技术总结
本发明公开了一种高效率发光的纳米ZnO/AlN异质结的制备方法，其步骤如下：一、将衬底浸入浓硫酸和双氧水混合溶液中，在80～100℃保温5～15min，去除表面氧化物，然后分别在丙酮、去离子水以及乙醇溶液中各超声清洗5～15min，浸泡在乙醇中待用；二、通过磁控溅射技术在衬底上制备氧化锌种子层；三、通过化学溶液法在溅射有氧化锌种子层的衬底上生长氧化锌纳米阵列；四、通过磁控溅射技术在氧化锌纳米阵列上溅射氮化铝薄膜，形成ZnO/AlN异质结。本发明获得了低成本高效发光的ZnO/AlN异质结，其光致发光性能十分显著，可为ZnO低维结构材料在高量子效率光电器件方面，特别是高效蓝光LED的应用方面提供有效的技术支撑。
技术研发人员：王金忠;赵迎春;王琳
受保护的技术使用者：哈尔滨工业大学
文档号码：201610587257
技术研发日：2016.07.25
技术公布日：2016.12.07