技术总结
本实用新型涉及一种GaN基肖特基二极管结构，特征是：包括衬底、位于衬底上的GaN层、位于GaN层上的AlGaN层、阴极金属和阳极金属，阴极金属同时与GaN层和AlGaN层欧姆接触，阳极金属设置于AlGaN层上表面，阳极金属与AlGaN层肖特基接触。在所述衬底和GaN层之间设有缓冲层。本实用新型所述GaN基肖特基二极管结构，在衬底基板第一主面设有AlGaN层，在AlGaN层和衬底基板之间设有GaN层；在本体左侧设有欧姆接触电极（Cathode），欧姆接触电极同时与AlGaN和GaN层形成欧姆接触；在本体右侧设有肖特基接触电极（Anode）。如果在肖特基接触电极（Anode）增加一定的电压，在AlGaN层和GaN层的接触表面会形成电子通道。
技术研发人员：周祥瑞;冷德武;王毅
受保护的技术使用者：扬州扬杰电子科技股份有限公司
文档号码：201621115450
技术研发日：2016.10.11
技术公布日：2017.07.14