技术总结
本发明提供了一种QLED器件，包括依次层叠设置的阳极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极，所述量子点发光层为核壳量子点，且其壳层为ZnS；所述空穴传输层、所述电子传输层采用与所述核壳量子点的壳层材料相同的化合物制成，其中，所述电子传输层由N型ZnS制成，所述空穴传输层由P型ZnS制成，且所述P型ZnS为Sb掺杂ZnS。
技术研发人员：王宇;曹蔚然;杨一行;钱磊
受保护的技术使用者：TCL集团股份有限公司
文档号码：201611226239
技术研发日：2016.12.27
技术公布日：2017.05.31