技术特征：
技术总结
本发明提供一种半导体结构的制备方法，包括：提供基底；在基底表面形成籽晶层；使用光刻胶剥离液对籽晶层表面进行处理；在光刻胶剥离液处理后的籽晶层上涂覆第一光刻胶层；图形化第一光刻胶层，以在第一光刻胶层内形成与后续要形成的重新布线层相对应的第一开口；在第一开口内形成重新布线层。通过在籽晶层上涂覆光刻胶层之前使用光刻胶剥离液对籽晶层表面进行处理，即可以去除籽晶层表面的氧化物，有效地避免在电镀过程中氧化物与酸性物质发生反应而导致光刻胶层倒掉情况的发生，又可以增加籽晶层表面的粗糙度，进而增加光刻胶层与籽晶层的粘结力，防止光刻胶层倒掉情况的发生，从而避免了后续重新布线层中桥接缺陷的产生。
技术研发人员：薛兴涛;何智清
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
技术研发日：2016.01.06
技术公布日：2017.07.14