1.一种GaN基肖特基二极管结构，其特征是：包括衬底（1）、位于衬底（1）上的GaN层（2）、位于GaN层（2）上的AlGaN层（3）、阴极金属（4）和阳极金属（5），阴极金属（4）同时与GaN层（2）和AlGaN层（3）欧姆接触，阳极金属（5）设置于AlGaN层（3）上表面，阳极金属（5）与AlGaN层（3）肖特基接触。
2.如权利要求1所述的GaN基肖特基二极管结构，其特征是：在所述衬底（1）和GaN层（2）之间设有缓冲层（6）。
3.如权利要求1或2所述的GaN基肖特基二极管结构，其特征是：所述阳极金属（5）位于AlGaN层（3）和GaN层（2）上表面，分别与AlGaN层（3）和GaN层（2）接触。
4.如权利要求3所述的GaN基肖特基二极管结构，其特征是：所述阳极金属（5）与AlGaN层（3）的接触面为阶梯面。
5.如权利要求3所述的GaN基肖特基二极管结构，其特征是：在所述AlGaN层（3）上设置通孔，通孔由AlGaN层（3）的上表面延伸至GaN层（2）的上表面，阳极金属（5）通过通孔与GaN层（2）的上表面接触。
6.如权利要求1所述的GaN基肖特基二极管结构，其特征是：所述衬底（1）采用SiC或者蓝宝石基板。
7.如权利要求1所述的GaN基肖特基二极管结构，其特征是：所述GaN层（2）的厚度为50~200nm。
8.如权利要求1所述的GaN基肖特基二极管结构，其特征是：所述AlGaN层（3）的厚度为20~50nm；所述AlGaN层（3）采用AlGaN、AlInN或AlInGaN。