1.一种晶体硅绒面的制备方法，其特征是，该方法为在硅片表面涂覆光刻胶作为掩膜，对掩膜材料曝光显影，形成特定图形，然后对硅片进行酸或者碱溶液的腐蚀，在硅片表面形成坑状绒面。
2.根据权利要求1所述的晶体硅绒面的制备方法，其特征是，所述光刻胶是商业化的正性光刻胶或者负性光刻胶，光刻胶能够耐酸或者耐碱溶液的腐蚀。
3.根据权利要求1所述的晶体硅绒面的制备方法，其特征是，硅片表面涂覆光刻胶之后，使用具有特定图形的掩膜版对光刻胶进行曝光显影处理，在光刻胶上形成特定的图形。
4.根据权利要求3所述的晶体硅绒面的制备方法，其特征是，所述掩膜版是玻璃、苏打、或者石英材料中的一种。
5.根据权利要求4所述的晶体硅绒面的制备方法，其特征是，掩膜版上的图形是圆形、或者正多边形中的一种或者几种，图形的直径或者内切圆直径介于0.1um～5um之间，图形中心间距介于0.3um～20um之间。
6.根据权利要求2所述的晶体硅绒面的制备方法，其特征是，所述酸溶液是氢氟酸、硝酸、氟化铵、去离子水中的两种或者两种以上液体的混合溶液，任意该溶液的比例介于0%～80%之间。
7.根据权利要求2所述的晶体硅绒面的制备方法，其特征是，所述碱溶液是氢氧化钾、氢氧化钠、乙二胺邻苯二酚和四甲基氢氧化铵、去离子水中的两种或者几种液体的混合溶液，任意该溶液的比例介于0%～90%之间。
8.根据权利要求2所述的晶体硅绒面的制备方法，其特征是，酸或者碱溶液的腐蚀过程中，工艺温度介于0～90℃之间。
9.根据权利要求2所述的晶体硅绒面的制备方法，其特征是，酸或者碱腐蚀过程中，伴随有机械搅拌、气体搅拌或者超声搅拌中的一种或者几种。