1.一种半导体器件结构，包括：
第一金属层，形成在衬底上方；
介电层，形成在所述第一金属层上方；
粘合层，形成在所述介电层中和所述第一金属层上方；以及
第二金属层，形成在所述介电层中，其中，所述第二金属层电连接至所述第一金属层，所述粘合层的部分形成在所述第二金属层和所述介电层之间，并且其中，所述粘合层包括第一部分，所述第一部分作为所述第二金属层的顶部的衬垫，并且所述第一部分具有沿着垂直方向的延伸部分。
2.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述粘合层还包括位于所述第一部分下方的第二部分，并且所述第一部分不连接至所述第二部分。
3.根据权利要求2所述的半导体器件结构，其中，所述粘合层的第二部分具有倾斜的顶面。
4.根据权利要求2所述的半导体器件结构，其中，所述延伸部分具有位于低于所述第二部分的最高位置的位置处的尖端。
5.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述粘合层的第一部分具有与所述介电层直接接触并且垂直于所述第一金属层的顶面的第一表面，所述粘合层的第一部分的最低位置在所述第一表面处。
6.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述粘合层的第一部分的底部具有平滑的V形形状。
7.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述第二金属层包括通孔部分、界面部分和位于所述通孔部分上方的沟槽部分，并且所述界面部分形成在所述通孔部分和所述沟槽部分之间，并且所述界面部分具有一对弯曲的侧壁。
8.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述第二金属层的界面部分的一部分具有从所述沟槽部分向着所述通孔部分逐渐减小的减小的宽度。
9.一种半导体器件结构，包括：
第一金属层，形成在衬底上方；
介电层，形成在所述第一金属层上方；
粘合层，形成在所述介电层中和所述第一金属层上方；以及
第二金属层，形成在所述介电层中，其中，所述粘合层形成在所述第二金属层和所述介电层之间，并且所述第二金属层包括通孔部分和位于所述通孔部分之上的沟槽部分，并且其中
所述粘合层包括邻近所述第二金属层的沟槽部分的第一部分，所述第一部分具有延伸尖端，并且所述延伸尖端位于低于所述第二金属层的通孔部分的最高点的位置处。
10.一种用于形成半导体器件结构的方法，包括：
在衬底上方形成第一金属层；
在所述第一金属层上方形成蚀刻停止层；
在所述蚀刻停止层上方形成介电层；
在所述介电层中形成沟槽开口和通孔开口，其中，所述沟槽开口具有延伸部分；
在所述沟槽开口和所述通孔开口的侧壁和底面上形成粘合层；
去除所述蚀刻停止层的直接位于所述第一金属层之上的部分和去除所述粘合层的一部分以暴露所述介电层的一部分；以及
在所述通孔开口和所述沟槽开口中填充第二金属层，其中，所述第二金属层电连接至所述第一金属层。