无衬底芯片封装LED及其制作工艺的制作方法

文档序号:11587202阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
一种无衬底芯片封装LED及其制作工艺,包括以下步骤:A.将倒装芯片通过P电极和N电极固晶于LED基板上;B.将步骤A中固晶后的倒装芯片的蓝宝石衬底进行剥离;C.在剥离了蓝宝石衬底的GaN外延层的表面和侧面涂敷一层厚度均匀的荧光粉涂层,随后通过高温将荧光粉涂层固化。无衬底芯片封装LED发光效率高,亮度大,散热性良好,有效延长使用寿命,且在制作过程中有效解决剥离蓝宝石衬底时外延层刚性支承问题。

技术研发人员:董翊
受保护的技术使用者:导装光电科技(深圳)有限公司
技术研发日:2017.04.10
技术公布日:2017.08.11
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