电流可控型静电感应晶体管的制作方法

技术特征：

1.一种电流可控型静电感应晶体管，包括漏极、位于漏极之上的低阻单晶衬底、位于低阻单晶衬底之上的高阻外延层和位于高阻外延层内沟道下方的隐埋层，其特征在于隐埋层位于沟道下方0.3～0.7um，掺杂浓度为5×10¹⁴～1×10¹⁵cm^-3，隐埋层厚度为0.4～0.6um。

2.根据权利要求1所述的电流可控型静电感应晶体管，其特征在于引入的隐埋层适用于N沟道SIT。

3.根据权利要求1所述的电流可控型静电感应晶体管，其特征在于引入的隐埋层适用于P沟道SIT。

4.根据权利要求1或2或3所述的电流可控型静电感应晶体管，其特征是采用硅切片作为SIT的低阻单晶衬底材料，厚度为30～40um，掺杂浓度为1×10¹⁸～1×10¹⁹cm^-3；在该衬底片上生长一层厚度为20～26um，掺杂浓度为5×10¹²～1×10¹³cm^-3的微掺杂高阻外延层；在高阻外延层上制作SIT的有源区，有源区沟道长度2～3um，栅区掺杂浓度为1×10¹⁸～1×10¹⁹cm^-3，源区掺杂浓度也为1×10¹⁸～1×10¹⁹cm^-3。

5.根据权利要求4所述的电流可控型静电感应晶体管，其特征在于该晶体管为一种输出特性可以随着隐埋层的位置、掺杂浓度和厚度改变而变化的静电感应晶体管。