技术总结
本发明提供一种顶栅薄膜晶体管的制作方法及顶栅薄膜晶体管，所述制作方法包括如下步骤：提供一玻璃基板；在所述玻璃基板上形成氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包括源区、漏区及沟道区；在所述氧化物半导体层上沟道区对应位置形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成栅极；在所述栅极表面、所述氧化物半导体层表面及玻璃基板表面采用化学气相沉积的方法沉积层间介质，所述源区及漏区表面导体化；形成源极及漏极，所述源极及漏极分别与所述氧化物半导体层的源区及漏区电连接。本发明的优点在于，能够在沉积层间介质时便可导体化，可以保证较高的迁移率及开态电流。
技术研发人员：张合静;葛世民
受保护的技术使用者：深圳市华星光电技术有限公司
文档号码：201610979889
技术研发日：2016.11.08
技术公布日：2017.02.15