片式电子元件及其制造方法
【专利说明】片式电子元件及其制造方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2014年3月7日递交于韩国知识产权局的韩国专利申请N0.10-2014-0027292的权益，该韩国专利通过引用被合并于本申请中。
【背景技术】
[0003]本公开涉及一种片式电子元件及其制造方法。
[0004]电感器，它是片式电子元件之一，是一种典型的无源器件，与电阻和电容一起形成电子电路来移除噪声。这种电感器可以与电容器结合，利用电磁特性来配置放大特定频带中的信号的谐振电路、滤波电路等等。
[0005]目前，随着信息技术(IT)设备如各种通信设备，显示器等等的小型化和纤薄化的趋势的发展，对在IT设备中使用的各种器件，如电感器，电容器，晶体管等等的小型化和纤薄化的技术研究在不断被展开。电感器已经被具有小尺寸和高密度并且能够自动贴装的芯片迅速替代，通过将磁粉和树脂混合、并将该混合物施加到通过电镀形成在薄膜绝缘衬底的上表面和下表面上的线圈图案(pattern)而形成的薄型电感器的发展已经被实施。
[0006]根据上文描述的薄型电感器，线圈图案被形成在绝缘衬底上，然后绝缘层被形成在其上，以防止线圈图案和外部磁性材料之间的接触。
[0007]但是，在根据相关技术通过层压法等而形成绝缘材料的情况下，需要足够宽度的绝缘层以便形成绝缘层到线圈的较低部分。由于由外部磁性材料占有的体积依照绝缘层的宽度的增加而被减小，可能会引起如电感器的电感减小等等的缺陷的发生。
[0008]因此，薄型电感器的发展一直以这样的方式:通过减小绝缘层的厚度来增加电感。然而，在应用以最小厚度形成绝缘层的方法的情况下，可能会形成线圈的非绝缘区域。
[0009]由于如上文描述的非绝缘区域的形成，通过金属磁性材料(其为磁性原料)等和线圈图案之间的直接接触，可能会产生漏电流。因此，由于漏电流的产生，在IMHz的频率可以呈现正常的电感，但是在高频条件下可能会迅速减小，从而出现有缺陷的波形。
[0010]因此，根据相关技术，执行用于防止线圈的非绝缘缺陷的单独附加绝缘过程，但也存在过程复杂、加工性恶化的问题，并且对于缺陷的改善是微不足道的。
[0011]相关技术文件
[0012](专利文件I)日本专利公开出版物N0.2005-210010
[0013](专利文件2)日本专利公开出版物N0.2008-166455
【发明内容】
[0014]本公开的一方面可以提供一种片式电子元件及其制造方法，该片式电子元件能够减少由于没有单独的附加绝缘过程的薄绝缘层的形成引起的非绝缘缺陷，从而防止在高频的缺陷波形，且能够增加电感器的电感，等等。
[0015]根据本公开的一方面，片式电子元件的制造方法可以包括:在绝缘衬底的至少一个表面上形成线圈图案部；形成薄聚合物绝缘膜以遵循线圈图案部的表面形状；在磁片的一个表面上形成底漆绝缘层；在其上形成有线圈图案部的绝缘衬底的上部和下部上安置其上形成有底漆绝缘层的磁片，并且压制磁片来形成其中附加绝缘膜被形成在所述线圈图案部上的磁体；以及在磁体的至少一个端面上形成外部电极以便连接至线圈图案部。
[0016]附加绝缘膜可以被形成在薄聚合物绝缘膜上以遵循线圈图案部的表面形状。
[0017]附加绝缘膜可以被形成以覆盖其上形成有薄聚合物绝缘膜的线圈图案部的整体。
[0018]薄聚合物绝缘膜通过化学气相沉积(CVD)法被形成。
[0019]薄聚合物绝缘膜可以包括选自由聚(对苯二甲)、环氧树脂、聚酰亚胺树脂、苯氧基树脂、聚砜树脂以及聚碳酸酯树脂组成的组中的一个或多个。
[0020]底漆绝缘层可以包括选自由环氧树脂、聚酰亚胺树脂、苯氧基树脂、聚砜树脂以及聚碳酸酯树脂组成的组中的一个或多个。
[0021 ] 底漆绝缘层可以包括填充物。
[0022]薄聚合物绝缘膜可以被形成以具有I μ m至3 μ m的厚度。
[0023]底漆绝缘层可以具有I μ m至5 μ m的厚度。
[0024]磁性材料可以填充其上形成有所述薄聚合物绝缘膜和附加绝缘膜的线圈图案部的线圈部分之间的区域。
[0025]根据本公开的又一方面，一种片式电子元件可以包括:磁体，该磁体包括绝缘衬底；线圈图案部，形成在绝缘衬底的至少一个表面上；绝缘膜，形成在线圈图案部的表面上；以及外部电极，形成在磁体的至少一个端面上，且连接至线圈图案部，其中，绝缘膜包括薄聚合物绝缘膜以及附加绝缘膜，薄聚合物绝缘膜形成在线圈图案部的表面上以遵循线圈图案部的表面形状，附加绝缘膜形成在其上形成有所述薄聚合物绝缘膜的线圈图案部上以遵循线圈图案部的表面形状。
[0026]附加绝缘膜可以被形成以覆盖其上形成有薄聚合物绝缘膜的线圈图案部的整体。
[0027]薄聚合物绝缘膜可以包括选自由聚(对苯二甲)、环氧树脂、聚酰亚胺树脂、苯氧基树脂、聚砜树脂以及聚碳酸酯树脂组成的组中的一个或多个。
[0028]附加绝缘膜可以包括选自由环氧树脂、聚酰亚胺树脂、苯氧基树脂、聚砜树脂以及聚碳酸酯树脂组成的组中的一个或多个。
[0029]附加绝缘膜可以包括填充物。
[0030]薄聚合物绝缘膜可以被形成以具有I μ m至3 μ m的厚度。
[0031]附加绝缘膜可以具有I μ m至5 μ m的厚度。
[0032]磁性材料可以填充其上形成有所述薄聚合物绝缘膜和附加绝缘膜的线圈图案部的线圈部分之间的区域。
【附图说明】
[0033]根据以下结合附图的详细描述将更清楚地理解本公开的上述和其他方面、特征和其他优点，其中:
[0034]图1至4是顺序地示出了根据本公开示例性实施方式的片式电子元件的制造方法的视图；
[0035]图5是示出了根据本公开示例实施方式的片式电子元件的示意透视图，其中线圈图案部被不出；
[0036]图6是沿着图5的直线1-1’的横截面视图。
【具体实施方式】
[0037]现在将参考附图对本公开的示例性实施方式进行详细描述。
[0038]本公开可能以多种不同形式举例说明，但是不应该被理解为限制为这里所述的特定的实施方式。更确切地说，提供这些实施例使得本公开将是彻底和完整的，并且将为本领域技术人员充分地传达本公开的范围。
[0039]附图中，为了清楚，元件的形状和尺寸可能被夸大的，并且相同的标号将始终用于表示相同或相似的元件。
[0040]片式电子元件的制造方法
[0041]图1至4是顺序地示出了根据本公开示例性实施方式的片式电子元件的制造方法的视图；
[0042]参考图1，首先，线圈图案部40可以形成在绝缘衬底20的至少一个表面上。
[0043]绝缘衬底20不被特别地限定。例如，可以使用聚丙二醇(PPG)衬底、铁素体衬底、基于金属的软磁材料或者类似的作为绝缘衬底20，并且绝缘衬底可以具有40至100 μ Π?μ m的厚度。
[0044]可以使用例如电镀法作为形成线圈图案部40的方法，但是本公开不限于此。线圈图案部40可以由具有良好的导电性的金属形成。例如，可以使用银(Ag)，钯(Pd)，铝(Al)，镍(Ni),钛(Ti),金(Au),铜(Cu),或钼(Pt),或者它们的混合等等。
[0045]通孔电极(via electrode)45可以通过在绝缘衬底20的部分形成孔并且使用导电材料填充孔来形成，由此形成在绝缘衬底20的一个表面上的线圈图案部40和形成在绝缘衬底20的另一表面是哪个的线圈图案部40通过通孔电极45可以彼此电连接。
[0046]通过对绝缘衬底20的中心部分执行钻孔工艺、激光工艺、喷砂工艺或者冲压工艺等等，穿透绝缘衬底20的过孔(through hole) 55可以被形成在绝缘衬底20的中心部分中。
[0047]参考图2，薄聚合物绝缘膜31可以被形成在线圈图案部40上以遵循线圈图案部40的表面形状。
[0048]通过化学气相沉积(CVD)法或浸溃法，使用低粘度聚合物涂层溶液，可以形成薄聚合物绝缘膜31。
[0049]在通过CVD法或浸溃法，使用