半导体存储装置的制作方法

文档序号:11334466阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
本发明的半导体存储装置(1)中,不使用如现有的控制电路,可通过施加到存储器电容(4)的存储器栅极(G)和字线的电压值,通过整流元件(3)阻断从存储器栅极(G)施加到字线的电压,因此不需要如现有的开关晶体管或者用于使开关晶体管进行导通和截止动作的开关控制电路,从而相应地能够实现小型化。另外,在半导体存储装置(1)中,通过彼此相邻的四个反熔丝存储器(2a6,2a7,2a10,2a11)共用一个位线连接器(BC15),且例如彼此相邻的四个反熔丝存储器(2a3,2a4,2a7,2a8)共用一个字线连接器(WC12),由此与每个反熔丝存储器上设置位线连接器和字线连接器的情况相比,能够实现整体装置的小型化。

技术研发人员:葛西秀男;谷口泰弘;川嶋泰彦;樱井良多郎;品川裕;户谷达郎;山口贵德;大和田福夫;吉田信司;畑田辉男;野田敏史;加藤贵文;村谷哲也;奥山幸祐
受保护的技术使用者:株式会社佛罗迪亚
技术研发日:2016.02.19
技术公布日:2017.10.13
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