基于倒装芯片的封装热压工艺的热压系统及其使用方法与流程

本发明涉及基于倒装芯片的封装热压工艺的热压系统及其使用方法，特别适用于芯片的SMD封装热压、COB封装热压、CSP工艺及其它可应用于倒装芯片的封装工艺。

背景技术：

目前，用于倒装芯片的封装热压工艺的热压头具有应用单一、不能同时应用于多个倒装芯片的封装热压等缺陷，不利于生产快速有效的进行。

技术实现要素：

为解决上述问题，本发明的目的在于提供基于倒装芯片的封装热压工艺的热压系统及其使用方法，两个以上的图像化热压头能够同时应用于多个倒装芯片的封装热压，而能够分离于热压主体的热压头组件具有丰富的应用环境，能够随时更换的热压头组件能够对应于不同形状或类型的芯片，从而大大提高了生产的效率。

本发明解决其问题所采用的技术方案是：

基于倒装芯片的封装热压工艺的热压系统，包括热压主体和可分离连接于热压主体下方的热压头组件,热压主体设置有加热器，热压头组件包括可与热压主体分离连接的热压平面和设置在热压平面下方的数个相互间隔的接触口，每个接触口连接有用于实现倒装芯片的封装热压的图形化热压头。图形化热压头的图形可以是正方形、菱形、圆形、星形或者其它图形，能够同时应用于多个倒装芯片的封装热压，适用于芯片的SMD封装热压、COB封装热压、CSP工艺和其它可应用于倒装芯片的封装工艺。热压头组件能够分离于热压主体，因此当需要对不同类型或不同尺寸的倒装芯片进行封装热压时，可灵活地更换成对应的热压头组件，从而能够适用于丰富的应用环境。此外，还有热压头组件固定于热压主体之上不能与其分离的类型，这种类型的热压头组件适用于固定形状的倒装芯片的封装热压。当不使用图形化热压头时，只需拆除图形化热压头，就能够成为热压头平面化的热压头组件，其中热压平面就是用于对倒装芯片进行封装热压的平面化热压头。

进一步，加热器的温度控制范围为室温至500度。加热器具有很大的温度控制范围，能够适用于各种倒装芯片的封装热压的工艺要求，使用时，加热器的热量先传导到热压主体，再传导到热压头组件，所以加热器、热压主体和热压头组件具有相同的温度，并且温度同步上升，直到达到工艺要求的加热温度或者最大温度值500度。

进一步，图形化热压头的面积全面覆盖所压芯片的面积。为了让倒装芯片的封装热压能够具有良好的压合能力和效率，图形化热压头的面积必须全面覆盖所压芯片的面积，图形化热压头必须可放置入SMD可压面积或者COB封装的围坝内，使得芯片能够良好接收到传导过来的热量，提高封装热压的成功率，降低热压不良率。

优选的，图形化热压头为实心结构。实心结构的图形化热压头能够有效地传导热量以及具有稳定的结构特点，不会因为与芯片的压合过于用力而导致图形化热压头发生变形，具有良好的可持续使用性。

进一步，应用基于倒装芯片的封装热压工艺的热压头的使用方法：把通过固晶胶与基板粘合在一起的芯片放置于图形化热压头的下方，开启加热器使其热量通过热压主体传导到图形化热压头上，当图形化热压头达到工艺要求所规定的温度后，下压图形化热压头，使图形化热压头良好地压住芯片，等待图形化热压头的热量通过芯片传导至固晶胶并使固晶胶固化，最后完成芯片的封装。

本发明的有益效果是：基于倒装芯片的封装热压工艺的热压系统及其使用方法，两个以上的图像化热压头能够同时应用于多个倒装芯片的封装热压，而能够分离于热压主体的热压头组件具有丰富的应用环境，能够随时更换的热压头组件能够对应于不同形状或类型的芯片，从而大大提高了生产的效率。

附图说明

下面结合附图和实例对本发明作进一步说明。

图1是本发明热压系统的示意图；

图2是使用本发明热压系统进行封装热压的流程图。

具体实施方式

参照图1，本发明的基于倒装芯片的封装热压工艺的热压系统，包括热压主体1和可分离连接于所述热压主体1下方的热压头组件,所述热压主体1设置有加热器，所述热压头组件包括可与所述热压主体1分离连接的热压平面2和设置在所述热压平面2下方的数个相互间隔的接触口，每个接触口连接有用于实现倒装芯片的封装热压的图形化热压头3。图形化热压头3的图形可以是正方形、菱形、圆形、星形或者其它图形，能够同时应用于多个倒装芯片的封装热压，适用于芯片的SMD封装热压、COB封装热压、CSP工艺和其它可应用于倒装芯片的封装工艺。热压头组件能够分离于热压主体1，因此当需要对不同类型或不同尺寸的倒装芯片进行封装热压时，可灵活地更换成对应的热压头组件，从而能够适用于丰富的应用环境。此外，还有热压头组件固定于热压主体1之上不能与其分离的类型，这种类型的热压头组件适用于固定形状的倒装芯片的封装热压。当不使用图形化热压头3时，只需拆除图形化热压头3，就能够成为热压头平面化的热压头组件，其中热压平面2就是用于对倒装芯片进行封装热压的平面化热压头。

其中，加热器的温度控制范围为室温至500度。加热器具有很大的温度控制范围，能够适用于各种倒装芯片的封装热压的工艺要求，使用时，加热器的热量先传导到热压主体1，再传导到热压头组件，所以加热器、热压主体1和热压头组件具有相同的温度，并且温度同步上升，直到达到工艺要求的加热温度或者最大温度值500度。

其中，图形化热压头3的面积全面覆盖所压芯片的面积。为了让倒装芯片的封装热压能够具有良好的压合能力和效率，图形化热压头3的面积必须全面覆盖所压芯片的面积，图形化热压头3必须可放置入SMD可压面积或者COB封装的围坝内，使得芯片能够良好接收到传导过来的热量，提高封装热压的成功率，降低热压不良率。

其中，图形化热压头3为实心结构。实心结构的图形化热压头3能够有效地传导热量以及具有稳定的结构特点，不会因为与芯片的压合过于用力而导致图形化热压头3发生变形，具有良好的可持续使用性。

参照图1-图2，应用基于倒装芯片的封装热压工艺的热压头的使用方法：把通过固晶胶与基板粘合在一起的芯片放置于图形化热压头3的下方，开启加热器使其热量通过热压主体1传导到图形化热压头3上，当图形化热压头3达到工艺要求所规定的温度后，下压图形化热压头3，使图形化热压头3良好地压住芯片，等待图形化热压头3的热量通过芯片传导至固晶胶并使固晶胶固化，最后完成芯片的封装。如果当前图形化热压头3不能满足需要进行封装热压的倒装芯片时，把热压头组件2分离于热压主体1，然后更换成与倒装芯片的形状或尺寸相对应的热压头组件2，即更换成了与倒装芯片的形状或尺寸相对应的图形化热压头3，接着再进行上述的热压过程，完成不同形状和尺寸的芯片的封装。

以上是对本发明的较佳实施进行了具体说明，但本发明并不局限于上述实施方式，熟悉本领域的技术人员在不违背本发明精神的前提下还可作出种种的等同变形或替换，这些等同的变形或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。