技术总结
本发明涉及一种具有上覆栅极结构的鳍式电阻器。一种电阻器装置，包括掺有第一类型掺质的电阻器本体、设置于电阻器本体上面的绝缘层、以及设置于绝缘层上面且设置于电阻器本体上面的至少一个栅极结构。一种方法，包括对设置于绝缘层上面的至少第一栅极结构施加偏压，该绝缘层设置于掺有第一类型掺质的电阻器本体上面，用以影响电阻器本体的电阻。
技术研发人员：J·辛格;
受保护的技术使用者：格罗方德半导体公司;
文档号码：201511000313
技术研发日：2015.12.28
技术公布日：2016.07.06