1.一种LED器件的封装方法，其特征在于，该LED器件包括透明密封盖板、金属密封环、基板、LED芯片和LED焊接导线，将LED芯片安装基板上使LED焊接导线与LED芯片连接，通过将透明密封盖板和金属密封环之间，及金属密封环和基板之间共晶焊接进行封装形成密闭空间，并使LED芯片位于该密闭空间内。
2.如权利要求1所述的LED器件的封装方法，其特征在于，所述密封盖板是由透明无机材料组成，且在盖板周围有一圈用于和金属密封环焊接的金属层，密封盖板材料优选用蓝宝石、硅或玻璃材料，所述金属层是圆形、四边形或多边形形状，金属层的材质为金、银、铜、金锡、银锡中的一种或多种金属通过共烧、溅射、蒸镀、电镀、沉积或化学反应而制成，金属层厚度范围在0.1um～100um之间。
3.如权利要求1所述的LED器件的封装方法，其特征在于，所述金属密封环的主体是由金、银、铜、铁或金属合金而成，在其表面进行电镀金、银、铜、金锡、银锡中的一种或多种形成金属表层，金属表层的厚度在1～10um之间。
4.如权利要求1所述的LED器件的封装方法，其特征在于，所述基板是由陶瓷、金属或石墨体系材料制成的平面结构，陶瓷材料优选氧化铝和氮化铝材料，具有单面或者双面的线路层且线路层是由导电金属构成，该导电金属材料为金、银、铜、金锡、银锡中的一种或多种混合而成，该基板整体厚度在0.1～5mm之间，优选在0.3～1.0mm之间，导电金属的厚度在0.03～1mm之间，优选在0.05～0.5mm之间。
5.如权利要求1所述的LED器件，的封装方法其特征在于，该基板整体厚度优选在0.3～1.0mm之间，导电金属的厚度优选在0.05～0.5mm之间。
6.如权利要求1所述的LED器件，其特征在于，所述LED芯片为LED垂直芯片或LED倒装芯片，且芯片底部焊盘金属层为金锡合金、银锡合金或金，在高温环境下和基板能形成金属共晶连接。
7.如权利要求6所述的LED器件的封装方法，其特征在于，高温环境为真空环境或氮气环境，温度在150°～450°之间，优选温度为285°～415°之间，所述LED芯片波长为210nm～1100nm之间，优选为：265nm～365nm之间的紫外波段和430～460nm的蓝色激光芯片。
8.如权利要求1所述的LED器件的封装方法，其特征在于，所述密封盖板和密封环及密封环与基板的共晶焊接温度在265°～415°之间，且在真空环境或氮气环境内完成。
9.如权利要求1所述的LED器件的封装方法，其特征在于，其透明密封盖板的光透透射率>70％,折射率在1.2～2之间。
10.一种LED器件，其特征在于，该LED器件包括透明密封盖板、金属密封环、基板、LED芯片和LED焊接导线，通过透明密封盖板、金属密封环和陶瓷基板共晶焊接进行封装形成密闭空间，LED芯片安装基板上并位于密闭空间内。