1.一种顶栅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供一玻璃基板；
在所述玻璃基板上形成氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包括源区、漏区及沟道区；
在所述氧化物半导体层上沟道区对应位置形成栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上形成栅极；
在所述栅极表面、所述氧化物半导体层表面及玻璃基板表面采用化学气相沉积的方法沉积层间介质，所述源区及漏区表面导体化；
形成源极及漏极，所述源极及漏极分别与所述氧化物半导体层的源区及漏区电连接。
2.根据权利要求1所述的顶栅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，在形成氧化物半导体层步骤之前，在所述玻璃基板表面形成阻挡层，所述氧化物半导体层形成在所述阻挡层上。
3.根据权利要求1所述的顶栅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述层间介质为SiO2。
4.根据权利要求1所述的顶栅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，在化学气相沉积时，分解的离子以高能态轰击所述氧化物半导体层的所述源区及漏区，以使所述氧化物半导体层的所述源区及漏区表面导体化。
5.根据权利要求1所述的顶栅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，形成源极及漏极的方法包括如下步骤：
在所述层间介质成上形成过孔，所述过孔分别暴露出所述氧化物半导体层的源区及漏区；
在所述过孔内沉积金属，形成与所述源区电连接的源极及与所述漏区电连接的漏极。
6.根据权利要求1所述的顶栅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，对于第六世代及以下的薄膜晶体管显示装置产线，所述化学气相沉积的功率大于等于1900W，对于第六世代以上的薄膜晶体管显示装置产线，所述化学气相沉积的功率大于等于13000W。
7.一种顶栅薄膜晶体管，其特征在于，包括玻璃基板、在所述玻璃基板表面设置的阻挡层及在所述阻挡层表面设置的氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包括源区、漏区及沟道区，在所述沟道区表面设置有栅极绝缘层及栅极，在所述玻璃基板、氧化物半导体层及栅极表面覆盖有层间介质，源极和漏极设置在所述栅极两侧，并分别通过层间介质的过孔与所述氧化物半导体层的源区和漏区电连接，所述氧化物半导体层的所述源区及漏区表面导体化。
8.根据权利要求7所述的顶栅薄膜晶体管，其特征在于，所述层间介质为SiO2。
9.根据权利要求7所述的顶栅薄膜晶体管，其特征在于，在化学气相沉积形成层间介质层时，分解的离子以高能态轰击所述氧化物半导体层的所述源区及漏区表面导体化表面，以使所述氧化物半导体层的所述源区及漏区表面导体化。
10.根据权利要求9所述的顶栅薄膜晶体管，其特征在于，对于第六世代及以下的薄膜晶体管显示装置产线，所述化学气相沉积的功率大于等于1900W，对于第六世代以上的薄膜晶体管显示装置产线，所述化学气相沉积的功率大于等于13000W。