的蒸镀方法的流程图；

图2a图2d为本发明一实施例中TFT基板的蒸镀方法各步骤对应的剖面结构示意图；

图3为本发明一实施例中形成的微型坩埚的俯视图；

图4a为本发明一实施例中TFT基板上形成第二开口的剖面图；

图4b为本发明一实施例中TFT基板上形成第二开口的俯视图；

图5为本发明一实施例的蒸镀过程中微型坩埚与TFT基板的位置关系图；

图6为本发明一实施例的TFT基板的蒸镀发光材料后的剖面结构图；

图7为本发明另一实施例的蒸镀过程中微型坩埚与TFT基板的位置关系图。

具体实施方式

下面将结合示意图对本发明的TFT基板的蒸镀方法进行更详细的描述，其中表示了本发明的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明，而仍然实现本发明的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本发明的限制。

在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本发明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

本发明的核心思想在于，在玻璃基板上形成第一隔离材料，在第一隔离材料中刻蚀形成第一开口，在TFT基板上形成第二隔离材料，在第二刻蚀材料中刻蚀形成第二开口，在蒸镀过程中，将第一开口和第二开口相对放置，并对位，给金属走线提供电压，加热发光材料，使得发光材料蒸镀到第二开口的TFT基板上。本发明中，不需要掩模板即可在TFT基板上蒸镀发光材料，避免TFT基板形成混色，提高TFT基板的PPI。

下文结合附图1至图7对本发明的TFT基板的蒸镀方法进行具体的描述，蒸镀方法的流程图参考图1所示，具体包括如下步骤：

参考图2a所示，执行步骤S1，提供玻璃基板11，并在所述玻璃基板11上 沉积第一隔离材料12，所述第一隔离材料的厚度为0.5μm～15μm。在本实施例中，所述第一隔离材料12为聚酰亚胺、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、酚醛树脂等绝缘材料。接着，参考图2b所示，在所述第一隔离材料12上旋涂光刻胶，并进行光刻、曝光、显影等步骤形成第一图案化的光刻胶(图中未示出)，再以第一图案化的光刻胶为掩膜选择性刻蚀所述第一隔离材料12直至暴露所述玻璃基板11，在所述第一隔离材料12中形成阵列排布的第一开口13。本实施例中，采用等离子体刻蚀的方法刻蚀所述第一隔离材料12形成所述第一开口13，所述第一开口13的截面为倒梯形，即第一开口13顶部的截面宽度大于其底部的截面宽度，由于光刻工艺的特征尺寸的可以达到几个微米，根据实际工艺需要，优选方案中，所述第一开口13的顶部的宽度为5μm～20μm，使得第一开口13的顶部对应一个薄膜晶体管的面积大小。

参考图2c所示，执行步骤S2，在所述玻璃基板11上布置金属走线14，所述金属走线14至少覆盖每个所述第一开口13的底壁以及侧壁，形成用于蒸镀的微型坩埚。所述金属走线14为热电偶金属材料，即金属走线14在加上电压后，可以将电能转换成热能，从而产生热量，用于为需要蒸镀的发光材料加热，使得发光材料蒸发，例如，金属走线14的材料可以为镍铬、铜镍、铂铑等材料，此为，本领域技术人员公知的，在此不作赘述。在本实施例中，所述金属走线14覆盖每个所述第一开口13的底壁以及侧壁的同时，还延伸至第一开口13邻近的第一隔离材料12的部分表面。

参考图2d所示，执行步骤S3，在每个所述第一开口13中填充发光材料15，用于蒸镀到TFT基板上。所述发光材料15为粉末状的材料，可以将发光材料15研磨成非常细小的颗粒，之后将发光材料15撒在所述玻璃基板11上，使得发光材料15填充到整个第一开口13。在每个所述第一开口13中相应的填充红色发光材料、绿色发光材料或蓝色发光材料的一种，并且，将发光材料撒在玻璃基板11过程中，第一隔离材料12表面上也会存在发光材料15，之后可以将这部分发光材料15去除。并且，即使第一隔离材料12表面上存在发光材料，这部分发光材料15并不会受热，也就不会蒸镀到TFT基板上，不会对蒸镀过程产生影响。

此外，本发明中还可以采用其他方法将发光材料15填充在第一开口13中， 例如，可以先在玻璃基板11上形成光刻胶，光刻胶覆盖部分所述玻璃基板11，暴露某几行或者某几列的第一开口13，采用蒸镀的方法将发光材料15蒸镀到该行或该列的第一开口13中，使得同一列或同一行的第一开口13中填充相同种类的发光材料，例如为红色发光材料、绿色发光材料或蓝色发光材料的一种。并且，经过多次的蒸镀，使得第一开口13上填充不同的发光材料15。第一开口13中填充的发光材料15的种类，为根据TFT基板中实际需要进行的设置，本发明对此不予限制。

所述微型坩埚的俯视图参考图3所示，从图3可见，所述金属走线14还覆盖部分所述第一隔离材料12的部分表面。并且，同一行或同一列的所述金属走线14相连接，图3中以同一列的金属走线14相连为例进行说明。在本实施例中，布置所述金属走线14的步骤为：在所述玻璃基板11上沉积金属材料，金属材料覆盖每一个第一开口13以及第一隔离材料12的表面。之后，在金属材料表面形成图案化的光刻胶，并采用等离子体刻蚀的方法去除部分同一行或者同一列的第一开口13之间的位于所述第一隔离材料12表面上的金属材料，形成如图3所示的金属走线14。。此外，玻璃基板11上还包括若干加热模块16，同一列的所述金属走线14连接同一加热模块16，所述加热模块16作为金属走线14连接外部输入电路的接口，将外部电路提供的电压输入给金属走线。所述加热模块16分别为相应列的所述金属走线14提供电压。金属走线14根据加热模块16提供的电压的不同，达到的温度不同，从而使得发光材料15的温度不同，实现对发光材料15的蒸镀速度的控制。当然，也可以是同一行的所述金属走线14连接同一加热模块16，亦可实现本发明的目的。同时，每一加热模块16加的电压可以不同，使得不同的发光材料15的蒸镀速度可以不同。

参考图4a所示，执行步骤S4，提供一TFT基板21，所述TFT基板21上沉积形成第二隔离材料22，所述第二隔离材料为0.5μm～15μm，所述第二隔离材料22同样为聚酰亚胺、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、酚醛树脂等绝缘材料，。在所述第二隔离材料22上旋涂光刻胶，并经过光刻、曝光、显影等步骤形成第二图案化的光刻胶(图中未示出)，并以此第二图案化的光刻胶为掩膜选择性刻蚀所述第二隔离材料22，在所述第二隔离材料22中形成阵列排布的第二开口23，所述第二开口23的顶部的宽度为5μm～20μm。采用等离子体刻蚀的方法刻 蚀所述第二隔离材料22形成所述第二开口23。在本实施例中，刻蚀形成第一开口13和第二开口23可以采用相同的光刻胶掩模板，使得形成额第一开口12与第二开口13的形状相同。例如，所述第一开口13和第二开口23顶部均为正方形结构，所述第一开口13顶部的宽度为10μm，所述第二开口23顶部的宽度亦为10μm，第二开口23暴露的TFT基板21的部分为需要蒸镀上发光材料的部分，用于定义TFT基板上的发光面积。

TFT基板21的俯视图参考图4b所示，所述TFT基板21中可以包括1～100个薄膜晶体管，从而可以在TFT基板21上形成与薄膜晶体管相同数量的第二开口23，用于后续蒸镀上发光材料15。

参考图5所示，执行步骤S5，将所述玻璃基板11与所述TFT基板21相对设置，并且，将第一开口13与第二开口23进行对位，使得第一开口13中的发光材料15正好与第二开口23中的薄膜晶体管相对设置。在本实施例中，第一开口13与第二开口23是通过光学对位的，例如，可以将玻璃基板11与TFT基板21放置于蒸镀机台或者光刻机台中，调节玻璃基板11与TFT基板21之间的位置，通过蒸镀机台或者光刻机台中的光学显微镜成像，使得第一开口13与第二开口23之间实现光学对位。可以理解的是，通过光学对位可以使得第一开口13和第二开口23之间的对位精确，从而不至于在后续的蒸镀过程中导致混色。并且，光刻的特征尺寸可以到达在几个微米，从而，第一开口13和第二开口23的尺寸可以控制在几个微米到十几个微米，相对于金属掩模板的几十个微米，本发明可以提高显示面板上的薄膜晶体管的个数，提高PPI，并且，TFT基板21上不会产生混色。接着，加热模块16向所述金属走线15提供电压，将所述发光材料15蒸镀至所述TFT基板21的第二开口23中，形成如图6中所示的用于TFT基板的发光结构24。

需要说明的是，刻蚀第二开口23与刻蚀第一开口13也可以采用不同的光刻胶掩模板，使得第二开口23与第一开口13不完全相同，只要在后续光学对位过程中，所述第一开口13与所述第二开口23之间可以实现对位，使得发光材料15仅蒸镀到第二开口23中的TFT基板21中即可。

本发明的另一实施例中的微型坩埚的结构参考图7中所示，在本实施例中，与图5所示的实施例中不同的是，玻璃基板11上仅形成一行的第一开口13，在 第一开口13中填充发光材料15。玻璃基板11和TFT基板21之间的位置关系参考图6所示，使得其中的第一开口13和一行的第二开口23对位，在该行的第二开口23中蒸镀发光材料15。本实施例中，微型坩埚仅用于蒸镀一种发光材料，当需要在TFT基板21上蒸镀其他发光材料时，需要改换微型坩埚，或者将微型坩埚中的发光材料去除，重新填充另一种发光材料。因此，本实施例中，需要进行多次蒸镀才能将多种发光材料蒸镀到TFT基板21上。

综上所述，本发明提供的TFT基板的蒸镀方法中，在玻璃基板上形成第一隔离材料，在第一隔离材料中刻蚀形成第一开口，在TFT基板上形成第二隔离材料，在第二刻蚀材料中刻蚀形成第二开口，在蒸镀过程中，将第一开口和第二开口相对放置，并对位，给金属走线提供电压，加热发光材料，使得发光材料蒸镀到第二开口的TFT基板上。本发明中，不需要掩模板即可在TFT基板上蒸镀发光材料，避免TFT基板形成混色，提高TFT基板的PPI。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。