技术总结
本发明提供一种制造半导体装置的方法。所述方法包括以下步骤。(a)将衬底图案化。(b)在所述图案化的衬底上形成聚合物层。(c)将所述聚合物层图案化。交替重复步骤(a)、(b)与(c)。检测等离子与步骤(a)、(b)与(c)产生的产物反应所发生的发射光的强度。所述强度的采样速度范围大体上为1pt/20ms到1pt/100ms。使用平滑函数处理所述等离子与所述产物的所述反应所发生的所述发射光的所述强度。
技术研发人员：曾李全;吴常明
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
文档号码：201610830422
技术研发日：2016.09.13
技术公布日：2017.06.09