技术总结
本发明公开了一种沟槽型金属氧化物半导体功率器件及其制作方法，在制作时利用同一光罩来同时制作元胞区和终端耐压区的结构，相对于传统的采用不同光罩分别实现元胞区和终端耐压区结构的制作，在保证器件耐压性能的同时，可以减少工艺过程及光罩层数，从而降低生产成本。并且，在器件中采用与元胞区相类似的沟槽结构来实现终端耐压区的分压环结构，可以减少在采用光罩利用注入掺杂和扩散推结制作各分压环时，为避免各分压环相互连接时需要在各分压环之间设定较大距离的间隔，有利于在保证终端耐压区性能的同时，缩小终端耐压区所占面积，从而增加器件的有效管芯数量，进一步减低器件成本。
技术研发人员：何昌;肖婷;包海涛
受保护的技术使用者：珠海格力电器股份有限公司
文档号码：201610913275
技术研发日：2016.10.19
技术公布日：2017.05.10