半导体封装件的制作方法

文档序号:12274896阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:

封装构件,包括包封层和至少一个芯片,其中,包封层包封所述至少一个芯片;

应力控制层,设置在封装构件的第一表面上,

其中,应力控制层具有达到应力控制层防止封装构件具有翘曲的程度的内应力。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件,

其中,应力控制层的内应力是张应力或压缩应力。

3.根据权利要求1所述的半导体封装件,

其中,应力控制层的内应力是张应力且封装构件具有压缩应力,或者应力控制层的内应力是压缩应力且封装构件具有张应力。

4.根据权利要求1所述的半导体封装件,

其中,封装构件包括:

第一芯片;

第二芯片;

内部连接构件,

其中,第二芯片通过内部连接构件电连接到第一芯片并堆叠在第一芯片上。

5.根据权利要求1所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括:

外部连接构件,形成在封装构件的第二表面上,其中,第二表面在第一表面对面,

其中,包封层使所述至少一个芯片的最上面的芯片的前表面暴露,并覆盖所述至少一个芯片的每个芯片的侧表面。

6.根据权利要求1所述的半导体封装件,

其中,封装构件包括:

第一芯片;

第二芯片;

芯片穿过通电极,

其中,第二芯片通过芯片穿过通电极连接到第一芯片并堆叠在第一芯片上。

7.一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:

第一芯片;

第二芯片,安装在第一芯片上,并通过内部连接构件连接到第一芯片;

包封层,包封第二芯片并暴露第二芯片的前表面;

应力控制层,设置在第二芯片的前表面上,

其中,应力控制层具有达到应力控制层防止第二芯片具有翘曲的程度的内应力。

8.根据权利要求7所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括:

多个中间芯片,安装在彼此上并介于第一芯片和第二芯片之间,

其中,第一芯片是半导体封装件的最底部的芯片,

其中,第二芯片是通过中间芯片连接到第一芯片的最上面的芯片。

9.根据权利要求7所述的半导体封装件,

其中,包封层包括底部填充件或成型构件。

10.根据权利要求7所述的半导体封装件,

其中,包封层形成在第一芯片和第二芯片之间,或者包封层形成在第一芯片和第二芯片之间并位于第二芯片的两侧表面。

11.根据权利要求10所述的半导体封装件,

其中,应力控制层形成在第二芯片的前表面和包封层的上表面上,

其中,第二芯片的前表面和包封层的上表面基本共面。

12.根据权利要求7所述的半导体封装件,

其中,第一芯片的尺寸大于或等于第二芯片的尺寸。

13.一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:

芯片;

包封层,包封芯片的后表面和侧表面并使芯片的前表面暴露;

外部连接构件,设置在芯片上;

应力控制层,设置在芯片的前表面和包封层的表面上,

其中,应力控制层包括达到应力控制层防止芯片具有翘曲的程度的内应力。

14.根据权利要求13所述的半导体封装件,

其中,外部连接构件和芯片未叠置或叠置。

15.根据权利要求13所述的半导体封装件,

其中,外部连接构件形成在芯片的前表面上,并通过形成在包封层的表面上的顶再分布布线层连接到芯片。

16.根据权利要求13所述的半导体封装件,

其中,外部连接构件形成在芯片的后表面上,并通过形成在包封层的后表面上的底再分布布线层连接到形成在包封层中的包封穿过通电极。

17.一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:

第一芯片;

第二芯片,安装在第一芯片上;

芯片穿过通电极,将第一芯片连接到第二芯片;

基础包封层,填充第一芯片和第二芯片之间的空间;

包封层,包封第一芯片、第二芯片和基础包封层;

第一应力控制层,设置在包封层的表面上。

18.根据权利要求17所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括:

多个中间芯片,设置在第一芯片和第二芯片之间,

其中,第一芯片是最底部的芯片,

其中,第二芯片是通过中间芯片连接到第一芯片的最上面的芯片。

19.根据权利要求17所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括:

第二应力控制层,设置在包封第一芯片的基础包封层的后表面和第一芯片的表面上。

20.根据权利要求17所述的半导体封装件,

其中,包封层形成在第二芯片的前表面和侧表面以及第一芯片的侧表面上。

21.一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:

基础芯片;

多个芯片,其中,基础芯片和所述多个芯片堆叠在彼此上,并且基础芯片是基础芯片和所述多个芯片的堆叠芯片的最下面的芯片;

第一应力控制层;

基础包封层,介于第一应力控制层和基础芯片之间;

第二应力控制层,介于基础芯片和所述多个芯片的最底部的芯片之间;

包封层,覆盖堆叠芯片;

第三应力控制层,设置在包封层的上表面上,

其中,第一应力控制层和第二应力控制层被布置为防止基础芯片具有翘曲,

其中,第三应力控制层具有内应力使得第三应力控制层防止所述多个芯片的最上面的芯片具有翘曲。

22.根据权利要求21所述的半导体封装件,

其中,所述多个芯片和基础芯片中的每个芯片包括:芯片穿过通电极,穿过所述多个芯片和基础芯片中的每个;芯片垫,设置在所述多个芯片和基础芯片中的每个的第一表面上,

其中,芯片穿过通电极电连接到芯片垫,

其中,基础芯片的芯片穿过通电极电连接到所述多个芯片的最下面的芯片的芯片垫。

23.根据权利要求22所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括:

外部连接构件,从基础包封层突出,其中,外部连接构件电连接到基础芯片的芯片垫。

24.根据权利要求23所述的半导体封装件,

其中,外部连接构件包括第一外部连接构件和第二外部连接构件,

其中,第一外部连接构件被基础包封层围绕,并且具有未被基础包封层围绕的暴露的表面,

其中,第二外部连接构件设置在第一外部连接构件的暴露的表面上。

25.根据权利要求23所述的半导体封装件,

其中,包封层与基础包封层接触。

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