技术总结
本发明涉及微电子器件与存储器技术领域，公开了一种实现多值存储的阻变存储器制备方法。该方法包括：在硅片上生长下电极，再在其上生长功能层材料，接着对功能层进行离子注入，最后生长上电极。本发明的阻变存储器能够实现多值存储，大的开关电阻比，均一性好，结构简单，易集成等优点，有利于本发明的广泛推广应用。
技术研发人员：刘琦;伍法才;刘明;龙世兵;吕杭炳
受保护的技术使用者：中国科学院微电子研究所
文档号码：201710167921
技术研发日：2017.03.20
技术公布日：2017.06.23