1.一种半导体存储装置，其特征在于包括：
衬底；
积层体，设置在所述衬底上，具有相互分离地积层的多个电极层；
多个柱状部，设置在所述积层体内，沿着所述积层体的积层方向而延伸；及
配线部，设置在所述积层体内，沿着第1方向而延伸；且
相邻的所述柱状部并不沿着所述第1方向而配置。
2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：
进而具备第1配线，设置在所述多个柱状部上，沿着相对于所述第1方向相交的第2方向延伸。
3.一种半导体存储装置，其特征在于包括：
衬底；
积层体，设置在所述衬底上，具有相互分离地积层的多个电极层；
多个柱状部，设置在所述积层体内，沿着所述积层体的积层方向而延伸；及
配线部，设置在所述积层体内，沿着第1方向而延伸；且
所述多个柱状部的中心是相对于多个基准点向第2方向或第3方向偏移地设置，该第2方向相对于所述第1方向相交，该第3方向相对于所述第1方向相交且相对于所述第2方向为相反方向；
所述多个基准点具有：多个第1基准点；多个第2基准点，相对于所述多个第1基准点而位于所述第2方向上；多个第3基准点，相对于所述多个第1基准点而位于向所述第2方向以第1角度倾斜的第4方向上；及多个第4基准点，相对于所述多个第1基准点而位于向所述第3方向以所述第1角度倾斜的第5方向上；
在设定了沿着所述第1方向延伸的假想的第1直线、第2直线、第3直线及第4直线时，所述多个第1基准点、所述多个第2基准点、所述多个第3基准点及所述多个第4基准点分别位于所述第1直线、所述第2直线、所述第3直线及所述第4直线上；
所述多个柱状部是沿着多个列而设置，
所述多个列具有第1列、在所述第2方向上与所述第1列相邻的第2列、在所述第2方向上与所述第2列相邻的第3列、及在所述第2方向上与所述第3列相邻的第4列，
所述第1列的第1柱状部的中心是相对于第4基准点向所述第2方向偏移地设置，与所述第1列的所述第1柱状部相邻的所述第1列的第2柱状部的中心是相对于第4基准点向所述第3方向偏移地设置；
所述第2列的第3柱状部的中心是相对于第1基准点向所述第3方向偏移地设置，与所述第2列的所述第3柱状部相邻的所述第2列的第4柱状部的中心是相对于第1基准点向所述第2方向偏移地设置；
所述第3列的第5柱状部的中心是相对于第3基准点向所述第2方向偏移地设置，与所述第3列的所述第5柱状部相邻的第3列的第6柱状部的中心是相对于第3基准点向所述第3方向偏移地设置；
所述第4列的第7柱状部的中心是相对于第2基准点向所述第3方向偏移地设置，与所述第4列的所述第7柱状部相邻的所述第4列的第8柱状部的中心是相对于第2基准点向所述第2方向偏移地设置。
4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其特征在于：
所述第1角度为30度。
5.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其特征在于：
所述多个基准点为格子体的交点。
6.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其特征在于：
进而具备第1配线，设置在所述多个柱状部上，沿着所述第2方向而延伸；且所述多个列具有在所述第2方向上与所述第4列相邻的第5列，
所述第5列的所述多个柱状部并不连接于所述第1配线。
7.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其特征在于：
所述多个柱状部具有半导体部、及设置在所述半导体部与所述积层体之间的存储膜。
8.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其特征在于：
进而具备第1配线，设置在所述多个柱状部上，沿着所述第2方向而延伸。
9.一种半导体存储装置，其特征在于包括：
衬底；
积层体，设置在所述衬底上，具有相互分离地积层的多个电极层；
多个列，设置在所述积层体内，分别具有沿着所述积层体的积层方向延伸的多个柱状部；
配线部，设置在所述积层体内，沿着第1方向而延伸；及
第1配线，设置在所述多个柱状部上，沿着相对于所述第1方向相交的第2方向延伸；且
所述多个列具有第1列、在所述第2方向上与所述第1列相邻的第2列、在所述第2方向上与所述第2列相邻的第3列、及在所述第2方向上与所述第3列相邻的第4列，
各列的所述多个柱状部是以并不沿着所述第1方向而配置的方式设置，
在设定了沿着所述第2方向延伸的假想的第1直线时，所述第1列的第1柱状部、及所述第2列的第2柱状部配置在所述第1直线上，
在设定了沿着所述第2方向延伸的假想的第2直线时，与所述第1列的所述第1柱状部相邻的所述第1列的第3柱状部、及与所述第2列的所述第2柱状部相邻的所述第2列的第4柱状部配置在所述第2直线上，
在设定了沿着所述第2方向延伸的假想的第3直线时，所述第3列的第5柱状部、及所述第4列的第6柱状部配置在所述第3直线上，
在设定了沿着所述第2方向延伸的假想的第4直线时，与所述第3列的所述第5柱状部相邻的所述第3列的第7柱状部、及与所述第4列的所述第6柱状部相邻的所述第4列的第8柱状部配置在所述第4直线上。
10.根据权利要求9所述的半导体存储装置，其特征在于：
所述第2直线位于所述第3直线与所述第4直线之间，且
所述第3直线位于所述第1直线与所述第2直线之间。
11.根据权利要求9所述的半导体存储装置，其特征在于：
所述多个柱状部具有半导体部、及设置在所述半导体部与所述积层体之间的存储膜。
12.一种半导体存储装置，其特征在于包括：
衬底；
积层体，设置在所述衬底上，具有相互分离地积层的多个电极层；
多个柱状部，设置在所述积层体内，沿着所述积层体的积层方向而延伸；及
配线部，设置在所述积层体内，沿着第1方向而延伸；且
在设定了沿着所述第1方向延伸的假想的第1直线、第2直线、第3直线及第4直线时，所述多个柱状部具有配置在所述第1直线上的多个第1柱状部、配置在所述第2直线上的多个第2柱状部、配置在所述第3直线上的多个第3柱状部、及配置在所述第4直线上的多个第4柱状部；
所述第1直线、所述第2直线、所述第3直线及所述第4直线依次位于相对于所述第1方向相交的第2方向上，
在相邻的所述柱状部，所述第2柱状部与所述第3柱状部之间的距离比所述第1柱状部与所述第2柱状部之间的距离短。
13.根据权利要求12所述的半导体存储装置，其特征在于：
在设定了沿着所述第1方向延伸的假想的第5直线、第6直线、第7直线及第8直线时，所述多个柱状部具有配置在所述第5直线上的多个第5柱状部、配置在所述第6直线上的多个第6柱状部、配置在所述第7直线上的多个第7柱状部、及配置在所述第8直线上的多个第8柱状部；且
所述第1直线、所述第2直线、所述第3直线、所述第4直线、所述第5直线、所述第6直线、所述第7直线及所述第8直线依次位于所述第2方向，
在相邻的所述柱状部，所述第6柱状部与所述第7柱状部之间的距离比所述第5柱状部与所述第6柱状部之间的距离短。
14.根据权利要求13所述的半导体存储装置，其特征在于：
在相邻的所述柱状部，所述第4柱状部与所述第5柱状部之间的距离比所述第3柱状部与所述第4柱状部之间的距离短。
15.根据权利要求13所述的半导体存储装置，其特征在于：
在相邻的所述柱状部，所述第4柱状部与所述第5柱状部之间的距离比所述第5柱状部与所述第6柱状部之间的距离短。