技术特征：
1.一种电阻器，其包含：电阻器本体，其掺有第一类型掺质；绝缘层，其设置于该电阻器本体上面；以及至少一个栅极结构，其设置于该绝缘层上面且设置于该电阻器本体上面。2.根据权利要求1所述的电阻器，进一步包含多个设置于该绝缘层及该电阻器本体上面的栅极结构，该多个栅极结构包括该至少一个栅极结构。3.根据权利要求2所述的电阻器，其中，该多个栅极结构以不对称方式相隔。4.根据权利要求1所述的电阻器，其中，该电阻器本体包含界定于基材中的至少一个晶鳍，而且该电阻器进一步包含：第一接触部，其耦接至该至少一个晶鳍的第一端；以及第二接触部，其耦接至该至少一个晶鳍的第二端。5.根据权利要求4所述的电阻器，其中，该电阻器本体包含界定于该基材中的多个晶鳍，该第一接触部耦接至各该多个晶鳍的第一端，而且该第二接触部耦接至各该多个晶鳍的第二端。6.根据权利要求4所述的电阻器，其中，该至少一个栅极结构相对于该至少一个晶鳍垂直设置。7.根据权利要求4所述的电阻器，其中，该至少一个晶鳍包含具有该第一类型掺质的顶端部分、以及具有第二类型掺质的第二部分，且该第二类型掺质与该第一类型掺质不同。8.根据权利要求1所述的电阻器，进一步包含：第一接触部，其耦接至该至少一个栅极结构的第一端；以及第二接触部，其耦接至该至少一个栅极结构的第二端。9.一种方法，其包含：对设置于绝缘层上面的至少第一栅极结构施加偏压，该绝缘层设置于电阻器本体上面，该电阻器本体掺有第一类型掺质，用以影响该电阻器本体的电阻。10.根据权利要求9所述的方法，进一步包含：对设置于该绝缘层上面的第二栅极结构施加编程电压，该绝缘层设置于该电阻器本体上面，且该编程电压足以破坏该第二栅极结构。11.根据权利要求9所述的方法，其中，该电阻器本体包含界定于基材中的至少一个晶鳍。12.根据权利要求11所述的方法，其中，该电阻器本体包含界定于基材中的多个晶鳍，该多个晶鳍包括该至少一个晶鳍。13.一种方法，其包含：在基材中形成至少一个晶鳍，该至少一个晶鳍掺有第一类型掺质并界定电阻器本体；在该至少一个晶鳍上面形成栅极结构；形成第一接触部，该第一接触部连接至该至少一个晶鳍的第一端；以及形成第二接触部，该第二接触部连接至该至少一个晶鳍的第二端。14.根据权利要求13所述的方法，进一步包含以该第一类型掺质掺杂该至少一个晶鳍的顶端部分，其中，该基材掺有第二类型掺质，且该第二类型掺质与该第一类型不同。15.根据权利要求13所述的方法，进一步包含形成设置于该电阻器本体上面的多个栅极结构，该多个栅极结构包括该栅极结构。16.根据权利要求15所述的方法，其中，该多个栅极结构以不对称方式相隔。17.根据权利要求15所述的方法，进一步包含对该多个栅极结构的第二栅极结构施加编程电压，且该编程电压足以破坏该第二栅极结构。18.根据权利要求15所述的方法，进一步包含形成与该多个栅极结构的其中一者相邻、但不在该电阻器本体上面的至少一个虚设栅极。19.根据权利要求13所述的方法，进一步包含：在该基材中形成多个晶鳍，该多个晶鳍包括该至少一个晶鳍；形成第一接触部，该第一接触部耦接至各该多个晶鳍的第一端；以及形成第二接触部，该第二接触部耦接至各该多个晶鳍的第二端。20.根据权利要求13所述的方法，进一步包含对该至少一个栅极结构施加偏压，用以影响该电阻器本体的电阻。