1.一种柔性基板剥离方法，其特征在于，包括：
对单晶硅片表面进行氧化，以获取第一氧化层；
对所述单晶硅片进行第一次离子注入，以将离子注入所述单晶硅片中；
利用所述第一氧化层，将注入所述离子的所述单晶硅片与玻璃基板进行低温键合，以获取键合片；
对所述键合片进行退火处理，以使所述单晶硅片上的预设厚度的单晶硅层留在所述玻璃基板表面；
对退火处理后的所述键合片进行第二次离子注入，以获取原始基板；
在所述原始基板表面完成AMOLED工艺，以获得柔性基板；
对所述柔性基板利用激光进行加温，使所述柔性基板与所述玻璃基板剥离开。
2.根据权利要求1所述的柔性基板剥离方法，其特征在于，对退火处理后的所述键合片进行第二次离子注入，以获取原始基板，具体包括：
在所述单晶硅层表面沉积第二氧化层；
对所述单晶硅层进行第二次离子注入，以获取原始基板。
3.根据权利要求1所述的柔性基板剥离方法，其特征在于，所述预设厚度为500nm-2μm。
4.根据权利要求1所述的柔性基板剥离方法，其特征在于，所述退火处理的退火温度为300℃-600℃。
5.根据权利要求1所述的柔性基板剥离方法，其特征在于，所述第一氧化层为二氧化硅层。
6.根据权利要求1所述的柔性基板剥离方法，其特征在于，所述第一氧化层的厚度为100nm-300nm。
7.根据权利要求1所述的柔性基板剥离方法，其特征在于，所述第一次离子注入的剂量范围为5×1016/cm2-5×1018/cm2。
8.根据权利要求2所述的柔性基板剥离方法，其特征在于，所述第一次离子注入和所述第二次离子注入为氢离子注入或氦离子注入。
9.根据权利要求1-7任一所述的柔性基板剥离方法，其特征在于，在所述原始基板表面完成AMOLED工艺，以获得柔性基板，具体包括：
在所述原始基板上涂布磷脂酰肌醇PI，以获取PI基板；
在所述PI基板表面蒸镀有机发光二极管OLED，以获得所述柔性基板。
10.根据权利要求9所述的柔性基板剥离方法，其特征在于，所述PI基板的厚度为1μm-10μm。