技术总结
本实用新型涉及一种电流可控型静电感应晶体管(SIT),包括漏极、位于漏极之上的低阻单晶衬底、位于低阻单晶衬底之上的高阻外延层、位于高阻外延层内沟道下方的隐埋层和位于高阻外延层内相互并联的多个SIT单元，其特征在于隐埋层位于沟道下方0.3～0.7um，掺杂浓度为5×1014～1×1015cm‑3，隐埋层厚度为0.4～0.6um。本实用新型的器件能够在保持结构、材料以及工艺等互相影响的制造参数不变的情况下，通过改变独立的参数，来调控SIT的电学参数从而调控SIT的输出特性，从而制备出性能优良的SIT。
技术研发人员：杨建红;王欣;陈健;肖彤;王娇;乔坚栗
受保护的技术使用者：兰州大学
文档号码：201621077244
技术研发日：2016.09.23
技术公布日：2017.03.22