1.一种复合衬底，其特征在于，包括：
硅衬底层；
以及蓝宝石衬底层，用于生长外延层；
所述蓝宝石衬底层键合在所述硅衬底层上。
2.根据权利要求1所述的复合衬底，其特征在于，所述复合衬底还包括生长在所述蓝宝石衬底层上的硅膜；所述蓝宝石衬底层通过所述硅膜与所述硅衬底层键合。
3.根据权利要求2所述的复合衬底，其特征在于，所述硅膜的厚度为1～5μm。
4.根据权利要求1所述的复合衬底，其特征在于，所述蓝宝石衬底层的厚度为20μm。
5.根据权利要求1所述的复合衬底，其特征在于，所述硅衬底层的厚度为1300μm。
6.根据权利要求1所述的复合衬底，其特征在于，所述硅衬底层的直径大于等于6英寸。
7.一种外延片，其特征在于：包括权利要求1-6任一项所述复合衬底以及生长在所述复合衬底上的外延层。
8.根据权利要求7所述外延片，其特征在于：所述外延层为氮化镓层。
9.根据权利要求8所述外延片，其特征在于：所述外延层的厚度为400～600nm。
10.一种电力器件，其特征在于，包括权利要求7-9任一项所述的外延片。