技术特征：
技术总结
本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，包括相邻的第一区域和第二区域，基底包括：衬底和第一鳍部，第一鳍部包括第一侧和第二侧，第一侧朝向第二区域；在第二区域形成图形层，图形层覆盖所述第二区域或暴露出邻近第一区域的部分第二区域；以图形层为掩膜，向第一鳍部一侧侧壁进行离子注入，在第一鳍部底部注入掺杂离子；当图形层暴露出邻近第一区域的部分第二区域时，向第一侧侧壁进行离子注入；当图形层覆盖第二区域时，向第二侧侧壁进行离子注入；进行扩散处理，使掺杂离子在第一鳍部中扩散。其中，对第一鳍部一侧进行离子注入，容易避免光刻胶的阻挡使掺杂离子注入到鳍部底部，从而能够降低第一鳍部侧壁掺杂浓度的不均匀性。
技术研发人员：周飞
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
技术研发日：2016.07.04
技术公布日：2018.01.12