技术特征：
技术总结
本发明提供了一种TFT基板的制作方法。该制作方法包括以下步骤：利用第一道光罩工艺，在基板上形成缓冲层、数据线以及源极，并在该缓冲层上设置第一扫描线、第二扫描线以及栅极；利用第二道光罩工艺，在缓冲层、栅极上形成第一绝缘层，在数据线上形成第二绝缘层，在第一扫描线、第二扫描线上形成第一半导体层，在源极上形成第二半导体层；利用第三道光罩工艺，在第二绝缘层以及第二半导体层上形成第一光阻层，在第一绝缘层上形成第二光阻层，对第一半导体层导体化以形成第一导体层，在基板上形成第二导体层，在第一导体层以及第二绝缘层上形成电连接部、在第二半导体层上形成漏极。该方案工艺步骤简单，可提高生产效率，降低生产成本。
技术研发人员：周志超
受保护的技术使用者：深圳市华星光电技术有限公司
技术研发日：2017.04.01
技术公布日：2017.07.25