技术总结
本发明提供一种利用热处理的铟锡氧化物膜的结晶化良好且结晶化后的铟锡氧化物膜的薄层电阻变小的层叠体。层叠体具有透明基材和铟锡氧化物层。铟锡氧化物层层叠在透明基材上且主要由非晶质的铟锡氧化物构成。铟锡氧化物层具有0.60at％以下的氢浓度。另外，铟锡氧化物层的热处理温度150℃和热处理时间30分钟的热处理后的薄层电阻成为200Ω/□以下。
技术研发人员：吉冈和久;真下尚洋
受保护的技术使用者：旭硝子株式会社
文档号码：201580019590
技术研发日：2015.04.09
技术公布日：2016.11.23