技术总结
本发明提出一种抗总剂量CMOS电路基本晶体管结构，属于抗辐照半导体技术领域。本发明适用于各种CMOS电路结构，能够提高CMOS电路的抗总剂量辐射能力，能够适用于超大规模集成电路。其特征在于，在传统NMOS晶体管N+源漏区的外围通过离子注入形成P+掺杂区，即对NMOS晶体管的源漏区进行N+和P+掺杂。本发明的优势在于，与传统半导体工艺完全兼容，无需增加额外的掩膜和工艺步骤，即可提高CMOS电路的抗总剂量辐射能力，而且适合于大规模集成。
技术研发人员：李平;陈孔滨
受保护的技术使用者：电子科技大学
文档号码：201710017901
技术研发日：2017.01.10
技术公布日：2017.05.31