1.一种鳍式场效应晶体管器件测试结构，其特征在于，所述鳍式场效应晶体管器件测试结构至少包括：
衬底；
位于所述衬底上的鳍形结构；
位于所述衬底上并包裹所述鳍形结构的部分的伪栅叠层，其中，所述伪栅叠层与所述鳍形结构相互垂直设置；以及
位于至少一条所述伪栅叠层下并贯穿该伪栅叠层下所有所述鳍形结构的鳍切断区。
2.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管器件测试结构，其特征在于，所述鳍切断区设置在所述鳍式场效应晶体管器件测试结构的中心位置。
3.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管器件测试结构，其特征在于，所述鳍切断区设置在所述鳍式场效应晶体管器件测试结构的一侧或两侧边缘。
4.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管器件测试结构，其特征在于，所述鳍切断区在所述鳍式场效应晶体管器件测试结构中以至少一条所述伪栅叠层为间隔设置。
5.根据权利要求1-4任一项所述的鳍式场效应晶体管器件测试结构，其特征在于，所述鳍式场效应晶体管器件测试结构还包括：
位于所述衬底上的隔离区，其中，所述隔离区设置在相邻的所述鳍形结构之间，以隔离所述衬底的有源区。
6.根据权利要求1-4任一项所述的鳍式场效应晶体管器件测试结构，其特征在于，所述鳍式场效应晶体管器件测试结构还包括：
位于所述衬底上的源、漏区，其中，所述源、漏区分别设置在所述鳍形结构的两端，并通过所述伪栅叠层间隔开。
7.根据权利要求1-4任一项所述的鳍式场效应晶体管器件测试结构，其特征在于，所述鳍式场效应晶体管器件测试结构还包括：
位于所述衬底和所述鳍形结构之间的掺杂穿通阻止层。
8.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管器件测试结构，其特征在于，所述伪栅叠层至少包括：介电层和位于所述介电层上的伪栅层。
9.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管器件测试结构，其特征在于，所述衬底至少包括：半导体基底和位于所述半导体基底上的绝缘层。
10.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管器件测试结构，其特征在于，所述衬底为绝缘体上硅衬底。