技术总结
该发光元件至少具有：GaN衬底(11)；第一光反射层(41)，其形成所述GaN衬底(11)上，并且用作选择性生长掩膜层(44)；形成在所述第一光反射层上的第一化合物半导体层(21)、有源层(23)以及第二化合物半导体层(22)；以及形成在所述第二化合物半导体层(22)上的第二电极(32)和第二光反射层(42)。所述GaN衬底(11)表面的平面方向的离角等于或小于0.4°，所述第一光反射层(41)的面积等于或小于0.8S0，其中，所述GaN衬底(11)的面积由S0表示，并且作为所述第一光反射层的最低层(41A)，热膨胀缓解薄膜(44)形成在所述GaN衬底(11)上。
技术研发人员：风田川统之;滨口达史;泉将一郎;仓本大
受保护的技术使用者：索尼公司
文档号码：201580031161
技术研发日：2015.04.16
技术公布日：2017.05.10