技术总结
本发明公开了一种NAND存储器结构的形成方法，该形成方法包括以下步骤：提供半导体衬底，在衬底之中形成的多组源极选择晶体管；在源极选择晶体管之上形成纵向叠层结构的存储单元，纵向叠层结构的存储单元包括垂直沟道、多层存储栅介质、形成在垂直沟道之外的位线选择管栅极和叠层字线，其中，源极选择晶体管的漏极与垂直沟道底部的多层存储栅介质接触；在纵向叠层结构的存储单元之上形成位线；通过位线和叠层字线向源极选择晶体管的漏极与垂直沟道之间的多层存储栅介质施加击穿电压。该NAND存储器的形成方法，可以降低工艺难度，降低成本，提高集成密度。本发明还公开一种NAND存储器结构及其形成方法和三维存储器阵列。
技术研发人员：潘立阳
受保护的技术使用者：清华大学
文档号码：201610245529
技术研发日：2016.04.19
技术公布日：2017.02.15