载台及其制备方法、加工装置及其操作方法与流程

本公开实施例涉及一种载台及其制备方法、加工装置及其操作方法。

背景技术：

当前的载台通常为金属或者大理石结构，为了能固定表面待加工的物体例如平板，载台通常使用卡板或者增设真空管道的方式对物体进行固定。但是传统的固定物体的方式会使得载台的结构复杂化，在增加成本的同时限制了载台工作效率的提高。

公开内容

针对上述问题，本公开至少一实施例提供一种载台及其制备方法、加工装置及其操作方法。

例如，本公开至少一实施例提供一种载台，包括：承载基底；设置于所述承载基底上的导电层，所述导电层配置为可提供静电吸附；覆盖所述承载基底上的导电层的绝缘层。

例如，本公开至少一实施例提供的载台还可以包括与所述导电层连通的静电发生器，所述静电发生器配置为向所述导电层提供静电。

例如，在本公开至少一实施例提供的载台中，所述承载基底和所述绝缘层可以为透明的。

例如，在本公开至少一实施例提供的载台中，所述绝缘层可以包括氮化硅、氧化硅或氧氮化硅。

例如，在本公开至少一实施例提供的载台中，所述导电层为引线图案层，所述引线图案可以包括折线形图案、弧线形图案、回字型图案和网格图案中至少一种或组合。

例如，在本公开至少一实施例提供的载台中，所述引线图案可以包括透明导电材料。

本公开至少一实施例提供一种加工装置，其包括上述中任一所述的载台。

例如，本公开至少一实施例提供的加工装置还可以包括涂布头，其配置为对放置在所述载台上的待处理平板的表面涂布涂层。

例如，本公开至少一实施例提供的加工装置还可以包括设置于所述载台的远离所述导电层一侧的检测单元，其配置为检测所述涂层的线宽。

例如，本公开至少一实施例提供的加工装置还可以包括曝光光源，其中，所述光源设置为通过吸附于所述载台上的掩模板进行曝光操作；或所述光源设置为通过设置在待处理平板上的掩模层进行曝光操作。

本公开至少一实施例提供一种载台的制备方法，该方法包括：提供承载基底；在所述承载基底上形成导电层，所述导电层可提供静电吸附；在所述导电层上形成绝缘层。

例如，本公开至少一实施例提供的操作方法还可以包括：提供静电发生器，将所述静电发生器与所述导电层连通。

本公开至少一实施例提供一种如上所述任一的加工装置的操作方法，该方法包括：控制所述静电发生器以向所述导电层提供静电吸附。

例如，本公开至少一实施例提供的操作方法还可以包括：对被吸附在载台上的待处理平板的表面涂布涂层。

例如，本公开至少一实施例提供的操作方法还可以包括：在所述载台上吸附掩模板并通过所述掩模板对所述载台上的待处理平板进行曝光操作；或对设置有掩模层的待处理平板进行曝光操作。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本发明的一些实施例，而非对本发明的限制。

图1a为本公开实施例提供的一种载台结构示意图；

图1b为图1a所示载台结构的俯视图；

图1c为图1b所示载台沿线AB的横截面结构示意图；

图2为本公开一个实施例提供的引线图案的类型示意图；

图3为本公开一个实施例提供的一种加工装置结构示意图；

图4a为本公开一个实施例提供的加工装置的一种横截面结构示意图；

图4b为本公开一个实施例提供的加工装置的另一种横截面结构示意图。

附图标记：

100-承载基底；200-导电层；300-静电发生器；400-绝缘层；500-平板；510-第一基板；520-第二基板；530-掩模板；540-涂层；600-光源；700-涂布头；800-检测单元。

具体实施方式

为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

当前的载台结构的固定待处理物体例如平板的方式过于复杂，由此导致装备载台的加工装置的工作效率难以提升，从而产品的不良率上升。例如，对于使用卡扣固定平板的方式，其操作比较繁琐并且可能会对平板造成损坏；例如，对于真空吸附固定平板的方式，其功耗较高并且故障排除困难，而且会复杂化载台结构。

当前载台的复杂结构使得加工装置难以同时进行多个制程操作。例如，在对产品进行封装固定的同时，因整个载台的结构复杂，其透光性受到限制，通常操作都在载台的一面进行，所以多个操作制程例如涂布涂层、检测、固化等难以同时进行。例如在封装固化过程中，当前的加工装置对产品中的几个点进行固化以稳固产品结构，然后在下个制程中对产品进行全面的固化处理，如此因固定面积有限可能导致产品质量不良，并且增加了制程的操作步骤，限制了产品的生产效率。

本公开的实施例提供了一种载台及其制备方法、加工装置及其操作方法，其可以用于解决上述问题。该载台包括：承载基底、设置于承载基底上的导电层、覆盖承载基底上的导电层的绝缘层，该导电层配置为可提供静电吸附。该载台包括的静电发生器可以向导电层中通入静电，利用静电吸附固定载台上的待处理物体例如平板、掩模板等，简化载台结构并在简化载台上待处理平板、掩模板等的固定方式的同时提高载台的工作效率和降低成本。例如，在本公开实施例中，还可以提供静电发生单元例如静电发生器，该静电发生器与导电层连通以向导电层提供静电。导电层上带有静电的方式可以有多种，本公开对此不做限制，但是为便于理解本公开的技术方案，在本公开下述实施例中，以通过静电发生器为导电层提供静电为例进行说明。

实施例提供的载台的静电吸附的力度高、持续性强且可以根据需要调整，通过绝缘设置静电吸附力也可以不受湿度等外界因素的影响；而且例如静电发生器关闭后能快速剥离被吸附物体，反应速度快；在例如载台运行之前不产生静电吸附力，不会发生例如采用真空装置因操作延迟导致的产品粘贴于载台上的故障等。所以采用静电吸附固定载台上例如待处理平板的方法的操作性简单、安全并且快捷。

需要说明的是，本公开的实施例的载台的技术方案可以应用于所有对物体进行固定的技术之中，而不限于对平板的固定。为便于解释本公开的技术方案，在本公开的一些实施例中，载台上的待处理物体为平板为例进行说明；在本公开的另一些实施例中，载台上的待处理物体为平板并进一步以显示面板为例进行说明。

图1a为本公开实施例提供的一种载台结构示意图，图1b为图1a所示载台结构的俯视图。例如如图1a和图1b所示，该载台包括：承载基底100、设置于承载基底100上的导电层200、覆盖承载基底100上的导电层200的绝缘层(图中未示出，参考图1b中的绝缘层400)和与导电层连通的静电发生器300。静电发生器300通过连线与导电层200连通，通过向导电层200充放电(提供静电荷)控制导电层200的静电吸附的开关，并且静电吸附力的大小可以通过静电发生器300的静电电压来进行调节。示例性的，例如当载台需要固定位于其上的待处理平板时，静电发生器300向导电层200加电，导电层与载台上的待处理平板之间产生静电吸附，待处理平板会固定在载台上；当载台需要放开固定其上的待处理平板时，静电发生器300从导电层200中导出电荷，导电层200中的静电荷消失，导电层200与载台上的待处理平板之间的静电吸附作用消失，待处理平板可以从载台上分离。

例如，在本公开的实施中，为使得载台上的导电层可以取得良好的静电效果，静电发生器对导电层施加电压后的电流强度可以较小，例如瞬间最大电流不大于1mA。

图1c为图1b所示载台沿线AB的横截面结构示意图。例如如图1c所示，绝缘层400覆盖所述导电层200。绝缘层400将导电层200与其上的待处理平板分离开，以免两者接触而导致静电吸附失效。例如，绝缘层400可以为有机或无机的绝缘材料，只要其可以阻隔静电即可。例如，绝缘层400的材料可以为氧化硅、氮化硅、氧氮化硅等。例如，绝缘层400需要平坦化，即其远离承载基底100的表面为平面以保证其上的待处理平板的在后续工艺中的加工质量。例如，也可以通过尽量减小导电层200的厚度以使得载台的表面即绝缘层400的表面尽量平坦，例如，导电层200的厚度可以为几个微米级别以下。

绝缘层400的厚度可以根据实际工艺选择，只要其可以保证静电吸附作用力并且可以防止被阻隔导电层200上的静电击穿即可。例如，绝缘层400的材料为氧化硅，在20摄氏度条件下其每微米厚度击穿电压约为43伏，如果设计静电电压为1000伏，则绝缘层400的厚度需要在25微米以上；例如，绝缘层400的材料为氮化硅，在20摄氏度条件下其每微米厚度击穿电压可以达到1200伏，如果设计静电电压为1000伏，则绝缘层400只需要不足1微米的厚度即可。同时，考虑到导电层200的厚度，以及为防止绝缘层400受到例如划伤而造成的局部厚度变薄，可以适当增加绝缘层的厚度，例如，绝缘层400最薄处的厚度可以在10～1000微米之间。

导电层为一个整体的平面结构时，可能会导致导电层中的静电释放延缓等一系列问题，使得在关闭静电发生器之后，载台上仍会存在静电吸附而不易将平板取走。例如，在本公开实施例中，导电层可以块状图案也可以为引线图案层。更进一步的，例如，该引线图案的类型可以为折线形图案、弧线形图案、回字型图案和网格图案中的一种或者组合。图2为本公开实施例提供的引线图案的类型示意图，其为上述各类引线图案中的其中一种或者变型。例如如图2所示，只要引线图案中的引线在承载基底上的分布状态可以使得静电吸附在将待处理平板固定即可取得同样的技术效果。引线图案中引线的分布状态可以使得静电荷在整体上为均匀分布状态以使得静电吸附力分布均匀。

例如，在本公开实施例中，引线图案的形成方式可以为多种。示例性的，例如，可以通过掩模(例如线形图案)或打印工艺直接在承载基底上形成例如线型的引线图案；例如，还可以先在承载基底上形成整层的导电层，然后对其进行构图工艺处理以形成引线图案。另外，该引线图案还可以形成为嵌入到承载基底之中。在引线图案的端部还可以形成连接端子以便于之后与静电发生器连接。

在本实施例中，构图工艺例如可以为光刻构图工艺，其例如可以包括：在需要被构图的导电层上涂覆光刻胶层，使用掩模板对光刻胶层进行曝光，对曝光的光刻胶层进行显影以得到光刻胶图案，使用光刻胶图案对导电层进行蚀刻，然后可选地去除光刻胶图案。

例如，在本公开实施例中，引线图案的引线的材料为导电材料，优选为透明导电材料，例如为氧化铟锡、氧化铟锌等。例如，引线图案的光透率可以在75％以上已达到良好的透光效果，更为优选的，引线图案的光透率为90％以上，例如95％以上。例如，在本公开实施例中，承载基底和绝缘层可以为透明的。当载台中的承载基底、导电层(引线图案)和绝缘层为透明时，载台为透明的，增加了在后续的对待处理平板的加工处理的维面(即多方位操作同时进行)，例如可以透过载台对平板的相关制程进行操作(具体参考下述加工装置中的相关实施例)。

例如，在本公开实施例中，承载基底的材料可以为石英玻璃等透明材料。

本公开至少一实施例提供一种加工装置，该加工装置包括上述任一实施例中的载台。

例如，在本公开实施例中，加工装置还可以包括涂布头，其配置为对放置在所述载台上的待处理平板的表面涂布涂层。

图3为本公开实施例提供的一种加工装置结构示意图。例如如图3所示，该加工装置包括载台和涂布头700。该涂布头700例如可以由涂布装置控制以例如在待处理平板上涂布涂层540。例如，该涂层可以为OLED显示面板封装工艺过程中的封框胶，或液晶面板中对盒工艺中的封框胶等，该封框胶例如可以将平板500的不同基板例如第一基板510和第二基板(图中未示出，参考图4a中的第二基板520)贴合起来。示例性的，例如该平板500为显示面板，在显示面板的制备过程中，涂层540可以用于将阵列基板和对置基板进行贴合。

涂层的线宽质量影响产品良率。在本公开实施例中，加工装置还可以包括设置于载台的远离导电层一侧的检测单元。例如如图3所示，例如在载台为透明的情况下(具体参考上述实施例相应内容)，平板500的上表面(其远离载台的一侧)可以由涂布头700涂布涂层540；而在平板500的下表面(其靠近载台的一侧)方向上，检测单元800可以透过载台对平板500中的涂层540的线宽进行实时检测。检测单元800例如可以与涂布头700所在的涂布装置连通，以保证涂层540的涂布质量。示例性的，例如涂布装置可以根据检测单元800的检测信号，对于线宽未达要求的部分重新进行涂布以使得涂层540的线宽符合要求、均匀分布。例如，检测单元800可以为摄像头，其例如与控制器(例如中央处理器(CPU)等)连接，该控制器获取检测单元800采集到的图像，然后对采集到的图像进行分析以确定所涂布的涂层的线宽是否符合要求。

例如，在本公开实施例中，加工装置还可以设置与检测单元连通的报警单元。例如，检测单元中可以设置有检测涂层的线宽的阀值。例如，当检测单元检测的实时信息反映涂层的线宽达到或大于该阀值时，该报警装置启动以例如进行人为干预，从而保证产品良率。

例如，在本公开的一个实施例中，加工装置还可以设置有曝光光源，该光源可以设置为通过吸附在载台上的掩模板进行曝光操作或者设置为通过设置在待处理平板上的掩模层进行曝光操作，从而对涂布在例如另一平板上的光刻胶进行曝光以进行构图工艺，或者对封框胶进行曝光以进行固化处理等。图4a为本公开实施例提供的一种加工装置的结构示意图。例如如图4a所示，光源600可以设置在载台的远离平板500的一侧，该平板500例如可以包括第一基板510和第二基板520以及将第一基板510和第二基板520贴合的涂层540，掩模板530设置在载台上且被载台吸附上，光源600通过掩模板530对平板500的上的例如涂层540进行曝光固化处理，该涂层540例如可以为封框胶。例如，该掩模板可以通过在玻璃基板上覆盖例如金属层制作而成，所覆盖的金属层的形状与布局可以与待处理的平板上的涂层对应，例如可以通过光刻、丝网印刷等方案形成，成本较低，且可以灵活地形成多样化的图案。该掩模板可以被称为玻璃掩模板(mask glass)。使用该玻璃掩模板可以被本公开实施例的载台静电吸附，可以替代专用的紫外(UV)掩模板，从而可以降低制造成本，简化加工工艺。

或者，在被曝光的涂层还可以为光刻胶等，该光刻胶在曝光和显影后得到光刻胶图案，该光刻胶图案可以用于在后续的蚀刻(湿法蚀刻或干法蚀刻)作为刻蚀掩模。

需要说明的是，掩模板既可以设置于载台上，也可以直接设置在产品例如平板的靠近载台的一侧。

例如，在本公开的一个示例中，例如如图4a所示，掩模板530设置在载台上，加工装置用于生产单一或者几种规格产品，因产品的规格单一或规格变换次数少，可以在载台上设置一个掩模板530以对多个平板500进行加工(例如曝光)处理，从而降低成本。

例如，在本公开的一个示例中，加工装置可以用于生产多种规格产品，因产品的规格不同，所以直接设置在载台上的掩模板需要频繁更换，而且设置在载台上的掩模板比较昂贵，增加了成产成本。对于上述情况，可以直接在产品的靠近载台的一侧设置掩模板。图4b为本公开一个实施例提供的加工装置的另一种横截面结构示意图。例如如图4b所示，在平板500上蒸镀或者溅射方式形成具有挡光性质的膜层，以得到起到与掩模板530相同作用的掩模层，此过程可以在生产平板500的过程中同程进行，以降低工作步骤，而且同时制备平板500和掩模层的过程中，其相应参数例如产品的图形和布局等可以作为参考，可以降低成本。在该实施例中，待处理平板被吸附在载台上以进行曝光等操作。

需要说明的是，掩模板或掩模层的设置是为了保护平板中的易受光源光照影响的元件以免受到损坏。示例性的，例如该平板为显示面板，其中的薄膜晶体管元件受到光照影响后其电学性能可能会受到影响，导致显示不良。若平板中的元件不受光照影响，则本实施例中的加工装置的载台上可以不设置掩模板。

例如，在本公开的实施例中，光源可以为紫外(UV)光源，用于对光刻胶曝光或者用于封框胶等的固化。

本公开至少一实施例还提供一种载台的制备方法，该方法可以包括：提供承载基底；在承载基底上形成导电层，该导电层可以提供静电吸附；在导电层上形成绝缘层。例如，在本实施例提供的制备方法中，还可以包括：提供静电发生器，将静电发生器与导电层连通。

例如，在本公开实施例的一个示例中，该载台的制备方法可以包括以下步骤：

S1：提供承载基底。

承载基底可以为玻璃、陶瓷等，优选为透明材料例如石英玻璃。

S2：在承载基底上形成导电层，例如该导电层可以为引线图案。

引线图案例如可以通过掩模(例如具有线形图案)或打印等方法直接在承载基底上形成例如线型的引线图案；例如，还可以先在承载基底上形成整层的导电层，然后对其使用光刻工艺以进行构图工艺处理以形成引线图案。

S3：在导电层上形成绝缘层，例如，该绝缘层完全覆盖导电层。

该绝缘层的材料例如可以为氧化硅、氮化硅、氧氮化硅等，通过例如化学气相沉积或物理气相沉积方法形成在承载基底上，也可以为其它有机或无机的绝缘材料，只要其可以对带有静电荷的导电层起到绝缘作用即可；例如绝缘层的表面需要平坦化，其具体作用在本公开上述的一些实施例中已说明，在此不做赘述。

本公开至少一实施例提供根据本发明至少一实施例的加工装置的操作方法，该方法包括：控制载台的静电发生器以向导电层提供静电以进行吸附操作。

例如，本公开至少一实施例提供的操作方法还可以包括：对被吸附在载台上的待处理平板的表面涂布涂层。例如使用涂布头对放置在所述载台上的待处理平板的表面涂布涂层。例如，该待处理平板可以为显示面板的任一基板。该涂层可以为OLED显示面板封装工艺过程中的封框胶，或液晶面板中对盒工艺中的封框胶等。该涂层还可以是用于光刻工艺的光刻胶等。

例如，本公开至少一实施例提供的操作方法还可以包括：在涂布所述涂层的过程中对涂层的线宽进行检测。例如，通过摄像头以及图像分析对所涂布的例如封框胶等涂层的线宽进行检测。

例如，本公开至少一实施例提供的操作方法还可以包括：在载台上吸附掩模板并通过掩模板对载台上的待处理平板进行曝光操作；或对设置有掩模层的待处理平板进行曝光操作。

为便于理解本公开实施例提供的加工装置的操作方法，例如，在本公开实施例的一个示例中，以该平板为显示面板为例，该加工装置的操作方法具体可以包括以下几个方面：

S1：载台中的静电发生器向导电层提供静电以使得导电层通过静电吸附固定显示面板(例如显示面板中的阵列基板)。

静电发生器可以通过控制输出电压以调节导电层的电荷量进而控制导电层的静电吸附力，例如提高输出电压可以增加静电吸附力；而且为使得载台上的导电层可以取得良好的静电效果，静电发生器对导电层施加电压后的电流强度可以较小，例如瞬间最大电流不大于1mA。

S2：在阵列基板上涂布涂层。例如该涂层可以为封框胶，阵列基板分为显示区和位于显示区外围的非显示区，该封框胶位于非显示区。

S3：在涂布涂层的过程中，通过检测单元例如光学检测单元对涂层的线宽进行实时监测。

例如，载台可以为透明的，其具体可参考本公开的关于载台的实施例所述内容。示例性的，例如检测单元可在显示面板的远离涂布涂层操作的一侧设置，检测单元可以透过载台对涂层的线宽进行检测，从而将两种设备(涂布和检测设备)设置于载台的两个相对的方向上，简化设备工艺防止干扰。

S4：例如在显示面板进行贴合工艺的过程中，可以通过设置在加工装置中的掩模板对显示面板进行曝光操作。例如，通过该曝光使得封框胶硬化、固定。

因受限于载台的复杂结构，当前的载台通常透明度不高，其操作方法主要为先在一个制程中对显示面板中的几个主要位置进行曝光操作(例如固化封框胶)以先将显示面板的结构暂时固定(例如阵列基板和对置基板贴合设置后进行定点曝光固化处理)，然后在下一个制程中对显示面板进行全面的曝光固化处理，但是此种操作下的显示面板的封装可能不够稳固，会影响产品良率并且工艺流程繁琐。

在本公开实施例中，因为载台的结构简单，可以设置为透明度高的载台结构，所以用于进行曝光操作的光源可以设置在显示面板的远离涂布涂层操作的一侧，光源可以通过掩模板对显示面板中的例如封框胶进行固化处理。如此在同一个制程中，例如可以一起完成显示面板的贴合和曝光固化处理工艺，与上述当前传统工艺相比，可以提升产品良率并简化工艺流程，降低成本。

需要说明的是，显示面板的贴合工艺可以为常规工艺，其具体实施方式与本公开技术方案无关，在此不做赘述；掩模板有至少两种设置方式，其具体方式可以参考本公开上述的关于加工装置的实施例中的内容，在此不做赘述。

在本公开的以上实施例中，用于对平板的曝光的掩模具有两种设置方式(掩模板或掩模层)。对于两种掩模的设置方式，加工装置的对平板的曝光处理方法在下述的两个示例中进行说明。

例如，在本公开的一个示例中，在载台上的例如待处理平板上(位于其面向曝光光源的一侧)形成掩模层，以便于在后续对平板的加工处理中对通过该掩模层对平板进行曝光处理。

需要说明的是，本方法适用于对多种规格产品例如平板进行加工处理例如封装中的曝光固化处理的情况，其具体实施方式和范围可以参考上述本公开关于加工装置的一些实施例，在此不做赘述。

例如，在本公开的另一个示例中，可以在载台的远离承载基底的一侧提供掩模板，以便于在后续对平板的加工处理中对通过掩模板对平板进行曝光处理。需要说明的是，本方法适用于对单个或几种规格的产品例如平板进行加工处理例如封装中的曝光固化处理的情况，其具体实施方式和范围可以参考上述本公开关于加工装置的一些实施例，在此不做赘述。

本公开的实施例提供一种载台及其制备方法、加工装置及其操作方法，并且可以具有以下至少一项有益效果：

(1)本公开提供的载台可以通过静电吸附固定载台上的物体例如待处理平板，简化载台结构且设备成本低，并且在简化载台上待处理平板的固定方式的同时提高载台的运作效率。

(2)本公开提供的加工装置中的载台可以设置为透明，加工装置可以在对待处理平板的远离载台的一侧和靠近载台的一侧同时对其进行加工处理操作，简化工艺流程。

对于本公开，还有以下几点需要说明：

(1)本公开实施例附图只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。

(2)为了清晰起见，在用于描述本公开的实施例的附图中，层或区域的厚度被放大或缩小，即这些附图并非按照实际的比例绘制。

(3)在不冲突的情况下，本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。

以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。