低粘度聚合物涂层溶液形成绝缘膜的情况下，形成的薄聚合物绝缘膜31的表面可以被薄薄地形成以遵循线圈图案部40的表面形状。
[0050]在应用CVD法的情况下，可以使用其中二聚体在120°C至180°C以汽相存在并且在650°C至700°C裂解为单体的化合物形成薄聚合物绝缘膜31。例如，可以使用聚(对苯二甲)。
[0051]可以使用任何聚合物作为在使用低粘度聚合物的浸溃法中使用的聚合物，只要该聚合物可以形成薄绝缘膜。例如，环氧树脂，聚酰亚胺树脂，苯氧基树脂，聚砜树脂，聚碳酸酯树脂等等，可以被单独使用或者它们的组合可以被使用。
[0052]薄聚合物绝缘膜31可以被形成以具有3μπι或更小的厚度，更优选地是Ιμπι至3 μ m0
[0053]在形成的薄聚合物绝缘膜31的厚度小于I μ m的情况下，在磁层的安置和压制过程期间，绝缘膜可能受损，以致由于线圈图案部4和外部磁性材料之间的接触而产生有缺陷波形，而在形成的薄聚合物绝缘膜31的厚度大于3μπι的情况下，由磁性材料所占有的体积可以依照绝缘膜的厚度的增加而减小，以致出现对电感的增加的限制。
[0054]参考图3，底漆(primer)绝缘层32’可以形成在磁片51的一个表面上，并且其上形成有底漆绝缘层32’的磁片51可以被安置在其上形成有线圈图案部40的绝缘衬底20的上部和下部，然后被压制。
[0055]因此，磁体50可以被形成，其中附加绝缘膜32被形成在其上形成有薄聚合物绝缘膜31的线圈图案部40上。
[0056]在薄聚合物绝缘膜31被形成为具有小的厚度以便增加填充有磁性材料的体积的情况下，可以部分地形成非绝缘区域，从而产生有缺陷波形。因此，根据本公开的示例性实施方式，由于通过在磁片51的一个表面上形成底漆绝缘层32’以及将其上形成有底漆绝缘层32’的磁片51安置和压制在绝缘衬底20上，附加绝缘膜32可以被形成在线圈图案部40上，而不需要单独的附加绝缘过程，藉此可以减小由线圈的非绝缘引起的缺陷。
[0057]在具有底漆绝缘层32’被形成在其上的一个表面的磁片51的安置和压制过程期间，附加绝缘膜32可以被形成在薄聚合物绝缘膜31上以遵循线圈图案部40的表面形状。
[0058]由于如上所述形成的附加绝缘膜32可以覆盖线圈图案部40的整体，因此可以显著减小非绝缘区域。
[0059]底漆绝缘层32’可以由任意材料形成，而没有限制，只要这种材料可以一般地被用作绝缘膜的材料。例如，底漆绝缘层32’可以包括从由环氧树脂、聚酰亚胺树脂、苯氧基树月旨、聚砜树脂、聚碳酸酯树脂等组成的组中选择的任意一个或多个。
[0060]同时，底漆绝缘层32’还可以包括填充物。
[0061]由于底漆绝缘层32’被制造成片状的，并且被形成在磁片51的一个表面上，所以可以增加填充物以便改善片状的可成形性等等。
[0062]通过增加填充物，片状形式的底漆绝缘层32’的可成形性和绝缘性能可以被改善。
[0063]任意材料可以被用作填充物，而没有限制，只要该材料可以改善可成形性并且具有绝缘性能。例如，可以使用二氧化硅等等。
[0064]底漆绝缘层32’的厚度可以是I μ m至5 μ m。
[0065]在底漆绝缘层32’的厚度小于I μ m的情况下，形成覆盖线圈图案部40的整体的附加绝缘膜32是困难的，以致显著减小非绝缘区域可能是困难的，而在底漆绝缘层32’的厚度大于5μπι的情况下，由磁性材料所占有的体积可能依照绝缘膜的厚度的增加而被减小，以致可能存在对电感的增加的限制。
[0066]具有底漆绝缘层32’被形成在其上的一个表面的磁片51可以堆叠在其上形成有线圈图案部40的绝缘衬底20的两个表面上，以及然后通过层压法或者等静压制法被压制。在这种情况下，过孔55可以形成填充有磁性材料的核心部件。
[0067]此外，磁性材料可以填充其上形成有薄聚合物绝缘膜31和附加绝缘膜32的线圈图案部40的线圈部分之间的区域。
[0068]由于薄聚合物绝缘膜31和附加绝缘膜32的表面被薄薄地形成以遵循线圈图案部40的表面形状，在线圈部分之间的区域中形成空间。在磁层的安置和压制过程期间，磁性材料可以填充该空间。由于磁性材料填充线圈图案部40的线圈部分之间的区域，由磁性材料占有的体积被增加，以致电感可以依照磁性材料的体积的增加而增加。
[0069]参考图4，外部电极80被形成以连接至线圈图案部40，暴露磁体50的至少一个端面。
[0070]外部电极80可以使用包括具有良好的导电性的金属的胶合物(paste)形成，并且该胶合物可以是单独包括例如镍(Ni)、铜(Cu)、锡(Sn)、或银(Ag)或者包括它们的合金的导电胶。根据外部电极80的形状，外部电极80的可以通过浸溃法等和打印法形成。
[0071]片式电子元件
[0072]下文中，将会描述根据本公开示例性实施方式的片式电子元件。特别地，薄型电感器将被举例描述，但是本公开并不限制于此。
[0073]图5是示出了根据本公开示例性实施方式的片式电子元件的示意透视图，其中示出了内部线圈部；图6是沿着图5的直线1-1’的横截面视图。
[0074]参考图5和图6，作为片式电子元件的示例，用于电源电路的电源线中的薄型电感器100被公开。除片式电感器外，片式磁珠，片式滤波器等等可以被适当的用作片式电子元件。
[0075]薄型电感器100可以包括磁体50、绝缘衬底20、线圈图案部40以及外部电极80。
[0076]磁体50可以形成薄型片式电感器100的外部，并且可以由任意能够显示磁特性的材料形成。例如，磁体50可以通过填充铁素体材料或基于金属的软磁材料形成。
[0077]铁素体材料的示例可以包括在本领域中公知的铁素体，例如基于Mn-Zn的铁素体、基于N1-Zn的铁素体、基于N1-Zn-Cu的铁素体、基于Mn-Mg的铁素体、基于Ba的铁素体、基于Li的铁素体等等。
[0078]基于金属的软磁材料可以是包含从由Fe、S1、Cr、Al和Ni组成的组中选择的至少一种的合金。例如，基于金属的软磁材料可以包含基于Fe-S1-B-Cr的非晶态金属颗粒,但是并不限制于此。
[0079]基于金属的软磁材料可以具有0.1 μ m至30 μ m的粒径，并且可以以颗粒分散在聚合物(例如环氧树脂，聚酰亚胺等等)上的形式被包含。
[0080]磁体50可以具有六面体形状，且为了清楚描述本公开的示例性实施方式，六面体的方向将被定义。图5所示的L、W和T分别指的是长度方向、宽度方向以及厚度方向。磁体50可以具有长度大于宽度的长方体形状。
[0081]形成在磁体50中的绝缘衬底20可以是例如聚丙二醇(PPG)衬底、铁素体衬底、基于金属的软磁材料等等。
[0082]孔穿透绝缘衬底20的中央部分以形成过孔55，且过孔55可以由磁性材料填充，例如铁素体材料或者基于金属的软磁材料等等，从而形成核心部件。由磁性材料填充的核心部件可以被形成，以致电感L可以得到改善。
[0083]具有线圈状图案的线圈图案部40可以被形成在绝缘衬底20的一个表面上，并且具有线圈状图案的线圈图案部40还可以被形成在绝缘衬底20的另一个表面上。
[0084]在线圈图案部40中，线圈图案可以以螺旋形形成。通过形成在绝缘衬底20中的通孔电极45，形成在绝缘衬底20的一个表面上的线圈图案部40和形成在绝缘衬底20的另一个表面上的线圈图案部40可以彼此电连接。
[0085]线圈图案部40和通孔电极45可以由具有良好的导电性的金属形成。例如，线圈图案部40和通孔电极45可以由银(Ag)、钯(Pd)、铝(Al)、镍(Ni)、钛(Ti)、金(Au)、铜(Cu)、钼(Pt)、它们的合金等等形成。
[0086]覆盖线圈图案部40的薄聚合物绝缘膜31可以被形成在线圈图案部40的表面上。
[0087]薄聚合物绝缘膜31的表面被形成以遵循线圈图案部40的表面形状。薄聚合物绝缘膜31的表面被形成以遵循线圈图案部40的表面形状，意味着在如图6所示的薄聚合物绝缘膜31被薄薄地涂覆以遵循线圈图案部40的表面形状的情况下，薄聚合物绝缘膜31的表面以类似的方式被形成。
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