技术总结
本实用新型属于存储器技术领域，具体涉及一种基于石墨烯电极的层状二硫化钼铁电存储器，包括栅电极、铁酸铋铁电绝缘层、二硫化钼沟道层、石墨烯源电极和漏电极，所述栅电极上设置有铁酸铋铁电绝缘层，铁酸铋铁电绝缘层上设置有二硫化钼沟道层，二硫化钼沟道层上设置有石墨烯源电极和漏电极。本实用新型器件尺寸小、载流子迁移率高、开关电流比大、器件功耗少、抗疲劳和保持性能强。
技术研发人员：谭秋红;杨必想;张粉祝;王前进;刘应开;蔡武德;杨志坤
受保护的技术使用者：云南师范大学
文档号码：201621219934
技术研发日：2016.11.14
技术公布日：2017.06.09