技术总结
半导体装置(100)包括设置在基板上的薄膜晶体管(5)，该薄膜晶体管(5)具有栅极电极(12)、与栅极电极接触的栅极绝缘层(20)、隔着栅极绝缘层以与栅极电极部分地重叠的方式配置的氧化物半导体层(18)、源极电极(14)和漏极电极(16)，氧化物半导体层(18)包括：在从基板法线方向看时与栅极电极重叠的栅极相对区域(18g)；和与栅极相对区域相邻设置且在从基板法线方向看时与栅极电极、源极电极和漏极电极中的任一个都不重叠的偏移区域(18os、18od)，栅极相对区域的载流子浓度为1×1017/cm3以上1×1019/cm3以下。
技术研发人员：织田明博
受保护的技术使用者：夏普株式会社
文档号码：201580028517
技术研发日：2015.05.28
技术公布日：2017.02.15