技术总结
本发明公开了一种半导体器件失效定位方法，包括：开启半导体器件封装，露出器件芯片；在所述器件芯片表面涂覆液晶并加电，根据液晶颜色变化情况，确定失效点位置；对所述器件芯片进行逐层剥层直至所述失效点完全暴露；本发明验操作简单方便，将液晶技术引入到半导体器件失效分析中，弥补了微光显微镜设备昂贵的问题，同时，提出了半导体芯片干法刻蚀和湿法刻蚀中的相关参数及化学配比，能高效应用于常规Si半导体器件的剥层；将两者有效的结合起来，能够满足半导体器件深层失效分析定位及失效分析的需求。
技术研发人员：贺峤;范士海
受保护的技术使用者：航天科工防御技术研究试验中心
文档号码：201710001670
技术研发日：2017.01.03
技术公布日：2017.06.20