技术总结
本发明涉及一种基于CH3NH3PbI3材料的NMOS器件及其制备方法，该方法包括：选取Si衬底；在Si衬底表面生长栅介质层；在栅介质层表面生长电子传输层；在电子传输层表面生长CH3NH3PbI3材料形成光吸收层；在电子传输层表面生长Au材料形成源漏电极，最终形成NMOS器件。由于本发明的晶体管采用电子传输层传输电子阻挡空穴，克服了现有技术中采用CH3NH3PbI3的MOSFET光电场效应晶体管中电子空穴复合，光电转换效率低的缺点，即晶体管采用由CH3NH3PbI3向沟道提供大量的电子，形成n型MOSFET光电场效应晶体管，具有驱动功率小，开关速度快，光电转换效率大的优点。
技术研发人员：贾仁需;汪钰成;厐体强;张玉明
受保护的技术使用者：西安电子科技大学
文档号码：201610763995
技术研发日：2016.08.29
技术公布日：2017.01.04