1.一种晶圆减薄方法，其特征在于，具体按以下步骤进行：
步骤1：取聚酰亚氨溶液，再按所取聚酰亚氨溶液质量的20%取聚四氟乙稀，聚四氟乙稀加入聚酰亚氨溶液中，滚动搅拌均匀，形成涂覆液；将涂覆液均匀涂覆在原始晶圆（1）正面以及边缘的倒角上，使涂覆液与原始晶圆片（1）正面以及边缘的倒角紧密粘贴，在60℃温度下烘烤20min，涂覆液硬化形成覆盖层（5），对原始晶圆片（1）上的芯片实现无缝隙保护；
或者，取聚四氟乙稀UV胶膜，将聚四氟乙稀UV胶膜覆盖于原始晶圆片（1）正面，在50℃温度下烘烤10min，聚四氟乙稀UV胶膜软化后，去除聚四氟乙稀UV胶膜与原始晶圆片（1）边缘倒角之间形成的空隙（3）中的气泡，使聚四氟乙稀UV胶膜紧密粘贴在原始晶圆片（1）正面以及边缘的倒角上，形成覆盖层（5），对原始晶圆片（1）上的芯片实现无缝隙保护；
步骤2：按现有的粗磨工艺对原始晶圆片（1）进行粗磨；
步骤3：按现有的细磨工艺对粗磨后的原始晶圆片（1）进行细磨；
步骤4：对覆盖层（5）进行光照，使覆盖层（5）裂化；
步骤5：等离子清洗去除裂化的覆盖层（5），即得减薄后的晶圆。
2.根据权利要求1所述的晶圆减薄方法，其特征在于，细磨后，如果有必要需进行抛光，使晶圆背面的粗糙度≤5μm。