1.一种基板处理装置，用于在处理液的存在下使基板与催化剂接触而研磨所述基板的被处理区域，所述基板处理装置的特征在于，具备：
基板保持部，被构成为保持所述基板；
催化剂保持部，被构成为保持所述催化剂；以及
驱动部，被构成为在所述基板的所述被处理区域与所述催化剂接触的状态下，使所述基板保持部与所述催化剂保持部相对移动，
所述催化剂保持部具备用于保持所述催化剂的弹性部件。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述弹性部件具备具有压力室的结构，该压力室由弹性膜形成；
在所述弹性膜的外表面形成有所述催化剂的层；
所述压力室被构成为，通过控制被供给至该压力室的流体，来控制所述基板的所述被处理区域与所述催化剂的接触压力。
3.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述弹性部件具备球状体，该球状体在所述基板保持部与所述催化剂保持部相对移动时，被保持成能够随着该相对移动旋转，
在所述球状体的外表面形成有所述催化剂的层。
4.如权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，具备压力调节部，该压力调节部被构成为，通过调节将所述球状体按压至所述基板侧的力，来调节所述基板的所述被处理区域与所述催化剂的接触压力。
5.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述弹性部件具备海绵，该海绵具有气孔。
6.如权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，具备处理液供给部，该处理液供给部被构成为将所述处理液供给至所述海绵的内部，
在所述海绵的外表面形成有具有孔部的层，该具有孔部的层为所述催化剂的层。
7.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，在所述弹性部件形成有多个沟，在所述多个沟内分别埋入有所述催化剂。
8.如权利要求1～7中任一项所述之基板处理装置，其特征在于，在所述弹性部件形成有供所述处理液通过的多个沟。
9.如权利要求1～8中任一项所述之基板处理装置，其特征在于，所述弹性部件为多个；
多个所述弹性部件各自单独保持所述催化剂。
10.如权利要求1～9中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述催化剂具备两种以上的催化剂，或是包含两种催化剂的混合物或化合物。
11.如权利要求1～10中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述催化剂保持部为多个；
在多个所述催化剂保持部中的各催化剂保持部上分别保持所述催化剂。
12.如权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于，多个所述催化剂保持部中的至少两个催化剂保持部保持彼此不同种类的所述催化剂。
13.如权利要求1～12中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，具备基板温度控制部，该基板温度控制部被构成为控制所述基板的温度。
14.如权利要求1～13中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述基板保持部具备基板位置调整部，该基板位置调整部被构成为使所述基板仅旋转任意规定角度以使所述基板的凹口、定向平面或激光标记位于规定位置。
15.如权利要求1～14中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，具备处理液温度调整部，该处理液温度调整部在10度以上且60度以下的范围内将所述处理液的温度调整成规定温度。
16.如权利要求1～15中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，具备处理液供给部，该处理液供给部具有供给口，该供给口用于将所述处理液供给至所述基板的所述被处理区域上，
所述处理液供给部被构成为所述供给口与所述催化剂保持部一起移动。
17.如权利要求1～16中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述催化剂保持部被配置于所述基板保持部的上方；
所述基板保持部具备壁部，该壁部在用于保持基板的区域的外侧，遍及整个周向地朝向铅直方向上方延伸。
18.如权利要求1～17中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，具备处理液保持部，该处理液保持部在所述催化剂保持部的周围包围所述催化剂保持部，并在所述基板侧开口，且该处理液保持部被构成为将所述处理液保持在所述处理液保持部的内部，
所述处理液被供给至所述处理液保持部的内部。
19.如权利要求18所述的基板处理装置，其特征在于，具备处理液吸引部，该处理液吸引部被构成为连通于所述处理液保持部的内部，对保持于该内部的所述处理液进行吸引。
20.如权利要求1～19中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，具备调整部，该调整部被构成为调整所述催化剂的表面。
21.如权利要求20所述的基板处理装置，其特征在于，所述调整部具备擦洗清洗部，该擦洗清洗部被构成为以擦洗的方式清洗所述催化剂的所述表面。
22.如权利要求20或21所述的基板处理装置，其特征在于，所述调整部具备药液供给部，该药液供给部被构成为供给药液，该药液用于除去附着于所述催化剂的所述表面的蚀刻产物。
23.如权利要求20～22中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述调整部具备电解再生部，该电解再生部被构成为利用电解作用除去所述催化剂的表面的蚀刻产物，
所述电解再生部具有能够与所述催化剂电连接的电极，所述电解再生部被构成为通过在所述催化剂与所述电极之间施加电压，从而通过电解作用除去附着于所述催化剂的所述表面的蚀刻产物。
24.如权利要求20～23中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述调整部具备镀覆再生部，该镀覆再生部被构成为通过对所述催化剂镀覆与该催化剂同一种类的再生用催化剂来再生该催化剂，
所述镀覆再生部具有被构成为能够与所述催化剂电连接的电极，所述镀覆再生部被构成为在包含所述再生用催化剂的液体中浸渍有所述催化剂的状态下，通过在所述催化剂与所述电极之间施加电压，来镀覆再生所述催化剂的所述表面。
25.如权利要求1～24中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，具备监测部，该监测部监测所述基板的所述被处理区域的蚀刻处理状态。
26.如权利要求25所述的基板处理装置，其特征在于，具备控制部，该控制部被构成为进行所述基板处理装置的动作的控制，
所述控制部被构成为根据所述监测部所获得的所述蚀刻处理状态，来控制处理中的所述基板的处理条件中的至少一个参数。
27.如权利要求25所述的基板处理装置，其特征在于，所述控制部被构成为根据所述监测部所获得的所述蚀刻处理状态来决定处理的终点。
28.如权利要求25或27所述的基板处理装置，其特征在于，所述监测部具备力矩电流监测部，该力矩电流监测部根据所述催化剂保持部与所述基板保持部相对移动时的所述驱动部的力矩电流，来监测所述蚀刻处理状态。
29.如权利要求25～27中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述监测部具备光学式监测部，该光学式监测部朝向所述基板的所述被处理区域照射光，并接受在所述基板的所述被处理区域的表面反射的反射光、或穿透该基板后反射的反射光，根据该接受的光监测所述蚀刻处理状态。
30.如权利要求25～27中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述监测部具备涡电流监测部，该涡电流监测部在接近所述基板的所述表面地配置的感应线圈，流动高频电流并在所述基板产生涡电流，根据与所述基板的所述被处理区域的厚度对应的所述涡电流或合成阻抗的变化，来监测所述蚀刻处理状态。
31.如权利要求1～30中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，具备电位调整部，该电位调整部具有参考电极，该电位调整部被构成为经由所述处理液将所述催化剂与所述参照电极电化学地连接，来控制所述催化剂的所述表面的电位。
32.如权利要求1～31中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述催化剂保持部具备球状体或圆柱体，在该球状体的球面或该圆柱体的周面形成有所述催化剂的层，
所述球状体或圆柱体被构成为在所述基板保持部与所述催化剂保持部相对移动时，被保持成能够随着该相对移动而旋转。
33.如权利要求32所述的基板处理装置，其特征在于，所述球状体或所述圆柱体在内部具备弹性体。
34.一种基板处理系统，其特征在于，具备：
如权利要求1～33中任一项所述的基板处理装置；
基板清洗部，被构成为清洗所述基板；以及
基板搬送部，搬送所述基板。
35.如权利要求34所述的基板处理系统，其特征在于，所述基板处理装置至少是权利要求14所述的基板处理装置，该基板处理系统具备检测部，该检测部被构成为检测所述基板的凹口、定向平面及激光标记中的至少一者。
36.如权利要求34或35所述的基板处理系统，其特征在于，具备厚度测量部，该厚度测量部被构成为测量由所述基板处理装置处理后的所述基板的所述被处理区域的厚度。
37.如权利要求36所述的基板处理系统，其特征在于，具备第一参数设定部，该第一参数设定部被构成为根据所述厚度测量部的测量结果，来设定在所述基板处理装置中在下次实施的研磨处理中所使用的控制参数。
38.如权利要求37所述的基板处理系统，其特征在于，所述第一参数设定部根据基于所述厚度测量部的测量结果而获得的所述被处理区域的厚度分布、与预定目标厚度分布的差分，来修正控制参数。
39.如权利要求35～38中任一项所述的基板处理系统，其特征在于，具备再处理控制部，该再处理控制部被构成为在所述厚度测量部的测量结果尚未满足规定基准的情况下，对由所述基板处理装置处理后的所述基板进行再处理。
40.如权利要求34～39中任一项所述的基板处理系统，其特征在于，所述基板处理装置是权利要求25～30中任一项所述的基板处理装置，该基板处理系统具备第二参数变更部，该第二参数变更部被构成为根据所述监测部所监测的所述蚀刻处理状态，来变更在所述基板处理装置中在下次基板处理中所使用的控制参数。
41.如权利要求40所述的基板处理系统，其特征在于，所述第二参数变更部根据基于所述监测部的监测结果而获得的所述被处理区域的厚度分布、与预定目标厚度分布的差分，来变更控制参数。
42.如权利要求34～41中任一项所述的基板处理系统，其特征在于，具备化学机械研磨装置，该化学机械研磨装置研磨由所述基板处理装置进行处理前或处理后的所述基板。
43.一种基板处理装置，用于在处理液的存在下使基板与催化剂接触而处理所述基板的被处理区域，所述基板处理装置的特征在于，具备：
催化剂保持部，被构成为保持所述催化剂；以及
调整部，被构成为调整所述催化剂的表面。
44.如权利要求43所述的基板处理装置，其特征在于，所述调整部具备擦洗清洗部，该擦洗清洗部被构成为擦洗清洗所述催化剂的所述表面。
45.如权利要求43或44所述的基板处理装置，其特征在于，所述调整部具备药液供给部，该药液供给部被构成为供给药液，该药液用于除去附着于所述催化剂的所述表面的蚀刻产物。
46.如权利要求43～45中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述调整部具备电解再生部，该电解再生部被构成为利用电解作用于除去所述催化剂的表面的蚀刻产物，
所述电解再生部具有被构成为能够与所述催化剂电连接的再生用电极，所述电解再生部被构成为通过在所述催化剂与所述再生用电极之间施加电压，从而通过电解作用除去附着于所述催化剂的所述表面的蚀刻产物。
47.如权利要求43～46中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述调整部具备镀覆再生部，该镀覆再生部被构成为通过对所述催化剂镀覆与该催化剂同一种类的再生用催化剂来再生该催化剂,
所述镀覆再生部具有被构成为能够与所述催化剂电连接的再生用电极，所述镀覆再生部被构成为在包含所述再生用催化剂的液体中浸渍有所述催化剂的状态下，通过在所述催化剂与所述再生用电极间施加电压，从而通过对所述催化剂镀覆再生用催化剂，来再生所述催化剂。
48.如权利要求43所述的基板处理装置，其特征在于，所述调整部具有调整台，该调整台被配置成朝向所述催化剂的表面。
49.如权利要求48所述的基板处理装置，具有催化剂清洗喷嘴，该催化剂清洗喷嘴被构成为供给用于清洗所述催化剂的表面的水及/或药液至所述催化剂的表面。
50.如权利要求49所述的基板处理装置，其特征在于，所述催化剂清洗喷嘴被配置于所述调整台的外侧。
51.如权利要求49所述的基板处理装置，其特征在于，所述催化剂清洗喷嘴被配置于所述调整台的内侧，
所述调整台具有用于使所述水及/或药液通过所述调节台的内部的通路，所述通路与所述催化剂清洗喷嘴以流体能够流动的方式连通。
52.如权利要求48～51中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述调整部具有擦洗部件，该擦洗部件被配置于用于清洗所述催化剂的表面的所述调整台。
53.如权利要求48～52中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，具有：
电极，被构成为能够与所述催化剂电连接；
再生用电极，被配置于所述调整台；以及
电源，被构成为在所述电极及所述再生用电极之间施加电压。
54.如权利要求53所述的基板处理装置，其特征在于，被构成为将所述催化剂侧的所述电极作为正极，将所述再生用电极作为负极而施加电压，来电解蚀刻所述催化剂的表面。
55.如权利要求53所述的基板处理装置，其特征在于，被构成为将所述催化剂侧的所述电极作为负极，将所述再生用电极作为正极而施加电压，来还原所述催化剂的表面的氧化物。
56.如权利要求53所述的基板处理装置，其特征在于，被构成为具有配置于所述再生用电极上的离子交换体，在所述催化剂与所述离子交换体接近或接触状态下施加电压。
57.如权利要求48～56中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述调整台具有液体储存部，该液体储存部被构成为能够在所述调整台上保持液体。
58.如权利要求57所述的基板处理装置，其特征在于，具有超声波产生装置，该超声波产生装置被构成为将超声波照射至保持于所述液体储存部的液体。
59.如权利要求48～58中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述调整台被构成为能够旋转。
60.如权利要求48～59中任一项所述的基板处理装置，具有催化剂测量传感器，该催化剂测量传感器用于测量所述催化剂的表面的状态。
61.如权利要求60所述的基板处理装置，其特征在于，所述催化剂测量传感器包含(i)测量催化剂的电阻的电阻传感器、(ii)测量催化剂的厚度的厚度传感器、以及(iii)光学式传感器中的至少一个。
62.如权利要求43～61中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述催化剂具有金属，
所述基板处理装置具有能够与所述催化剂的所述金属电连接的电极，所述电极具有离子化倾向比所述催化剂的金属大的金属。
63.如权利要求43～61中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，具有气体供给喷嘴，该气体供给喷嘴用于将气体供给至所述催化剂的表面。
64.一种基板处理装置，用于在处理液的存在下使基板与催化剂接触而处理所述基板的被处理区域，所述基板处理装置的特征在于，具备：
基板保持部，被构成为保持所述基板；
催化剂保持部，被构成为保持所述催化剂；以及
控制部，被构成为进行所述基板处理装置的动作的控制，
所述控制部控制成，在所述基板的所述被处理区域与所述催化剂接触的状态下，使所述催化剂保持部移动至所述基板的所述被处理区域的面内方向，且所述控制部控制成，根据在所述基板的所述被处理区域上所述催化剂保持部的位置，来变更所述催化剂保持部的移动速度。
65.一种基板处理装置，用于在处理液的存在下使基板与催化剂接触而处理所述基板的被处理区域，所述基板处理装置的特征在于，具有：
基板保持台，具备用于保持所述基板的基板保持面；以及
催化剂保持部，被构成为保持所述催化剂，
所述基板保持台的所述基板保持面的面积比所述催化剂保持部的催化剂的表面的面积大，
所述基板保持台具有延长部，该延长部在所述基板保持台配置有要被处理的所述基板后，位于所述基板的外周的外侧。
66.如权利要求65所述的基板处理装置，其特征在于，在所述基板保持台的所述延长部具有调整部，该调整部被构成为调整所述催化剂的表面。
67.一种基板处理装置，用于在处理液的存在下使基板与催化剂接触而处理所述基板的被处理区域，所述基板处理装置的特征在于，具有：
基板保持台，具备用于保持所述基板的基板保持面；以及
催化剂保持部，被构成为保持所述催化剂，
所述基板保持台的所述基板保持面的面积比所述催化剂保持部的催化剂的表面的面积大，
所述催化剂保持部还具有：
倾斜传感器，用于检测所述催化剂的表面相对于所述基板保持台的所述基板保持面的倾斜；以及
倾斜修正机构，用于修正所述催化剂的表面相对于所述基板保持台的所述基板保持面的倾斜。
68.一种基板处理装置，用于在处理液的存在下使基板与催化剂接触而处理所述基板的被处理区域，所述基板处理装置的特征在于，具备：
基板保持部，被构成为保持所述基板；
催化剂保持部，被构成为保持所述催化剂；以及
处理液供给部具有供给口，该供给口用于使所述处理液通过所述催化剂保持部内而供给至所述基板的所述被处理区域上。
69.如权利要求68所述的基板处理装置，其特征在于，所述催化剂保持部具有：
缓冲部，在所述催化剂保持部内暂时保持所述处理液；以及
处理液供给部具有多个供给口，该多个供给口用于使所述处理液通过所述催化剂保持部内而供给至所述基板的所述被处理区域上，所述多个供给口与所述缓冲部以流体能够流动的方式连通。
70.一种基板处理装置，用于在处理液的存在下使基板与催化剂接触而处理所述基板的被处理区域，所述基板处理装置的特征在于，具备：
基板保持部，被构成为保持所述基板；以及
催化剂保持部，被构成为保持所述催化剂，
所述催化剂保持部具有多个沟，该多个沟被构成为在所述催化剂保持部与所述基板接触的状态下，所述处理液能够在所述催化剂保持部与所述基板之间移动。
71.如权利要求70所述的基板处理装置，其特征在于，所述多个沟的剖面形状为所述沟的开口部的宽度比所述沟的底部的宽度大的梯形形状。
72.如权利要求70或71所述的基板处理装置，其特征在于，所述多个沟具有(i)多个同心圆图案、(ii)多个放射状图案、(iii)沿交叉的不同方向延伸的多个并行线图案、以及(iv)螺旋状图案中的至少一个。
73.一种基板处理装置，用于在处理液的存在下使基板与催化剂接触，处理所述基板的被处理区域，所述基板处理装置的特征在于，具有：
基板保持部，被构成为保持所述基板；以及
催化剂保持部，被构成为保持所述催化剂，
所述催化剂保持部具有反向电极，该反向电极被构成为能够经由所述处理液与所述催化剂电连接。
74.如权利要求73所述的基板处理装置，其特征在于，所述催化剂保持部具有催化剂保持部件，该催化剂保持部件用于保持所述催化剂，
所述反向电极被配置于所述催化剂保持部件的外侧。
75.如权利要求73所述的基板处理装置，其特征在于，所述反向电极被配置成多个反向电极在所述催化剂保持部件内露出。
76.如权利要求73～75中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述催化剂保持部被构成为具有处理液保持部，该处理液保持部包围所述催化剂，并且该处理液保持部的所述基板保持部侧开口，在所述催化剂接触所述基板的状态下，所述处理液被保持于所述处理液保持部。
77.如权利要求76所述的基板处理装置，其特征在于，所述基板处理装置具有处理液供给部，该处理液供给部具有供给口，该供给口用于使所述处理液通过所述催化剂保持部内而供给至所述基板的所述被处理区域上。
78.如权利要求73～77中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，具有电压控制装置，该电压控制装置被构成为在所述催化剂与所述反向电极之间施加电压，
所述电压控制装置，为了使所述催化剂侧的电位断续地成为还原侧，在处理中将所述基板控制成比所述反向电极的电位低。
79.如权利要求73～78中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述催化剂被电性分割成多个区域，被构成为对所述多个区域中的每个区域施加不同的电压。
80.如权利要求79所述的基板处理装置，其特征在于，所述催化剂保持部被构成为能够旋转，
所述基板处理装置具有：
旋转位置传感器，检测所述催化剂保持部的旋转位置；以及
位置传感器，检测所述催化剂保持部相对于所述基板保持部的位置。
81.如权利要求80所述的基板处理装置，其特征在于，所述基板处理装置具有电压控制装置，该电压控制装置被构成为在所述催化剂的各区域与所述反向电极之间施加电压，
所述电压控制装置以如下方式进行控制：接收由所述旋转位置传感器检测的所述催化剂保持部的旋转位置、以及由所述位置传感器检测的所述催化剂保持部相对于所述基板保持部的位置，并根据所述催化剂保持部的旋转位置以及所述催化剂保持部相对于所述基板保持部的位置，而对所述催化剂的各区域独立施加电压。
82.一种基板处理装置，用于在处理液的存在下使基板与催化剂接触而处理所述基板的被处理区域，所述基板处理装置的特征在于，具有：
基板保持部，被构成为保持所述基板；以及
催化剂保持部，被构成为保持所述催化剂，
所述催化剂保持部具有多个用于保持催化剂的催化剂保持部件，
所述基板处理装置具有压力控制机构，该压力控制机构在所述基板与所述催化剂接触时，分别独立地控制多个所述催化剂保持部件，对多个所述催化剂保持部件中的每个催化剂保持部件独立地控制所述基板与所述催化剂的接触压力。
83.如权利要求82所述的基板处理装置，其特征在于，所述压力控制机构通过控制供给至多个所述催化剂保持部件的内部的流体压力或流量，来控制所述基板与所述催化剂的接触压力。
84.如权利要求82所述的基板处理装置，其特征在于，所述压力控制机构具备压电元件，该压电元件安装于多个所述催化剂保持部件，通过独立控制各压电元件来控制基板与催化剂的接触压力。
85.如权利要求82～84中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述催化剂保持部被构成为能够旋转，
所述基板处理装置具有：
旋转位置传感器，检测所述催化剂保持部的旋转位置；以及
位置传感器，检测所述催化剂保持部相对于所述基板保持部的位置。
86.如权利要求85所述的基板处理装置，其特征在于，所述压力控制机构接收由所述旋转位置传感器检测的所述催化剂保持部的旋转位置信号、以及由所述位置传感器检测的所述催化剂保持部相对于所述基板保持部的位置信号，并根据所述催化剂保持部的旋转位置以及所述催化剂保持部相对于所述基板保持部的位置，在多个所述催化剂保持部件上分别独立控制所述基板与所述催化剂的接触压力。
87.如权利要求82～86中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，多个所述催化剂保持部分别具有压力传感器，该压力传感器被构成为检测所述基板与所述催化剂的接触压力。
88.如权利要求87所述的基板处理装置，其特征在于，所述压力控制机构接收由各个所述压力传感器检测的压力信号，为了使所述基板与所述催化剂的接触压力成为规定压力分布，分别独立地控制在多个所述催化剂保持部件上所述基板与所述催化剂的接触压力。
89.一种基板处理装置，用于在处理液的存在下使基板与催化剂接触而处理所述基板的被处理区域，所述基板处理装置的特征在于，
具有催化剂保持部，该催化剂保持部被构成为保持所述催化剂，
所述催化剂保持部具有：
多个催化剂保持部件，用于保持催化剂；以及
处理液供给部具有多个处理液供给通路及处理液供给口，该多个处理液供给通路及处理液供给口用于使所述处理液通过所述催化剂保持部内而供给至所述基板的所述被处理区域上，
所述多个处理液供给通路分别被构成为能够独立地调整处理液的流量。
90.如权利要求89所述的基板处理装置，其特征在于，所述基板处理装置在所述多个处理液供给通路分别设有：流量计，用于测量处理液的流量；以及阀，用于调整处理液的流量。
91.如权利要求89或90所述的基板处理装置，其特征在于，具有压力控制机构，该压力控制机构控制成，在所述基板与所述催化剂接触时，对所述多个催化剂保持部件分别进行独立控制，对所述多个催化剂保持部件中的每个催化剂保持部件来独立地控制所述基板与所述催化剂的接触压力。
92.如权利要求91所述的基板处理装置，其特征在于，所述压力控制机构通过分别供给流体至所述多个催化剂保持部件，来控制所述基板与所述催化剂的接触压力。
93.如权利要求91所述的基板处理装置，其特征在于，所述压力控制机构具备压电元件，该压电元件安装于所述多个催化剂保持部件，所述压力控制机构通过独立地控制各压电元件来控制基板与催化剂的接触压力分布。
94.一种基板处理装置，用于在处理液的存在下使圆板状的基板与催化剂接触而处理所述基板的被处理区域，所述基板处理装置的特征在于，具备：
基板保持部，被构成为保持所述基板；
催化剂保持部，被构成为保持所述催化剂；以及
驱动部，被构成为在所述基板的所述被处理区域与所述催化剂接触的状态下，使所述基板保持部与所述催化剂保持部相对移动，
所述基板保持部具有用于保持所述基板的圆形区域，
所述催化剂保持部具备用于保持所述催化剂的催化剂保持部件，
所述催化剂保持部件在圆板状的所述基板与所述催化剂接触的状态下，是从所述基板的中心部分到外缘的一部分重叠的大致扇形或三角形。
95.如权利要求94所述的基板处理装置，其特征在于，所述驱动部被构成为能够在用于保持所述基板的圆形区域的半径方向上移动所述催化剂保持部。
96.如权利要求94或95所述的基板处理装置，其特征在于，所述催化剂保持部件具有沟，该沟被构成为在所述催化剂保持部件与所述基板接触的状态下，使所述处理液在所述催化剂保持部件与所述基板之间通过。
97.一种基板处理装置，用于在处理液的存在下使基板与催化剂接触而处理所述基板的被处理区域，所述基板处理装置的特征在于，具备：
基板保持部，被构成为保持所述基板；
催化剂保持部，被构成为保持所述催化剂；以及
驱动部，被构成为在所述基板的所述被处理区域与所述催化剂接触的状态下，使所述基板保持部与所述催化剂保持部相对移动，
所述催化剂保持部具备用于保持所述催化剂的催化剂保持部件，
所述催化剂保持部件具备多个球状体或多个圆柱体，在该球状体的球面或该圆柱体的周面形成有所述催化剂的层，
所述多个球状体或所述多个圆柱体被构成为在所述基板保持部与所述催化剂保持部相对移动时被保持成能够随着该相对移动旋转。
98.一种基板处理装置，用于在处理液的存在下使基板与催化剂接触而处理所述基板的被处理区域，所述基板处理装置的特征在于，具有：
基板保持部，被构成为保持所述基板；以及
催化剂保持部，被构成为保持所述催化剂，
所述催化剂保持部被构成为能够在相对于基板的面垂直的方向上振动。
99.如权利要求98所述的基板处理装置，其特征在于，所述催化剂保持部具有压电元件；
所述基板处理装置具有对所述压电元件施加交流电压的电源。
100.一种基板处理装置，用于在处理液的存在下使基板与催化剂接触而处理所述基板的被处理区域，所述基板处理装置的特征在于，
具有被构成为保持所述基板的基板保持部，所述基板保持部具有被构成为分别保持一片基板多个基板保持台，
所述基板处理装置具有与所述多个基板保持台中的各基板保持台关联的多个催化剂保持部，该多个催化剂保持部被构成为保持所述催化剂。
101.如权利要求100所述的基板处理装置，其特征在于，所述多个催化剂保持部中的至少一部分所述催化剂保持部保持不同种类的催化剂。
102.一种基板处理装置，用于在处理液的存在下使基板与催化剂接触而处理所述基板的被处理区域，所述基板处理装置的特征在于，具有：
基板保持部，被构成为保持所述基板；以及
多个催化剂保持部，被构成为保持所述催化剂。
103.如权利要求102所述的基板处理装置，其特征在于，具备调整部，该调整部被构成为调整所述催化剂的表面。
104.如权利要求102或103所述的基板处理装置，其特征在于，所述多个催化剂保持部中的至少一部分所述催化剂保持部能够在不同处理条件下运作。
105.如权利要求102～104中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述多个催化剂保持部中的至少一部分所述催化剂保持部的用于保持所述催化剂的区域的面积不同。
106.如权利要求102～105中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述多个催化剂保持部中的至少一部分所述催化剂保持部保持不同种类的催化剂。
107.一种基板处理装置，用于在处理液的存在下使基板与催化剂接触而处理所述基板的被处理区域，所述基板处理装置的特征在于，具有：
基板保持部，被构成为保持所述基板；
催化剂保持部，被构成为保持所述催化剂，所述催化剂用于处理保持于所述基板保持部的所述基板；以及
基板清洗部，被构成为清洗保持于所述基板保持部的所述基板。
108.一种基板处理装置，用于在处理液的存在下使基板与催化剂接触而处理所述基板的被处理区域，所述基板处理装置的特征在于，具有：
基板保持部，被构成为保持所述基板；
催化剂保持部，被构成为保持所述催化剂；以及
处理液供给部具有供给口，该供给口用于将所述处理液供给至所述基板的所述被处理区域上，
所述基板保持部的用于保持基板的区域相对于水平面倾斜规定角度，
所述处理液供给部的所述供给口，在所述基板与所述催化剂接触的状态下，在重力方向上被配置在所述催化剂保持部的上方。
109.如权利要求108所述的基板处理装置，其特征在于，所述处理液供给部被构成为所述供给口与所述催化剂保持部一起移动。
110.一种基板处理装置，用于在处理液的存在下使基板与催化剂接触而处理所述基板的被处理区域，所述基板处理装置的特征在于，
具有被构成为保持所述催化剂的催化剂保持部，
所述催化剂保持部具有用于控制所述催化剂的温度的催化剂温度控制机构。
111.如权利要求110所述的基板处理装置，其特征在于，所述催化剂温度控制机构具有帕尔帖元件。
112.一种基板处理系统，其特征在于，具有：
如权利要求1～32及权利要求43～111中任一项所述的基板处理装置；
基板清洗部，被构成为清洗所述基板；
基板干燥部，被构成为使已清洗的所述基板干燥；以及
基板搬送部，搬送所述基板。
113.如权利要求112所述的基板处理系统，其特征在于，所述基板搬送部被构成为能够分别搬送湿状态的基板与干状态的基板。
114.一种基板处理系统，其特征在于，具有：
如权利要求1～32及权利要求43～111中任一项所述的基板处理装置；以及
成膜装置，被构成为对所述基板进行成膜处理。
115.如权利要求114所述的基板处理系统，其特征在于，所述成膜装置具有化学气相沉积(CVD)装置、溅镀装置、镀覆装置以及涂布装置中的至少一个。
116.一种基板处理装置，用于在处理液的存在下使基板与催化剂接触而处理所述基板的被处理区域，所述基板处理装置的特征在于，
具有被构成为保持所述催化剂的催化剂保持部，
所述催化剂保持部具有：
弹性部件；以及
薄膜，被贴附于所述弹性部件而保持所述催化剂。
117.如权利要求116所述的基板处理装置，其特征在于，所述薄膜由树脂形成。
118.如权利要求116或117所述的基板处理装置，其特征在于，所述薄膜具有沟，该沟被构成为在所述催化剂与所述基板接触的状态下，所述处理液能够在所述基板的面内在所述催化剂与所述基板之间移动。
119.如权利要求118所述的基板处理装置，其特征在于，所述沟的剖面形状为所述沟的开口部的宽度比所述沟的底部的宽度大的梯形形状。
120.如权利要求116～119中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述催化剂保持部具有处理液供给部，该处理液供给部具有多个处理液供给通路及处理液供给口，该多个处理液供给通路及处理液供给口用于使所述处理液通过所述催化剂保持部内而供给至所述基板的所述被处理区域上。
121.一种基板处理装置，用于在处理液的存在下使基板与催化剂接触而处理所述基板的被处理区域，所述基板处理装置的特征在于，
具有被构成为保持所述催化剂的催化剂保持部，
所述催化剂保持部具有：
弹性部件；以及
配置在所述弹性部件与所述催化剂之间的比所述弹性部件硬质的材料层。
122.一种基板处理装置，用于在处理液的存在下使基板与催化剂接触而处理所述基板的被处理区域，所述基板处理装置的特征在于，
具有被构成为保持所述催化剂的催化剂保持部，
所述催化剂保持部具有：
入口通路，用于将处理液供给至所述催化剂的表面；以及
出口通路，用于从所述催化剂的表面回收处理液。
123.一种基板处理装置，用于在处理液的存在下使基板与催化剂接触而处理所述基板的被处理区域，所述基板处理装置的特征在于，具备监测部，该监测部监测所述基板的所述被处理区域的蚀刻处理状态。
124.如权利要求123所述的基板处理装置，其特征在于，具备被构成为进行所述基板处理装置的动作控制的控制部，
所述控制部被构成为基于由所述监测部所获得的所述蚀刻状态，来控制处理中的所述基板的处理条件的至少一个参数。
125.如权利要求123所述的基板处理装置，其特征在于，所述控制部被构成为根据所述监测部所获得的所述蚀刻处理状态来决定处理终点。
126.如权利要求123或125所述的基板处理装置，其特征在于，所述基板处理装置具有被构成为保持所述催化剂的催化剂保持部，
所述监测部具备力矩电流监测部，该力矩电流监测部根据所述催化剂保持部与所述基板保持部相对移动时的所述驱动部的力矩电流，来监测所述蚀刻处理状态。
127.如权利要求123所述的基板处理装置，其特征在于，具有：
基板保持部，被构成为保持所述基板；以及
催化剂保持部，被构成为保持所述催化剂，
所述监测部具备力矩电流监测部，该矩电流监测部根据使所述催化剂保持部旋转驱动时的力矩电流、或使所述基板保持部旋转驱动的力矩电流中的至少一者的力矩电流，来监测所述蚀刻处理状态。
128.如权利要求123所述的基板处理装置，其特征在于，具有：
基板保持部，被构成为保持所述基板；以及
催化剂保持部，被构成为保持所述催化剂，
所述监测部具有配备于所述催化剂保持部的振动传感器，所述振动传感器被构成为检测所述基板保持部与所述催化剂保持部相对移动时的振动，所述监测部被构成为通过振动传感器检测振动变化，来监测所述蚀刻处理状态。
129.一种基板处理装置，用于在处理液的存在下使基板与催化剂接触而处理所述基板的被处理区域，所述基板处理装置的特征在于，
具备被构成为保持所述催化剂的催化剂保持部，
所述催化剂保持部具有：盘片夹具部；以及催化剂盘片部，以能够相对于所述盘片夹具部拆除的状态连接于所述盘片夹具部，
所述催化剂盘片部具有：催化剂保持部件，在表面保持所述催化剂；催化剂电极，被电连接于所述催化剂；以及反向电极，
所述盘片夹具部具有：催化剂电极用配线，被电连接于所述催化剂电极；以及反向电极用配线，被电连接于所述反向电极，
所述盘片夹具部还具有：在所述盘片夹具部与所述催化剂盘片部被连接时用于将所述催化剂电极电连接于所述催化剂电极用配线的接触探针；以及用于将所述反向电极电连接于所述反向电极用配线的接触探针，
所述基板处理装置具有电源，该电源用于在所述催化剂电极与所述反向电极之间施加电压。
130.一种基板处理装置，用于在处理液的存在下使基板与催化剂接触而处理所述基板的被处理区域，所述基板处理装置的特征在于，具有：
催化剂保持部，被构成为保持所述催化剂；以及
摇动臂，能够在与所述基板的面垂直的方向上移动所述催化剂保持部，并且该摇动臂安装于所述催化剂保持部，
所述摇动臂具有测力器，该测力器被构成为测量使所述催化剂保持部的所述催化剂接触所述基板时的接触压力。
131.如权利要求130的基板处理装置，其特征在于，具有PID控制器，该PID控制器根据由所述测力器测量的接触压力来控制所述催化剂与所述基板的接触压力。
132.如权利要求130的基板处理装置，其特征在于，所述摇动臂具有罩，该罩包围整个所述摇动臂，所述摇动臂被构成为能够将空气及/或氮气供给至所述罩内。
133.一种基板处理装置，用于在处理液的存在下使基板与催化剂接触而处理所述基板的被处理区域，所述基板处理装置的特征在于，
具有被构成为保持所述基板的基板保持部，
所述基板保持部具有：
基板保持台；以及
真空吸附板，用于通过真空吸附将所述基板保持在所述基板保持台，所述真空吸附板具有吸附孔，
所述基板保持部具有真空管线，该真空管线与所述真空吸附板的所述吸附孔以流体能够流动的方式连通，
所述真空管线被构成为能够通过真空吸引将所述基板真空吸附于所述真空吸附板，且能够通过将水及/或空气、氮气供给至所述真空管线来解除真空吸附。
134.一种基板处理方法，用于在处理液的存在下使基板与催化剂接触而处理所述基板的被处理区域，所述基板处理方法的特征在于，具有如下步骤：
将所述处理液供给至所述基板的被处理区域；
使所述催化剂接触所述基板的被处理区域；
在所述基板与所述催化剂接触的状态下，使所述基板与所述催化剂相对移动；
以药液清洗所述基板；
以水清洗所述基板；以及
在以药液或水清洗所述基板时，调整所述催化剂的表面。