多层基板、部件安装基板的制作方法

本实用新型涉及由热塑性树脂制作的多层基板、部件安装基板。

背景技术：

作为与现有的多层基板有关的发明，例如，已知专利文献1所述的半导体安装方法。该半导体安装方法是通过超声波倒装芯片接合技术来将半导体裸芯片的凸块安装于使用了液晶聚合物的薄膜的柔性布线板的布线的方法。通过在液晶聚合物的大致相同方向对半导体芯片施加超声波振动，将布线与凸块接合。

但是，本申请发明人发现，在专利文献1所述的半导体安装方法中，半导体裸芯片在安装中可能倾斜。并且，本申请发明人如以下那样考察了半导体裸芯片倾斜的理由。

半导体裸芯片中可能具有凸块密集地存在的密集区域、和该凸块稀疏地存在的稀疏区域。在该情况下，柔性布线板具有半导体裸芯片的凸块所被接合的布线密集地存在的密集区域、和该布线稀疏地存在的稀疏区域。因此，在安装时，在密集区域中，相对多的凸块以及布线接触，在稀疏区域中，相对少的凸块以及布线接触。

这里，在对半导体裸芯片施加超声波振动时，通过利用安装机来按压半导体裸芯片的上表面，从而将半导体裸芯片向柔性布线板按压。因此，从半导体裸芯片向柔性布线板施加力。由于在密集区域中，相对多的凸块以及布线接触，在稀疏区域中，相对少的凸块以及布线接触，因此施加于密集区域的力比施加于稀疏区域的力大。由此，密集区域中的布线比稀疏区域中的布线更大地下陷，半导体裸芯片倾斜。若在半导体裸芯片倾斜的状态下利用安装机来按压半导体裸芯片的上表面并施加超声波振动，则力向半导体裸芯片的上表面的一部分集中。其结果，可能产生半导体裸芯片的破损。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：JP特开2006-120683号公报

技术实现要素：

-实用新型要解决的课题-

本实用新型的目的在于，提供一种能够抑制安装部件在多层基板上倾斜的多层基板、部件安装基板以及部件安装基板的制造方法。

-解决课题的手段-

本实用新型的一方式所涉及的多层基板的特征在于，具备：坯体，具有主面，并且具有柔性；第1外部电极～第n外部电极，被设置于所述主面，并且被用于安装部件的安装，n是3以上的整数；和至少1个以上的第1虚设导体，被设置于所述坯体内，是浮动状态，在从所述主面的法线方向观察时，将从第m外部电极到所述第1外部电极～所述第n外部电极内的距该第m外部电极最近的外部电极为止的距离定义为距离Dm，m是 1以上且n以下的整数，将距离D1～距离Dn的平均定义为平均Dave，在从所述法线方向观察时，将以第m外部电极为中心且以距离Dm为半径的圆形的区域定义为区域Am，在从所述法线方向观察时，所述第1虚设导体被设置于以小于平均Dave的距离Dm为半径的1个以上的区域Am内的至少一部分的区域Am内。

本实用新型的一方式所涉及的部件安装基板的特征在于，具备：所述多层基板；和所述安装部件，具备第1凸块～第n凸块，并且被安装在所述主面上，n是3以上的整数，所述第1外部电极～所述第n外部电极分别与所述第1凸块～所述第n凸块超声波接合。

-实用新型效果-

根据本实用新型，能够抑制安装部件在多层基板上倾斜。

附图说明

图1是本实用新型的一实施方式所涉及的部件安装基板10的外观立体图。

图2是安装部件14的外观立体图。

图3是多层基板12的分解立体图。

图4是从上侧观察绝缘体片16-1的图。

图5是从上侧观察绝缘体片16-2的图。

图6是图1的A-A处的剖面构造图。

图7是部件安装基板10的制造时的剖面构造图。

图8是部件安装基板10的制造时的剖面构造图。

图9是部件安装基板10的制造时的剖面构造图。

图10是部件安装基板10的制造时的剖面构造图。

图11是从上侧观察第1变形例所涉及的多层基板12a的绝缘体片16-2 的图。

图12是第1变形例所涉及的部件安装基板10a的剖面构造图。

图13是从上侧观察第2变形例所涉及的多层基板12b的绝缘体片16-2 的图。

图14是第2变形例所涉及的部件安装基板10b的剖面构造图。

图15是从上侧观察第3变形例所涉及的多层基板12c的绝缘体片16-2 的图。

图16是第3变形例所涉及的部件安装基板10c的剖面构造图。

图17是第4变形例所涉及的部件安装基板10d的剖面构造图。

图18是第5变形例所涉及的部件安装基板10e的剖面构造图。

图19是第6变形例所涉及的部件安装基板10f的剖面构造图。

图20是第7变形例所涉及的部件安装基板10g的剖面构造图。

具体实施方式

(实施方式)

<多层基板以及部件安装基板的构成>

以下，参照附图来对本实用新型的一实施方式所涉及的多层基板以及部件安装基板的构成进行说明。图1是本实用新型的一实施方式所涉及的部件安装基板10的外观立体图。图2是安装部件14的外观立体图。图3 是多层基板12的分解立体图。图4是从上侧观察绝缘体片16-1的图。图 5是从上侧观察绝缘体片16-2的图。图6是图1的A-A处的剖面构造图。以下，将多层基板12的层叠方向定义为上下方向(坯体的主面的法线方向的一个例子)。此外，将从上侧观察到多层基板12时的长边方向定义为左右方向，将从上侧观察到多层基板12时的短边方向定义为前后方向。上下方向、左右方向以及前后方向相互正交。

部件安装基板10例如是包含被设置于移动电话等电子设备内的半导体集成电路的模块。如图1所示，部件安装基板10具备多层基板12以及安装部件14。

安装部件14例如是RFIC或者CCD等的摄像元件这种半导体集成电路，如图2所示，具备主体114以及凸块116-1～116-14。在从上侧观察时，主体114为呈长方形的板状。以下，将主体114的上侧的主面称为表面，将主体114的下侧的主面称为背面。

凸块116-1～116-14(第1凸块～第n凸块的一个例子)被设置在主体 114的背面上，是被用于与多层基板12的连接的外部端子。凸块116-1～ 116-14例如由金等金属制作，在安装前的状态下为球状或者半球状。凸块 116-1～116-14沿着主体114的背面的外缘排列。具体而言，凸块116-1～ 116-4沿着主体114的背面的左侧的边从后侧向前侧依次排列。凸块 116-4～116-7沿着主体114的背面的前侧的边从左侧向右侧依次排列。凸块116-7～116-11沿着主体114的背面的右侧的边从前侧向后侧依次排列。凸块116-11～116-14沿着主体114的背面的后侧的边从右侧向左侧依次排列。凸块116-1～116-14在左右方向以及前后方向上相邻的凸块彼此的间隔不均一。由此，存在凸块116-1～116-14被密集地配置的区域和凸块 116-1～116-14被稀疏地配置的区域。

多层基板12是安装部件14所被安装的柔性基板。如图3所示，多层基板12具备：坯体11、保护层17、外部电极20-1～20-14、24-1～24-14、布线导体层22-1～22-3、虚设导体层26-1、28-1以及通孔导体v1～v4。另外，虽然除了布线导体层22-1～22-3以外还设置了布线导体层，但布线导体层22-1～22-3以外的布线导体层在图3中省略。同样地，虽然除了通孔导体v1～v4以外还设置了通孔导体，但通孔导体v1～v4以外的通孔导体在图3中省略。此外，在图3中，仅对代表性的布线导体层以及通孔导体付与参照符号。

如图3所示，坯体11在从上侧观察时，是呈长方形的柔性的板状部件。坯体11的长边与左右方向平行。如图3所示，坯体11是绝缘体片16-1～ 16-5(多个绝缘体层的一个例子)从上侧向下侧依次层叠构成的层叠体。以下，将坯体11的上侧的主面称为表面，将坯体11的下侧的主面称为背面。

如图3所示，绝缘体片16-1～16-5在从上侧观察时，呈长方形，呈与坯体11相同的形状。绝缘体片16-1～16-5的长边与左右方向平行。绝缘体片16-1～16-5是由聚酰亚胺或液晶聚合物等具有柔性的热塑性树脂制作的绝缘体层。以下，将绝缘体片16-1～16-5的上侧的主面称为表面，将绝缘体片16-1～16-5的下侧的主面称为背面。

外部电极20-1～20-14(第1外部电极～第n外部电极的一个例子)是长方形的导体层，在绝缘体片16-1的表面，被设置为与凸块116-1～116-14 对应。以下，对外部电极20-1～20-14的配置更详细地进行说明。

在多层基板12中，将从上侧观察时与安装部件14重叠的区域称为区域A0。外部电极20-1～20-14在区域A0内沿着区域A0的外缘排列。具体而言，外部电极20-1～20-4沿着区域A0的左侧的边从后侧向前侧依次排列。外部电极20-4～20-7沿着区域A0的前侧的边从左侧向右侧依次排列。外部电极20-7～20-11沿着区域A0的右侧的边从前侧向后侧依次排列。外部电极20-11～20-14沿着区域A0的后侧的边从右侧向左侧依次排列。

另外，外部电极20-1～20-14中相邻的外部电极彼此的左右方向以及前后方向的间隔不均一。由此，存在外部电极20-1～20-14被密集地配置的区域和外部电极20-1～20-14被稀疏地配置的区域。其结果，从上侧观察时，从外部电极20-1～20-14的每一个到最近的外部电极的距离也不均一。因此，如以下那样定义距离D1～D14(参照图4)。

(1)距离D1：从上侧观察时，从外部电极20-1到外部电极20-1～ 20-14内的距外部电极20-1最近的外部电极(外部电极20-2)的距离

(2)距离D2：从上侧观察时，从外部电极20-2到外部电极20-1～20-14内的距外部电极20-2最近的外部电极(外部电极20-3)的距离

(3)距离D3：从上侧观察时，从外部电极20-3到外部电极20-1～ 20-14内的距外部电极20-3最近的外部电极(外部电极20-4)的距离

(4)距离D4：从上侧观察时，从外部电极20-4到外部电极20-1～ 20-14内的距外部电极20-4最近的外部电极(外部电极20-3)的距离

(5)距离D5：从上侧观察时，从外部电极20-5到外部电极20-1～ 20-14内的距外部电极20-5最近的外部电极(外部电极20-4)的距离

(6)距离D6：从上侧观察时，从外部电极20-6到外部电极20-1～ 20-14内的距外部电极20-6最近的外部电极(外部电极20-7)的距离

(7)距离D7：从上侧观察时，从外部电极20-7到外部电极20-1～ 20-14内的距外部电极20-7最近的外部电极(外部电极20-8)的距离

(8)距离D8：从上侧观察时，从外部电极20-8到外部电极20-1～ 20-14内的距外部电极20-8最近的外部电极(外部电极20-9)的距离

(9)距离D9：从上侧观察时，从外部电极20-9到外部电极20-1～ 20-14内的距外部电极20-9最近的外部电极(外部电极20-10)的距离

(10)距离D10：从上侧观察时，从外部电极20-10到外部电极20-1～ 20-14内的距外部电极20-10最近的外部电极(外部电极20-11)的距离

(11)距离D11：从上侧观察时，从外部电极20-11到外部电极20-1～ 20-14内的距外部电极20-11最近的外部电极(外部电极20-10)的距离

(12)距离D12：从上侧观察时，从外部电极20-12到外部电极20-1～ 20-14内的距外部电极20-12最近的外部电极(外部电极20-13)的距离

(13)距离D13：从上侧观察时，从外部电极20-13到外部电极20-1～ 20-14内的距外部电极20-13最近的外部电极(外部电极20-14)的距离

(14)距离D14：从上侧观察时，从外部电极20-14到外部电极20-1～ 20-14内的距外部电极20-14最近的外部电极(外部电极20-13)的距离

将距离D1～D14的平均定义为平均Dave。在该情况下，距离D1～ D14以及平均Dave之间，以下的式(1)成立。

D1＞D2＝D6＞D7＞Dave＞D5＝D8＝D9＝D10＝D11＞D3＝D4＝ D12＝D13＝D14···(1)

如以上那样配置的外部电极20-1～20-14被用于安装部件14的安装。具体而言，外部电极20-1～20-14分别通过超声波焊接来与凸块116-1～ 116-14接合(也称为超声波接合)。在超声波焊接时，如图6所示，凸块 116-1～116-14的下端稍微挤压。也就是说，凸块116-1～116-14不是以点来与外部电极20-1～20-14接触，而是以面来与外部电极20-1～20-14接触。

保护层17是覆盖绝缘体片16-1的表面的大致整面的树脂层。其中，如图3所示，在保护层17设置有长方形的开口21-1～21-14。所谓开口 21-1～21-14，是指未设置保护层17的部分。外部电极20-1～20-14分别经由开口21-1～21-14而在多层基板12的外部露出。

外部电极24-1～24-14在从上侧观察时呈长方形，被用于印刷布线板等向电路基板(未图示)的安装并且外部电极24-1～24-14内的至少一部分电连接于电路基板。外部电极24-1～24-14沿着绝缘体片16-5的背面的外缘排列。具体而言，外部电极24-1～24-4沿着绝缘体片16-5的背面的左侧的边从后侧向前侧依次排列。外部电极24-4～24-8沿着绝缘体片16-5 的背面的前侧的边从左侧向右侧依次排列。外部电极24-8～24-10沿着绝缘体片16-5的背面的右侧的边从前侧向后侧依次排列。外部电极24-10～ 24-14沿着绝缘体片16-5的背面的后侧的边从右侧向左侧依次排列。

布线导体层22-1～22-3(第2平面导体的一个例子)分别是被设置于绝缘体片16-2～16-4的表面的线状的平面导体。也就是说，布线导体层 22-1～22-3被设置于坯体11内。通孔导体v1～v4分别在上下方向贯通绝缘体片16-2～16-5。通孔导体v1将布线导体层22-1与布线导体层22-2连接。通孔导体v2将布线导体层22-2与布线导体层22-3连接。通孔导体 v3、v4将布线导体层22-3与外部电极24-1～24-14连接。另外，在绝缘体片16-1也设置通孔导体以及布线导体层，但在图3中省略。经由以上的布线导体层22-1～22-3、通孔导体v1～v4、未图示的布线导体层以及未图示的通孔导体，外部电极20-1～20-14与外部电极24-1～24-14被电连接。

另外，为了抑制安装部件在多层基板上倾斜，多层基板12具备虚设导体层26-1、28-1(第1虚设导体/第1平面导体的一个例子)。以下，对虚设导体层26-1、28-1更详细地进行说明。

首先，如图5所示，从上侧观察时，将以外部电极20-1～20-14(第m 外部电极的一个例子)各自的重心为中心且以距离D1～D14(距离Dm的一个例子)分别为半径的圆形的区域定义为区域A1～A14(区域Am的一个例子)(图5中，仅图示区域A11、A14)。

虚设导体层26-1、28-1分别是被设置于绝缘体片16-2的表面(即，坯体11内)的长方形的平面导体，通过不与其他导体连接而成为浮动状态。所谓浮动状态，是指导体不与电源电位等连接的状态。虚设导体层 26-1、28-1分别在从上侧观察时被设置于区域A14、A11内。在本实施方式中，虚设导体层26-1呈在左右方向延伸的带状，从上侧观察时，与外部电极20-13、20-14重叠。此外，虚设导体层28-1呈在前后方向延伸的带状，从上侧观察时，与外部电极20-10、20-11重叠。区域A14、A11是以小于平均Dave的距离D3～D5、D8～D14为半径的区域A3～A5、A8～ A14内的至少一部分的区域。

由于在区域A3～A5、A8～A14所对应的外部电极20-3～20-5、20-8～ 20-14的附近存在外部电极，因此区域A3～A5、A8～A14是外部电极被密集地配置的区域。因此，在外部电极被密集地配置的区域A3～A5、A8～ A14内的至少一部分的区域A14、A11内的每一个，配置虚设导体层26-1、 28-1。特别地，设置虚设导体层26-1的区域A14是以最小的距离D14为半径的区域。设置虚设导体层28-1的区域A11是以第6小的距离D11为半径的区域。

<部件安装基板的制造方法>

以下，参照附图来对部件安装基板10的制造方法进行说明。图7～图 10是部件安装基板10的制造时的剖面构造图。以下，以制作一个多层基板12的情况为例来进行说明，实际上，通过大片的绝缘体片被层叠以及切割，同时制作多个多层基板12。

首先，准备通过液晶聚合物制作的绝缘体片16-1～16-5。接下来，在绝缘体片16-1～16-5的一个主面的整面形成铜箔。具体而言，在绝缘体片 16-1～16-4的表面粘贴铜箔。在绝缘体片16-5的背面粘贴铜箔。进一步地，在绝缘体片16-1～16-5的铜箔的表面实施例如用于防锈的锌镀覆并平滑化。另外，也可以使用铜箔以外的金属箔。

接下来，通过将形成于绝缘体片16-1的表面上的铜箔图案化，从而如图3所示，将外部电极20-1～20-14以及未图示的布线导体层形成在绝缘体片16-1的表面上。具体而言，在绝缘体片16-1的表面的铜箔上，印刷与图3所示的外部电极20-1～20-14以及未图示的布线导体层相同的形状的抗蚀剂。然后，通过对铜箔实施蚀刻处理，去除未被抗蚀剂覆盖的部分的铜箔。然后，喷吹清洗液(抗蚀剂除去液)来去除抗蚀剂。由此，图3 所示的外部电极20-1～20-14以及未图示的布线导体层通过光刻工序而形成在绝缘体片16-1的表面上。

接下来，如图3所示，将布线导体层22-1～22-3以及虚设导体层26-1、 28-1分别形成在绝缘体片16-2～16-4的表面上。此外，如图3所示，将外部电极24-1～24-14形成在绝缘体片16-5的背面上。另外，布线导体层 22-1～22-3、外部电极24-1～24-14以及虚设导体层26-1、28-1的形成工序与外部电极20-1～20-14以及未图示的布线导体层的形成工序相同，因此省略说明。

接下来，通过对绝缘体片16-1～16-5的通孔导体v1～v4以及未图示的通孔导体形成的位置照射激光束来形成贯通孔。并且，向贯通孔填充以铜或银等金属为主成分的导电性膏。

接下来，通过热压接来形成多层基板12。具体而言，如图7所示，在将绝缘体片16-1～16-5层叠后，对绝缘体片16-1～16-5实施加压处理以及加热处理(即，热压接)。加压处理通过从上下方向夹着绝缘体片16-1～ 16-5而进行。通过对绝缘体片16-1～16-5实施加压处理以及加热处理，绝缘体片16-1～16-5软化并且贯通孔内的导电性膏固化。由此，绝缘体片 16-1～16-5被接合，并且形成通孔导体v1～v4。通过以上的工序，如图8 所示，形成坯体11。

接下来，如图9所示，通过利用丝网印刷来涂敷树脂(抗蚀剂)膏，从而在绝缘体片16-1的表面上形成保护层17。经由以上的工序，多层基板12完成。

接下来，如图10所示，在多层基板12对安装部件14进行安装。具体而言，将安装部件14配置在多层基板12上，以使得外部电极20-1～20-14 与凸块116-1～116-14接触。然后，将超声波接合机T按压于安装部件14 的上表面，使超声波接合机T进行动作。由此，超声波振动经由主体114 而传到凸块116-1～116-14以及外部电极20-1～20-14。并且，外部电极20-1～20-14与凸块116-1～116-14通过超声波振动而冶金结合。经由以上的工序，部件安装基板10完成。

<效果>

根据如以上那样构成的部件安装基板10以及多层基板12，能够抑制安装部件14在多层基板12上倾斜。作为多层基板12的比较例所涉及的多层基板，举例不具备虚设导体层26-1、28-1的多层基板。比较例所涉及的多层基板的各构成的参照符号援用多层基板12的参照符号。

在比较例所涉及的多层基板中，区域A3～A5、A8～A14是以小于平均Dave的距离D3～D5、D8～D14为半径的区域。由于在这样的区域A3～ A5、A8～A14所对应的外部电极20-3～20-5、20-8～20-14的附近存在外部电极，因此区域A3～A5、A8～A14是外部电极被密集地配置的区域。另一方面，区域A1、A2、A6、A7是外部电极被稀疏地配置的区域。因此，在比较例所涉及的多层基板中，在超声波接合时，施加于区域A3～ A5、A8～A14的力比施加于区域A1、A2、A6、A7的力大。其结果，区域A3～A5、A8～A14比区域A1、A2、A6、A7更大地下陷，安装部件 14倾斜。

因此，在多层基板12中，虚设导体层26-1、28-1在从上侧观察时被设置于区域A3～A5、A8～A14内的一部分的区域A14、A11内。虚设导体层26-1、28-1比绝缘体片16-1～16-5难以变形。因此，虚设导体层26-1、 28-1对区域A14、A11下陷进行抑制。其结果，根据部件安装基板10以及多层基板12，能够抑制安装部件14在多层基板12上倾斜。并且，若安装部件14倾斜被抑制，则产生安装部件14破损等问题被抑制。

此外，根据部件安装基板10以及多层基板12，通过以下的理由，也能够更加有效地抑制安装部件14在多层基板12上倾斜。区域A14是以最小的距离D14为半径的区域。因此，在安装部件14的安装时，区域A14 下陷的量在区域A1～A14下陷的量之中最大。其中，区域A3、A4、A12、 A13、A14下陷的量实质相互相等。因此，在多层基板12中，虚设导体层 26-1在从上侧观察时被设置于区域A14内。由此，由于下陷较大的区域的数量减少，因此安装部件14在多层基板12上倾斜被有效地抑制。另外，最优选虚设导体层被设置于下陷较大的区域A3、A4、A12、A13、A14内的全部。

此外，根据部件安装基板10以及多层基板12，虚设导体层26-1、28-1 被设置于与设置有外部电极20-1～20-14的绝缘体片16-1不同的绝缘体片 16-2。因此，虚设导体层26-1、28-1与外部电极20-1～20-14短路被抑制。

(第1变形例)

以下，参照附图来对第1变形例所涉及的多层基板以及部件安装基板进行说明。图11是从上侧观察第1变形例所涉及的多层基板12a的绝缘体片16-2的图。图12是第1变形例所涉及的部件安装基板10a的剖面构造图。

多层基板12a在以下2方面与多层基板12不同。第1不同点是虚设导体层26-1、28-1的形状以及位置。第2不同点是虚设导体层26-2、28-2、 30-1、32-1、34-1、36-1、30-2、32-2、34-2、36-2、40-1、42-1、44-1、46-1、 40-2、42-2、44-2、46-2(第2虚设导体的一个例子)(虚设导体层30-2、 34-2、40-2、42-2、44-2、46-2在图11以及图12中未图示)的有无。以下，以所涉及的第1不同点以及第2不同点为中心，对多层基板12a以及部件安装基板10a进行说明。

首先，对第1不同点进行说明。虚设导体层26-1、28-1从上侧观察时呈长方形。此外，虚设导体层26-1从上侧观察时位于外部电极20-13与外部电极20-14之间，不与外部电极20-13、20-14重叠。

接下来，对第2不同点进行说明。虚设导体层26-2、28-2分别是被设置于与设置有虚设导体层26-1、28-1的绝缘体片16-2不同的绝缘体片16-3 的表面(即，坯体11内)的长方形的导体层，通过不与其他导体连接而成浮动状态。虚设导体层26-2呈与虚设导体层26-1相同的形状，从上侧观察时，在与虚设导体层26-1一致的状态重叠。虚设导体层28-2呈与虚设导体层28-1相同的形状，从上侧观察时，在与虚设导体层28-1一致的状态下重叠。

虚设导体层30-1、32-1、34-1、36-1分别被设置于设置有虚设导体层 26-1的绝缘体片16-2的表面，被配置为包围虚设导体层26-1的周围。也就是说，虚设导体层30-1、32-1、34-1、36-1在从上侧观察时不与虚设导体层26-1重叠。具体而言，虚设导体层30-1相对于虚设导体层26-1被配置于右侧。虚设导体层32-1相对于虚设导体层26-1被配置于后侧。虚设导体层34-1相对于虚设导体层26-1被配置于左侧。虚设导体层36-1相对于虚设导体层26-1被配置于前侧。其中，虚设导体层30-1、32-1、34-1、 36-1的中心在从上侧观察时被配置于区域A14内。

虚设导体层30-2、32-2、34-2、36-2分别被设置于设置有虚设导体层 26-2的绝缘体片16-3的表面，被配置为包围虚设导体层26-2的周围。也就是说，虚设导体层30-2、32-2、34-2、36-2不与虚设导体层26-1、26-2 重叠。具体而言，虚设导体层30-2相对于虚设导体层26-2被配置于右侧。虚设导体层32-2相对于虚设导体层26-2被配置于后侧。虚设导体层34-2 相对于虚设导体层26-2被配置于左侧。虚设导体层36-2相对于虚设导体层26-2被配置于前侧。其中，虚设导体层30-2、32-2、34-2、36-2的中心在从上侧观察时被配置于区域A14内。

虚设导体层40-1、42-1、44-1、46-1分别被设置于设置有虚设导体层 28-1的绝缘体片16-2的表面，被配置为包围虚设导体层28-1的周围。也就是说，虚设导体层40-1、42-1、44-1、46-1不与虚设导体层28-1重叠。具体而言，虚设导体层40-1相对于虚设导体层28-1被配置于右侧。虚设导体层42-1相对于虚设导体层28-1被配置于后侧。虚设导体层44-1相对于虚设导体层28-1被配置于左侧。虚设导体层46-1相对于虚设导体层28-1 被配置于前侧。其中，虚设导体层40-1、42-1、44-1、46-1的中心在从上侧观察时被配置于区域A11内。

虚设导体层40-2、42-2、44-2、46-2分别被设置于设置有虚设导体层 28-2的绝缘体片16-3的表面，被配置为包围虚设导体层28-2的周围。也就是说，虚设导体层40-2、42-2、44-2、46-2不与虚设导体层28-1、28-2 重叠。具体而言，虚设导体层40-2相对于虚设导体层28-2被配置于右侧。虚设导体层42-2相对于虚设导体层28-2被配置于后侧。虚设导体层44-2 相对于虚设导体层28-2被配置于左侧。虚设导体层46-2相对于虚设导体层28-2被配置于前侧。其中，虚设导体层40-2、42-2、44-2、46-2的中心在从上侧观察时被配置于区域A11内。

以上那样构成的多层基板12a以及部件安装基板10a能够起到与多层基板12以及部件安装基板10相同的作用效果。

此外，在多层基板12a以及部件安装基板10a中，在虚设导体层26-1 的周围设置虚设导体层30-1、32-1、34-1、36-1。由此，在多层基板12a 的压焊时等，能够通过虚设导体层30-1、32-1、34-1、36-1来阻碍虚设导体层26-1在前后左右方向偏离。针对虚设导体层26-2、28-1、28-2也能够通过相同的理由来阻碍在前后左右方向偏离。因此，能够使虚设导体层 26-1、26-2、28-1、28-2有效地发挥作用，能够有效地抑制安装部件14在多层基板12上倾斜。

(第2变形例)

以下，参照附图来对第2变形例所涉及的多层基板以及部件安装基板进行说明。图13是从上侧观察第2变形例所涉及的多层基板12b的绝缘体片16-2的图。图14是第2变形例所涉及的部件安装基板10b的剖面构造图。

如图13所示，多层基板12b在虚设导体层26-1、26-2、28-1、28-2、 30-1、32-1、34-1、36-1、30-2、32-2、34-2、36-2、40-1、42-1、44-1、46-1、 40-2、42-2、44-2、46-2被设置的位置方面与多层基板12a不同。更详细地，虚设导体层26-1、26-2在从上侧观察时与外部电极20-14重叠。此外，虚设导体层28-1、28-2在从上侧观察时与外部电极20-11重叠。多层基板 12b中的虚设导体层26-1、26-2、28-1、28-2与虚设导体层30-1、32-1、 34-1、36-1、30-2、32-2、34-2、36-2、40-1、42-1、44-1、46-1、40-2、42-2、 44-2、46-2的位置关系相同于多层基板12a这些的位置关系，因此省略说明。

如以上那样构成的多层基板12b以及部件安装基板10b能够起到与多层基板12b以及部件安装基板10b相同的作用效果。

此外，虚设导体层26-1、26-2位于外部电极20-1的正下方。因此，在安装部件14的安装时，能够通过虚设导体层26-1、26-2来有效地抑制外部电极20-1被向下侧按压沉降。通过相同的理由，外部电极20-6也被抑制向下侧沉降。其结果，能够更加有效地抑制安装部件14在多层基板 12上倾斜。

此外，在多层基板12b中，虚设导体层26-1位于外部电极20-14的正下方。因此，虚设导体层26-1在安装部件14的安装时，被外部电极20-14 以较大的力向下侧按压。由此，虚设导体层26-1可能在前后左右方向偏离。

因此，在多层基板12b以及部件安装基板10b中，在虚设导体层26-1 的周围设置虚设导体层30-1、32-1、34-1、36-1。由此，在多层基板12b 的压焊时等，能够通过虚设导体层30-1、32-1、34-1、36-1来阻碍虚设导体层26-1在前后左右方向偏离。这样，在外部电极20-1的正下方配置有虚设导体层26-1的多层基板12b中，更加优选设置虚设导体层30-1、32-1、 34-1、36-1。另外，虚设导体层26-2、28-1、28-2也通过相同的理由从而在前后左右方向偏离被抑制。

如以上那样，通过调整配置于上下的虚设导体层的数量、配置于前后方向或者左右方向的虚设导体层的数量，能够调整外部电极下陷的量。

(第3变形例)

以下，参照附图来对第3变形例所涉及的多层基板以及部件安装基板进行说明。图15是从上侧观察第3变形例所涉及的多层基板12c的绝缘体片16-2的图。图16是第3变形例所涉及的部件安装基板10c的剖面构造图。

如图15以及图16所示，多层基板12c在未设置虚设导体层30-1、30-2、 32-1、32-2、34-1、34-2、36-1、36-2、40-1、40-2、42-1、42-2、44-1、44-2、 46-1、46-2这方面与多层基板12a不同。这样，虚设导体层30-1、30-2、 32-1、32-2、34-1、34-2、36-1、36-2、40-1、40-2、42-1、42-2、44-1、44-2、 46-1、46-2不是必须的。

(第4变形例)

以下，参照附图来对第4变形例所涉及的多层基板进行说明。图17 是第4变形例所涉及的部件安装基板10d的剖面构造图。

多层基板12d在虚设导体层26-2的配置方面与多层基板12c不同。在多层基板12d中，虚设导体层26-2(第2虚设导体的一个例子)在从上方观察时，不与虚设导体层26-1(第1虚设导体的一个例子)重叠，并且被设置于与设置有虚设导体层26-1的绝缘体片16-2不同的绝缘体片16-3。这样，虚设导体层26-1和虚设导体层26-2在从上方观察时，也可以不重叠。

此外，虽然在图17中未表示，但虚设导体层28-2在从上方观察时，不与虚设导体层28-1重合，并且被设置于与设置有虚设导体层28-1的绝缘体片16-2不同的绝缘体片16-3。其中，由于虚设导体层28-1、28-2在从上侧观察时相对于外部电极20-11位于前侧，因此在图17中未标记。

(第5变形例)

以下，参照附图来对第5变形例所涉及的多层基板进行说明。图18 是第5变形例所涉及的部件安装基板10e的剖面构造图。

多层基板12e在虚设导体层26-2的配置方面与多层基板12d不同。在多层基板12e中，虚设导体层26-2(第2虚设导体的一个例子)在从上方观察时，不与虚设导体层26-1(第1虚设导体的一个例子)重叠，并且被设置于设置有虚设导体层26-1的绝缘体片16-2。在本实施方式中，虚设导体层26-2相对于虚设导体层26-1位于右侧。

此外，虽然在图18中未表示，但虚设导体层28-2在从上方观察时，不与虚设导体层28-1重叠，并且被设置于设置有虚设导体层28-1的绝缘体片16-2。其中，由于虚设导体层28-1、28-2在从上侧观察时，相对于外部电极20-11位于前侧，因此图18中未标记。

(第6变形例)

以下，参照附图来对第6变形例所涉及的多层基板进行说明。图19 是第6变形例所涉及的部件安装基板10f的剖面构造图。

多层基板12f取代虚设导体层26-1，具备虚设通孔导体vd1～vd3(第 1虚设导体/第1通孔导体的一个例子)，在取代虚设导体层28-1而具备虚设通孔导体vd4～vd6(关于虚设通孔导体vd5、vd6未图示)这方面，与多层基板12不同。

虚设通孔导体vd1～vd3在从上侧观察时被设置于区域A14内，从左侧向右侧依次排列。虚设通孔导体vd4～vd6在从上侧观察时被设置于区域A11内，从后侧向前侧依次排列。因此，虚设通孔导体vd5、vd6在图 19中未标记。虚设通孔导体vd1～vd6在上下方向贯通绝缘体片16-2，通过不与其他导体连接而成为浮动状态。从虚设通孔导体vd1～vd6的材料能够通过与其他通孔导体v1～v4(第2通孔导体的一个例子)相同的工序来形成的观点出发，优选与不是浮动状态的其他通孔导体v1～v4的材料相同。

如以上那样构成的多层基板12f以及部件安装基板10f能够起到与多层基板12以及部件安装基板10相同的作用效果。

(第7变形例)

以下，参照附图来对第7变形例所涉及的多层基板进行说明。图20 是第7变形例所涉及的部件安装基板10g的剖面构造图。

多层基板12g在还具备虚设导体层26-1、26-2、28-1、28-2这方面，与多层基板12f不同。由于多层基板12f的虚设导体层26-1、28-1是与多层基板12的虚设导体层26-1、28-1相同的形状，因此省略说明。此外，虚设导体层26-2、28-2呈与虚设导体层26-1、28-1相同的形状，因此从上侧观察时，在一致的状态下重叠。虚设导体层26-2、28-2被设置于绝缘体片16-3。

虚设通孔导体vd1～vd3在上下方向贯通绝缘体片16-2，将虚设导体层26-1(第1虚设导体的一个例子)和虚设导体层26-2(第2虚设导体的一个例子)连接。虚设通孔导体vd1～vd3以及虚设导体层26-1、26-2不与其他导体层连接，成为浮动状态。

虚设通孔导体vd4～vd6在上下方向贯通绝缘体片16-2，将虚设导体层28-1与虚设导体层28-2连接。虚设通孔导体vd4～vd6以及虚设导体层 28-1、28-2不与其他导体层连接，成为浮动状态。

如以上那样构成的多层基板12g以及部件安装基板10g能够起到与多层基板12f以及部件安装基板10f相同的作用效果。

此外，在多层基板12g以及部件安装基板10g中，虚设导体层26-1 与虚设导体层26-2通过虚设通孔导体vd1～vd3而被连接。由此，虚设导体层26-1与虚设导体层26-2在前后左右方向偏离被抑制。针对虚设导体层28-1、28-2，也可以说与虚设导体层26-1、26-2相同。

此外，在多层基板12g以及部件安装基板10g中，由于虚设导体层 26-1、26-2以及虚设通孔导体vd1～vd3呈立体构造，因此外部电极20-3、 20-14下陷被更有效地抑制。

(其他实施方式)

本实用新型所涉及的多层基板、部件安装基板以及部件安装基板的制造方法并不局限于多层基板12、12a～12g、部件安装基板10、10a～10g 以及部件安装基板10、10a～10g的制造方法，在其主旨的范围内能够进行变更。

另外，也可以将多层基板12、12a～12g、部件安装基板10、10a～10g 以及部件安装基板10、10a～10g的制造方法的各构成任意组合。

另外，虽然虚设导体层以及虚设通孔导体在从上方观察时被设置于区域A11、A14内，但也可以被设置于区域A3～A5、A8～A14的全部。也就是说，虚设导体层以及虚设通孔导体被设置于以小于平均Dave的距离 D3～D5、D8～D14为半径的区域A3～A5、A8～A14内的至少一部分的区域即可。但是，虚设导体层以及虚设通孔导体为了有效地抑制区域的下陷，优选针对以较小距离为半径的区域优先设置。

另外，优选虚设导体层以及虚设通孔导体不被设置于以大于平均Dave 的距离D1、D2、D6、D7为半径的1个以上的区域A1、A2、A6、A7。但是，也可以被设置于以大于平均Dave的距离D1、D2、D6、D7为半径的1个以上的区域A1、A2、A6、A7内的至少一部分的区域A1、A2、A6、 A7内。在该情况下，区域A3～A5、A8～A14内的至少一部分的A3～A5、 A8～A14中的虚设导体层以及虚设通孔导体的每单位体积的密度比区域 A1、A2、A6、A7内的至少一部分的A1、A2、A6、A7中的虚设导体层以及虚设通孔导体的每单位体积的密度高。

另外，也可以取代虚设导体层26-1、26-2、28-1、28-2、30-1、30-2、 32-1、32-2、34-1、34-2、36-1、36-2、40-1、40-2、42-1、42-2、44-1、44-2、 46-1、46-2，使用由树脂等金属以外的材料制作的虚设层。优选虚设导体层26-1、26-2、28-1、28-2、30-1、30-2、32-1、32-2、34-1、34-2、36-1、 36-2、40-1、40-2、42-1、42-2、44-1、44-2、46-1、46-2的材料与布线导体层22-1～22-3的材料相同。进一步地，优选虚设导体层26-1、26-2、28-1、 28-2、30-1、30-2、32-1、32-2、34-1、34-2、36-1、36-2、40-1、40-2、42-1、 42-2、44-1、44-2、46-1、46-2的材料比绝缘体片16-1～16-5的材料硬。所谓硬，是指杨氏模量大。

另外，虽然外部电极20-1～20-14沿着区域A0的外缘排列，但并不局限于区域A0的外缘附近，例如，也可以被设置于区域A0的中心附近。

-产业上的可利用性-

如以上那样，本实用新型在多层基板、部件安装基板以及部件安装基板的制造方法中有用，特别地，在能够抑制安装部件在多层基板上倾斜着方面优异。

-符号说明-

10、10a～10g：部件安装基板

11：坯体

12、12a～12g：多层基板

14：安装部件

16-1～16-5：绝缘体片

17：保护层

20-1～20-14、24-1～24-14：外部电极

22-1～22-3：布线导体层

26-1、26-2、28-1、28-2、30-1、30-2、32-1、32-2、34-1、34-2、36-1、36-2、40-1、40-2、42-1、42-2、44-1、44-2、46-1、46-2：虚设导体层

114：主体

116-1～116-14：凸块

T：超声波接合机

v1～v4：通孔导体

vd1～vd6：虚设通孔导体。