技术特征：
技术总结
提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：再分布基底；互连基底，在再分布基底上；半导体芯片，在再分布基底上且在互连基底的孔中；金属层，在半导体芯片上；模制层，在半导体芯片和互连基底之间的间隙中。互连基底包括穿透其内部的孔。互连基底包括基础层和延伸穿过基础层的导电构件。互连基底的顶表面定位在金属层的顶表面的水平之上或之下的水平。
技术研发人员：金志澈;金载春;柳翰成;赵京淳;赵暎相;尹汝勋
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2017.01.13
技术公布日：2017.07.21