SRAM器件及其制造方法与流程

技术特征：

1.一种SRAM器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括相邻接的上拉晶体管区以及下拉晶体管区；

在所述上拉晶体管区以及下拉晶体管区的部分基底上形成栅介质层；

在所述栅介质层上形成第一功函数层，所述第一功函数层的材料为P型功函数材料；

刻蚀去除所述下拉晶体管区的第一功函数层；

在剩余第一功函数层以及下拉晶体管区上形成第二功函数层，所述第二功函数层的材料为P型功函数材料；

刻蚀去除所述下拉晶体管区的第二功函数层；

在所述上拉晶体管区的剩余第二功函数层侧壁以及剩余第一功函数层侧壁上形成扩散阻挡层；

在所述扩散阻挡层上、上拉晶体管区的第二功函数层顶部上以及下拉晶体管区的栅介质层上形成第三功函数层，所述第三功函数层的材料为N型功函数材料；

在所述第三功函数层上形成栅电极层。

2.如权利要求1所述的SRAM器件的制造方法，其特征在于，采用沉积工艺形成所述扩散阻挡层；

在形成所述扩散阻挡层的工艺步骤中，还在所述上拉晶体管区的第二功函数层顶部上以及所述下拉晶体管区的栅介质层上形成所述扩散阻挡层；

在形成所述第三功函数层的工艺步骤中，形成的所述第三功函数层位于所述上拉晶体管区以及下拉晶体管区的扩散阻挡层上。

3.如权利要求1或2所述的SRAM器件的制造方法，其特征在于，采用原子层沉积工艺形成所述扩散阻挡层。

4.如权利要求2所述的SRAM器件的制造方法，其特征在于，所述扩散阻挡层的厚度为5埃～20埃。

5.如权利要求1所述的SRAM器件的制造方法，其特征在于，所述扩散阻挡层的材料为TaN或TaCN。

6.如权利要求1所述的SRAM器件的制造方法，其特征在于，在刻蚀去除所述下拉晶体管区的第二功函数层后，剩余第一功函数层以及剩余第二功函数层在所述上拉晶体管区与下拉晶体管区相邻接处的侧壁齐平。

7.如权利要求1所述的SRAM器件的制造方法，其特征在于，所述第一功函数层的材料为Ta、TiN、TaN、TaSiN或TiSiN中的一种或几种；所述第二功函数层的材料为Ta、TiN、TaN、TaSiN或TiSiN中的一种或几种；所述第三功函数层的材料为TiAl、TiAlC、TaAlN、TiAlN、TaCN和AlN中的一种或几种。

8.如权利要求1所述的SRAM器件的制造方法，其特征在于，在形成所述栅介质层之后、形成所述第一功函数层之前，还包括：在所述栅介质层上形成保护层。

9.如权利要求8所述的SRAM器件的制造方法，其特征在于，形成所述保护层的工艺步骤包括：在所述栅介质层上形成盖帽层；在所述盖帽层上形成刻蚀停止层，且所述刻蚀停止层的材料与所述第一功函数层的材料不同。

10.如权利要求8所述的SRAM器件的制造方法，其特征在于，所述基底还包括通道栅晶体管区；

在形成所述栅介质层以及保护层的工艺步骤中，还在所述通道栅晶体管区的部分基底上形成栅介质层以及位于栅介质层上的保护层；

在形成所述第一功函数层的工艺步骤中，还在所述通道栅晶体管区上形成第一功函数层；

在形成所述第二功函数层的工艺步骤中，还在所述通道栅晶体管区上形成所述第二功函数层；

在形成所述第三功函数层的工艺步骤中，还在所述通道栅晶体管区上形成所述第三功函数层。

11.如权利要求10所述的SRAM器件的制造方法，其特征在于，在形成所述第二功函数层之前，刻蚀去除所述通道栅晶体管区的第一功函数层以及保护层；在形成所述第二功函数层的工艺步骤中，在所述通道栅晶体管区的栅介质层上形成第二功函数层。

12.一种SRAM器件，其特征在于，包括：

基底，所述基底包括相邻接的上拉晶体管区以及下拉晶体管区；

位于所述上拉晶体管区以及下拉晶体管区的部分基底上的栅介质层；

位于所述上拉晶体管区的栅介质层上的第一功函数层以及位于所述第一功函数层上的第二功函数层，所述第一功函数层以及第二功函数层的材料均为P型功函数材料；

位于所述上拉晶体管区的第二功函数层侧壁以及第一功函数层侧壁上的扩散阻挡层；

位于所述扩散阻挡层上、上拉晶体管区的第二功函数层顶部上以及下拉晶体管区的栅介质层上的第三功函数层，所述第三功函数层的材料为N型功函数材料；

位于所述第三功函数层上的栅电极层。

13.如权利要求12所述的SRAM器件，其特征在于，所述扩散阻挡层还位于所述上拉晶体管区的第二功函数层顶部上以及下拉晶体管区的栅介质层上。

14.如权利要求13所述的SRAM器件，其特征在于，所述扩散阻挡层的厚度为5埃～20埃。

15.如权利要求12所述的SRAM器件，其特征在于，所述扩散阻挡层的材料为TaN或者TaCN。

16.如权利要求12所述的SRAM器件，其特征在于，所述第一功函数层以及第二功函数层在所述上拉晶体管与区下拉晶体管区相邻接处的侧壁齐平。

17.如权利要求12所述的SRAM器件，其特征在于，所述SRAM器件还包括：位于所述上拉晶体管区的栅介质层与第一功函数层之间的保护层，且所述保护层还位于所述下拉晶体管区的栅介质层与所述第三功函数层之间。

18.如权利要求12所述的SRAM器件，其特征在于，所述基底还包括通道栅晶体管区；其中，所述栅介质层还位于所述通道栅晶体管区的部分基底上；且所述第二功函数层还位于所述通道栅晶体管区的栅介质层上；所述第三功函数层还位于所述通道栅晶体管区的第二功函数层上。

19.如权利要求1所述的SRAM器件，其特征在于，所述基底包括衬底以及位于所述衬底上的分立的鳍部。

20.如权利要求19所述的SRAM器件，其特征在于，所述上拉晶体管区具有一个鳍部；所述下拉晶体管区具有两个鳍部。