1.一种全背接触光伏电池的金属化方法，其特征在于：包括以下步骤：
(1)分别对N型晶体硅基体的前表面和背表面进行掺杂处理，在N型晶体硅基体的前表面形成n+掺杂前表面场，在N型晶体硅基体的背表面形成相互交替排列的背表面n+掺杂区域和背表面p+掺杂区域；并在N型晶体硅基体的前表面形成前表面钝化减反膜，在N型晶体硅基体的背表面形成背表面钝化膜；
(2)、在背表面n+掺杂区域和背表面p+掺杂区域上方开设贯穿背表面钝化膜的n+孔状阵列和p+孔状阵列；
(3)、在步骤(2)处理后的N型晶体硅基体的背表面沉积铝层；
(4)、在n+孔状阵列区域和p+孔状阵列区域印刷耐酸掩膜，将N型晶体硅基体放入酸性刻蚀液中，去除未被耐酸掩膜覆盖区域的铝层，形成相互电绝缘的p+铝电极和n+铝电极；
(5)、将步骤(4)处理后的N型晶体硅基体放入碱性溶液中，去除耐酸掩膜，得到全背接触光伏电池。
2.根据权利要求1所述的一种全背接触光伏电池的金属化方法，其特征在于：步骤(1)中，对N型晶体硅基体的背表面进行掺杂处理的方法是：首先在N型晶体硅基体的背表面注入剂量为0.5×1015cm-2～3×1015cm-2的硼离子，然后在N型晶体硅基体的背表面选择性的注入磷离子，磷离子的注入剂量为3×1015cm-2～8×1015cm-2。
3.根据权利要求2所述的一种全背接触光伏电池的金属化方法，其特征在于：注入磷离子时，在N型晶体硅基体的背表面和离子束之间设置掩膜，掩膜上设置线条状开口，线条状开口宽50～400μm。
4.根据权利要求1所述的一种全背接触光伏电池的金属化方法，其特征在于：步骤(1)中，对N型晶体硅基体的前表面进行掺杂处理的方法是：在N型晶体硅基体的前表面注入剂量为1×1015cm-2～4×1015cm-2的磷离子。
5.根据权利要求1所述的一种全背接触光伏电池的金属化方法，其特征在于：步骤(1)中，将掺杂完成后的N型晶体硅基体进行退火处理，退火的峰值温度为800～1100℃，退火时间为30～200min，环境气源为N2和O2。
6.根据权利要求1所述的一种全背接触光伏电池的金属化方法，其特征在于：在制备前表面钝化减反膜和背表面钝化膜之前将N型晶体硅基体放入清洗机中进行清洗、烘干处理；
前表面钝化减反膜的制备方法是：在N型晶体硅基体的前表面利用PECVD设备先沉积一层厚度为5～30nm的SiOx介质膜，然后在SiOx介质膜上再沉积一层厚度为40～80nm的SiNx介质膜；
背表面钝化膜的制备方法是：在N型晶体硅基体的背表面用PECVD设备或ALD设备沉积一层厚度为4～20nm的AlOx介质膜，然后在AlOx介质膜的表面再沉积一层厚度为20～50nm的SiNx介质膜。
7.根据权利要求1所述的一种全背接触光伏电池的金属化方法，其特征在于：步骤(2)为使用激光器在N型晶体硅基体的背表面开设贯穿背表面钝化膜的p+孔状阵列和n+孔状阵列。
8.根据权利要求1所述的一种全背接触光伏电池的金属化方法，其特征在于：步骤(3)中，沉积铝层的方法为物理气相沉积法，铝层的厚度为2～5μm。
9.根据权利要求7所述的一种全背接触光伏电池的金属化方法，其特征在于：步骤(4)中，耐酸掩膜是石蜡或者耐酸树脂，耐酸掩膜的宽度大于或者等于p+孔状阵列中的孔直径和n+孔状阵列中的孔直径；
酸性刻蚀液为盐酸溶液；
步骤(5)中，碱性溶液为氢氧化钾溶液、氢氧化钠溶液、四甲基氢氧化铵溶液或乙二胺溶液。
10.根据权利要求1所述的一种全背接触光伏电池的金属化方法，其特征在于：开始步骤(1)之前，对N型晶体硅基体的前表面作制绒处理；N型晶体硅基体的电阻率为0.5～15Ω·cm；N型晶体硅基体的厚度为50～300μm。
11.一种全背接触光伏电池，包括N型晶体硅基体，其特征在于：N型晶体硅基体的前表面从内到外依次为n+掺杂前表面场和前表面钝化减反膜，N型晶体硅基体的背表面从内到外依次为交替排列的背表面p+掺杂区域和背表面n+掺杂区域、背表面钝化膜和背表面电极，背表面电极包括p+电极和n+电极；所述背表面钝化膜上设置有p+孔状阵列和n+孔状阵列，所述p+电极穿过p+孔状阵列与背表面p+掺杂区域欧姆接触，所述n+电极穿过n+孔状阵列与背表面n+掺杂区域欧姆接触。
12.根据权利要求11所述的一种全背接触光伏电池，其特征在于：p+电极是p+铝电极，n+电极是n+铝电极；p+孔状阵列的孔直径为140～300μm，n+孔状阵列的孔直径为60～100μm；背表面n+掺杂区域的宽度为50～400μm。
13.根据权利要求11所述的一种全背接触光伏电池，其特征在于：覆盖在背表面钝化膜上的p+电极的厚度为2～5μm；覆盖在背表面钝化膜上的p+电极的宽度大于或者等于p+孔状阵列中的孔直径；
覆盖在背表面钝化膜上的n+电极的厚度为2～5μm；覆盖在背表面钝化膜上的n+电极的宽度大于或者等于n+孔状阵列中的孔直径。
14.根据权利要求11所述的一种全背接触光伏电池，其特征在于：n+掺杂前表面场为轻掺杂，方阻为50～200Ω/sqr，结深为0.2～2.0μm；背表面n+掺杂区域的方阻为20～150Ω/sqr，结深为0.3～2.0μm；背表面p+掺杂区域的方阻为20～150Ω/sqr，结深为0.3～2.0μm。
15.一种太阳能电池组件，包括由上至下依次设置的前层材料、封装材料、太阳能电池、封装材料、背层材料，其特征在于：所述太阳能电池是权利要求11-14任一所述的一种全背接触光伏电池。
16.一种太阳能电池系统，包括一个以上的太阳能电池组件，其特征在于：所述太阳能电池组件是权利要求15所述的太阳能电池组件。